WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таким образом, в настоящей работе изучена „высокотемпературная“ микротвердость ЭС ТР в гетерокомпозициях Six Ge1-x /Ge (0 x < 0.15) и Six Ge1-x/Si (0.85 < x 1). В исследованном диапазоне составов обнаружены немонотонные концентрационные зависимости микротвердости и длины лучей дислокационных розеток, образующихся вокруг отпечатков индентора. Наиболее вероятной причиной обнаруженного немонотонного изменения пластичности ЭС является упрочнение ТР в определенном диапазоне составов, обусловленное их спинодальным распадом с образованием кластеров и дисперсных выделений.

Список литературы [1] М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Дефекты структуры в эпитаксиальных слоях полупроводниковых материалов.

Металлургия, М. (1985).

[2] I. Yonenaga. Physica B 273–274, 612 (1999).

[3] B. Roos, H. Richter, J. Wollweber. Solid State Phenomena 47–48, 509 (1996).

[4] D.Y. Watts, A.F.W. Willoughby. Mater. Lett. 2, 355 (1984).

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.