WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Для свободного электрона фактор g 2, однако для С другой стороны, магнитное воздействие может электронов, входящих в состав дефектных комплексов привести к распаду дефектных комплексов, исходно имекристалла, эта величина может быть в несколько раз ющихся в реальном кристалле ТГС. Именно распадом больше [10]. Так, при интерпретации эффектов раздефектной и доменной структур реального кристалла упрочнения ионных кристаллов, вызванных изменением ТГС объяснялись изменения характеристик номинально спиновых состояний дефектов в условиях парамагнитчистых кристаллов ТГС, обнаруженные ранее в резульного резонанса, одному из обнаруженных резонансов тате воздействия ИМП [1]. Уменьшение числа дефектов, соответствовало значение g 6 [11]. При таком значеслужащих центрами закрепления доменных стенок в рении параметра g резонансная частота, соответствующая альном кристалле ТГС, приводит к повышению диэлекиндукции магнитного поля B0 = 0.08 ± 0.01 T, при кототрической проницаемости, а уменьшение концентрации ром наблюдается эффект в кристалле ТГС, имеет знаупорядоченных полярных дефектов — к снижению внучение 7 GHz, т. е. лежит в области микроволнового треннего поля и температуры Кюри.

излучения.

Поскольку наблюдавшиеся в настоящей работе изЭффекты резонансного воздействия микроволнового менения характеристик кристалла ТГС в основном поизлучения на номинально чистые кристаллы ТГС надобны индуцированным ИМП изменениям [1], та же блюдались и ранее. Сообщалось об обнаружении резоинтерпретация результатов остается в силе и в случае нансного поглощения микроволнового излучения кривоздействия постоянного магнитного поля. Отсутствие сталлами ТГС на частотах 27, 28 и 33 GHz, в зависиэффектов при воздействии постоянного магнитного поля мости от кристаллографической ориентации образцов на кристаллы ТГС, находящиеся в парафазе или квазиво время воздействия [12]. B [13] был обнаружен эфмонодоменном состоянии, свидетельствует о том, что фект подавления слабым микроволновым излучением магнитоиндуцированные процессы происходят в системе диэлектрической аномалии при сегнетоэлектрическом дефекты–доменные стенки.

фазовом переходе в кристалле ТГС, имеющий максимум Отличие эффектов воздействия ИМП и постоянного на частоте 40 GHz.

магнитного поля (они наблюдались при различной ориОтметим, что значения указанных выше частот с уче- ентации магнитного поля относительно сегнетоэлектритом неопределенности фактора g лежат в пределах ческой оси кристалла) может быть связано с тем, что одного порядка, что может быть признаком близости чувствительными к этим воздействиям являются разные механизмов наблюдавшихся явлений.

типы дефектов.

Более того, обнаруженный нами эффект можно рас- К сожалению, на данном этапе исследований реальной сматривать как обратный эффекту, описанному в [13].

структуры кристалла ТГС не представляется возможДействительно, воздействие постоянного магнитного ным идентифицировать магниточувствительные дефекполя на кристаллы ТГС приводит к уменьшению тем- ты. В настоящее время дефекты, закрепляющие доменпературы сегнетоэлектрического перехода на величину ную структуру сегнетоэлектрического кристалла ТГС, 1 K и существенному увеличению диэлектрической систематизированы феноменологически [14], однако их проницаемости вблизи точки Кюри. Воздействие же микроскопическая природа остается неустановленной.

10 Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 1684 М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин В то же время известно, что полевая зависимость [6] С.А. Флерова, Н.Н. Крайник, Н.П. Боцьва, С.А. Попов.

Письма в ЖТФ 29, 2, 45 (2003).

вероятности рекомбинации радикалов в слабых магнит[7] М.Н. Левин, Б.А. Зон. ЖЭТФ 111, 4, 1373 (1997).

ных полях может иметь четко выраженный экстремум [8] М.С. Цедрик. Физические свойства кристаллов семейства при наличии нескольких каналов интеркомбинационных триглицинсульфата. Наука и техника, Минск (1986). 215 с.

переходов [15]. Такие экстремумы (резонансы) возни[9] Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы.

кают в слабых магнитных полях, сравнимых с полями Мир, М. (1965). 555 с.

сверхтонкого взаимодействия, при пересечении уровней, [10] V. Fleurov, M. Molotskii. Ceramic Trans. 3, 57 (2001).

энергетически разделенных обменным взаимодействием [11] Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, А.А. Дмитрив отсутствие магнитного поля, или при исключении евский. ЖЭТФ 117, 6, 1080 (2000).

некоторых уровней из участия в интеркомбинационных [12] А.М. Косцов. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 9, 1712 (2000).

переходах за счет их зеемановского смещения. В про- [13] В.К. Новик, Г.И. Овчинникова, Ю.А. Пирогов, А.Н. Солостейшем случае синглет-триплетных переходов подоб- шенко. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 12, 2452 (2000).

[14] А.Н. Шильников, А.П. Поздняков, В.Н. Нестеров, В.А. Феные резонансы могут возникать в слабых магнитных дорихин, Л.А. Шувалов. ФТТ 43, 8, 1516 (2001).

полях, если разрешены переходы из синглетного на все [15] А.Л. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов. Магнитные и три подуровня триплетного состояния. В постоянных спиновые эффекты в спиновых реакциях. Наука, Новосимагнитных полях это возможно только при наличии бирск (1978). 296 с.

в радикальной паре хотя бы одного ядра с ненулевым спином, участвующего в переходах по механизму сверхтонкого взаимодействия.

Естественно предположить, что отличительная особенность эффекта, обнаруженного в водородсодержащем молекулярном кристалле ТГС, а именно его селективная зависимость от напряженности магнитного поля, связана с участием протонов водородных связей в спин-зависимых процессах трансформации дефектных комплексов реального кристалла.

Обнаруженный эффект позволяет сделать предположение о существовании короткоживущих радикальных состояний в комплексах с водородными связями, определяющих их чувствительность к магнитным воздействиям.

Меньшее значение резонансной частоты, полученное в данной работе для реального кристалла ТГС ( 7GHz), по сравнению с частотой, определенной в [13] для высокосовершенного кристалла ( 40 GHz), может быть обусловлено тем, что водородные связи в дефектных комплексах являются более слабыми, чем в собственной решетке бездефектного кристалла.

Экспериментальным подтверждением предположения, что селективный характер обнаруженного эффекта связан с участием протонов водородных связей в спин-зависимых процессах трансформации дефектных комплексов реального кристалла ТГС, было бы выявление подобных эффектов в других молекулярных кристаллах с водородными связями, в частности в сегнетоэлектрических кристаллах дигидрофосфата калия (KDP).

Список литературы [1] М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин, А.М. Косцов.

ФТТ 45, 3, 513 (2003).

[2] M. Molotskii, V. Fleurov. Phys. Rev. B 56, 17, 10 809 (1997).

[3] M. Molotskii. Mater. Sci. Eng. A 287, 248 (2000).

[4] Б.И. Смирнов, Н.Н. Песчанская, В.И. Николаев. ФТТ 43, 12, 2154 (2001).

[5] С.А. Гриднев, К.С. Дрождин, В.В. Шмыков. ФТТ 42, 2, (2000).

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.