WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

МЛЭ-слой Si : Er c величиной [Er] =2 · 1019 cm-3 и по[7] Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, следующие термические отжиги не приводят к увелиБ.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, чению интенсивности линии ионов Er3+ и изменению В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин, Т.В. Котерева. ФТТ 47, 1, формы спектра люминесценции. До имплантации кис- (2005).

лорода только определяемая концентрацией примесей- [8] Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Е.О. Паршин. ФТТ 47, 1, 110 (2005).

активаторов часть вводимого эрбия уходит на образование оптически активных центров, а другая („лишняя“) идет на образование выделений ErSi2. Поэтому имплантация ионов кислорода и последующий отжиг не приводят к появлению дополнительных Er-содержащих оптически активных центров (ввиду отсутствия его в несвязанном состоянии), а сопровождаются формированием центров безызлучательной рекомбинации. Авторы [6] пришли к аналогичному заключению о том, что наблюдавшиеся в исследованных ими структурах центры с глубокими уровнями являются более эффективными каналами безызлучательной рекомбинации, чем обнаруженные структурные дефекты.

4. Заключение В эпитаксиальных слоях кремния, выращенных методом МЛЭ и легированных до концентрации [Er] = = 4 · 1019 cm-3, не происходит образования дислокаций.

Основными типами дефектов кристаллической решетки слоя являются преципитаты Er округлой формы размером 4–25 nm, располагающиеся непосредственно на границе слой–подложка, и пластинчатые выделения ErSi2, залегающие в плоскостях {111} и распространяющиеся Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.