WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

h = (s + 3p) — энергия sp3-орбитали кремния, [11] Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григоа p —энергия p-орбитали атома VI группы. Полярность рьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991).

2 связи p = |V3|/ V2 + V3, а эффективный заряд атома [12] Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. К.П. Мищенко, А.А. Равделя. Химия, Л. (1974).

VI группы Z = -22 для адсорбции на грани (100), p [13] С.Ю. Давыдов, А.В. Павлык. ФТТ 45, 7, 1325 (2003).

где адатом связан с двумя атомами Si; Z = -2 для p [14] С.Ю. Давыдов. ФТТ 46, 6, 1108 (2004).

адсорбции на грани (111), где адатом связан с одним [15] S.R. Burgess, B.C.C. Cowie, S.P. Wilks, P.R. Dunstan, атомом Si. Результаты расчетов для адсорбции S, Se C.J. Duncombe, R.H. Williams. Appl. Surf. Sci. 104–105, 1, и Te на поверхности кремния представлены в таблице.

152 (1996).

Во-первых, из таблицы следует, что при адсорбции [16] Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М.

(1978).

на Si(100) эффективные заряды Z серы и селена малы, [17] С.Ю. Давыдов, А.В. Павлык. ЖТФ 74, 8, 96 (2004).

но заметно больше (в 2-3 раза), чем определенные нами [18] О.М. Браун, В.К. Медведев. УФН 157, 4, 631 (1989).

выше заряды Z0. Это не слишком удивительно, так как [19] У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых определение эффективного заряда Z достаточно неодтел. М. Мир, (1983). Т. 1.

нозначно и следует говорить о распределении заряда.

[20] W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 6, 3592 (1983).

Обычно теории сильной звязи, к которым относится и [21] P. Krger, J. Pollmann. Phys. Rev. Lett. 64, 15, 1808 (1990).

метод связывающих орбиталей Харрисона, переоценива[22] С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ 37, 9, 2749 (1995).

ют значения заряда, чрезмерно локализуя его на ионе.

Во-вторых, из таблицы видно, что в ряду S Se Te энергия связи Eb убывает. То же отмечается при переходе от серы (Eb = 5.20 eV) к селену (Eb = 4.73 eV) в [4].

Оценки энергии связи Si-Se по данным термодесорбционной спектроскопии дают Eb = 2.97 eV для Si(100) [2] и 2.8 eVдля Si(111) [8]. В системе Te/Si(100) для различных адсорбционных позиций приводятся значения Eb, лежащие в интервале от 4.5 до 3.2 eV. Следовательно, можно говорить о полуколичественном соответствии наших значений Eb экспериментальным оценкам и результатам расчетов других авторов. Мы также рассчиФизика твердого тела, 2005, том 47, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.