WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

изменения величины FWHM линии излучения 358.1 nm [13] R. Dingle, D.D. Seil, S.E. Stakowsky, M. Ilegems. Phys. Rev. B (в исходном кристалле), сдвига положения максимума 4, 1211 (1971).

в длинно-волновую область спектра (359.2 nm), увеличе[14] V. Kiroilyuk, P.H. Hageman, M. Zielenski. Appl. Phys. Lett.

ния интенсивности БКФЛ, появления полосы ДАН–ФЛ, 79, 4109 (1999).

следует иметь ввиду, что, как известно, внутрицентровое [15] В.Ю. Некрасов, П.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП 33, 12, 1428 (1999).

излучение ионов Eu2+ и Eu3+ проявляется в разных [16] H.I. Lozykowski. Phys. Rev. B 48, 17 758 (1998).

спектральных областях. В частности, в интервале длин [17] М.М. Мездрогина, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков, волн 353–441 nm (в зависимости от материала матрицы) Ф.С. Насрединов, Н.П. Серегин, П.П. Серегин. ФТП 36, наблюдается излучение, обусловленное только Eu2+. По12, 1252 (2002).

этому появление узкой линии на длине волны 359.2 nm [18] С.V. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, Y. Sun, G.J. Lapeyre, может быть вызвано, вероятно, и внутрицентровым R.L. Cone, R.W. Equal, R.M. Macfarlane. Phys. Rev. B 64, переходом в ионе Eu2+.

085 107 (2001).

Таким образом, на основании исследования изменения [19] А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, М.О. Воробьев, У. Кайспектров ФЛ объемных кристаллов GaN Eu обнаружен зер, В. Рихтер, И.И. Ходес. ФТП 35, 6, 725 (2001).

эффект геттерирования дефектов (по всей вероятности, [20] J. Heikenfeld, M. Garter, D.S. Lee, R. Birkhahn, A.J. Stekl.

Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999).

за счет уменьшения количества оборванных связей и трансформирования глубоких состояний в мелкие и, наоборот, мелких состояний в глубокие) в исходной матрице n-GaN в результате возникновения акцепторных состояний. Обнаружено, что различные зарядовые состояния введенного Eu — Eu2+ и Eu3+ (или только Eu3+) реализуются в зависимости от концентрации дефектов в исходной матрице. При наименьшей концентрации мелких уровней и наибольшей глубоких уровней реализуется одно зарядовое состояние примесного иона — Eu3+, а при обратном соотношении концентрации мелких и глубоких уровней реализуются два зарядовых состояния иона — Eu3+ и Eu2+. Поэтому тип акцептора (мелкий или глубокий), вероятно, определяется величиной зарядового состояния РЗ иона.

Авторы признательны Ю.В. Жиляеву и А.П. Скворцову за плодотворную дискуссию и ценные замечания.

Список литературы [1] A.J. Steckl, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1999).

[2] A.J. Steckl, M. Garter, B. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys.

Lett. 74, 2101 (1999).

[3] S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull. Appl. Phys. Lett. 71, (1997).

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.