WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

При сжатии вследствие поворотов под двлением на направления Ps в доменах на границе, определяющей барьер для тока, уменьшается доля конфигураций 1, (рис. 2, b). В то же время доля конфигураций 6, увеличивается. Поэтому c > и c > 0 (кривые 1 на Рис. 4. Зависимости поляризованности P от величины элекрис. 1, a, 3, b) так как конфигурациям 1, 4 соответствуют трического поля E для напряженного состояния (2) и в малые значения q0 (см. таблицу), а конфигурацислучаях одностороннего сжатия (3) и растяжения (1) при ям 6, 7 —большие q0. При одностороннем растяжении = 10 MPa, T = Tc + 5.

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. Пьезорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках и на всем температурном интервале c > 0 (кривые на рис. 1, a, 3, b). Влияние растяжения на объем кристаллита приводит к росту Tc для конфигурации на рис. 2, b, обеспечивающей наилучшее экранирование барьеров в направлении тока, что обусловливает t <.

В результате получается, что при растяжении для всей области температур и давлений t < 0 (кривые 2 на рис. 1, a, 3, b).

Таким образом, на удельное сопротивление поликристаллических СЭПП влияют те же факторы, которые оказывают воздействие на параметр порядка (Ps ), поскольку экранирование потенциальных барьеров, создаваемых заряженными границами раздела кристаллитов, в значительной степени определяется локальными возмущениями Ps [12]. Поэтому удельное сопротивление оказывается чувствительным к внешним механическим напряжениям как вследствие перестройки доменной структуры под действием напряжений, так и вследствие изменения температурной области существования параметра порядка. Величины потенциальных барьеров в том случае, когда направление Ps в граничащих кристаллитах противоположно направлению электрического поля границ раздела в этих кристаллитах, меньше, чем в случае, когда указанные направления перпендикулярны.

Поэтому происходящие под действием односторонних внешних механических напряжений 90 повороты Ps в части доменов приводят к увеличению R вдоль оси сжатия и к его уменьшению вдоль оси растяжения, а Рис. 5. Расчетные температурные зависимости для ненапрявеличина пьезорезистивного коэффициента оказывается женного состояния (1) и в случае одностороннего сжатия при = 30 MPa (2) (a) и расчетная температурная зависимость зависящей от степени перестройки доменной структуры.

в случае одностороннего сжатия при = 30 MPa (b).

Список литературы [1] О. Сабури, К. Вакино, Н. Фудзикава. Полупроводники на состоянии, что обусловливает c < 0 для этого темоснове титаната бария. Энергоиздат, М. (1982). С. 13.

пературного интервала (рис. 5, b). Теоретическая оценка [2] К. Зеегер. Физика полупроводников. Мир, М. (1977).

на основе термодинамического потенциала (5) приводит 615 с.

для одностороннего сжатия при больших давлениях [3] J.S. Capurso, W.A. Schulze. J. Am. Cer. Soc. 81, 2, 337 (1998).

( = 30 MPa) к значению Tc = 21 K, что гораздо боль[4] M. Guntersdorfer, W. Heywang. Solid State Electron. 10, ше величины Tc = 0.5 K, которую дает соотношение (1967).

Tc = 3.31 · 10-16, полученное экспериментально [1]. [5] В.М. Гуревич. Электропроводность сегнетоэлектриков.

Изд-во Комитета стандартов. М. (1969). 383 с.

Такое различие можно объяснить механическим зажига[6] A. Amin. Phys. Rev. B40, 17, 11 603 (1989).

нием доменов, которое не учитывалось при получении [7] A.B. Alles, M.W. Murphy, J.J. Symanski, C.L. Tremper, теоретической оценки. В наших расчетах c и c для W.A. Schulze. J. Appl. Phys. 77, 10, 5322 (1995).

одностороннего сжатия при = 30 MPa, результаты [8] J.S. Capurso, W.A. Schulze. J. Am. Cer. Soc. 87, 2, 347 (1998).

которых представлены на рис. 5, была использована [9] W. Heywang. J. Am. Cer. Soc. 47, 10, 484 (1964).

экспериментальная величина Tc. Поведение c в за[10] Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, висимости от T при больших давлениях ( 30 MPa) Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнеоказывается сложным (рис. 1, b, рис. 5, b). В сегнетотоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с.

области (далеко от Tc) за счет изменения направления [11] И.П. Раевский, Е.И. Бондаренко, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало, П.Ф. Тарасенко. ФТТ 26, 4, 1219 (1984).

Ps под давлением c > 0. В области фазового перехода [12] А.Н. Павлов, И.П. Раевский, В.П. Сахненко. ФТТ 42, 11, из-за повышения Tc под давлением c < 0. В парафазе 2060 (2000).

за счет того, что давление сжатия противодействует [13] З.М. Лехцер, Э.В. Бурсиан. Сегнетоэлектрики. ЛГПИ, Л.

поляризации и тем самым экранированию барьеров (1978). С. 89–110.

в направлении тока, c > 0. Вследствие малости Tc [14] E.C. Subbarao, M.C. McQuarry, W.R. Buessem. J. Appl. Phys.

при давлениях 10 MPa и плавном нарастании R в 28, 10, 1194 (1957).

области Tc инверсия знака c обнаруживаться не будет, Физика твердого тела, 2002, том 44, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.