WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

4. Обсуждение и выводы Проведенный анализ электрофизических свойств и структурных особенностей SmS показывает, что определяющую роль в возникновении эффекта генерации эдс при нагреве образцов SmS в условиях отсутствия внешних градиентов температуры играет наличие избыточных ионов самария. Температура начала генерации зависит от их концентрации, а амплитуда генерируемой эдс — от величины градиента этой концентрации. Из Рис. 5. Критическая концентрация электронов проводимости формулы (2) следует, что для фазового перехода полупроводник–металл в SmS при T = 300 K (экспериментaльные точки) и для начала генеE = K · grad Ni. (8) рации эдс (расчетные кривые 1, 2 при Ei = 0.03 и 0.06 eV соответственно) в зависимости от концентрации электронов Коэффициент эффекта K сложным образом зависит от T, проводимости при T = 300 K, P = 0.

m, 0, Ni, Ei, а также от механизма рассеяния электронов проводимости и поэтому требует эмпирического определения. Величина grad Ni может быть задана допипри различных значениях Ni. Функции Tb(Ni) представ- рованием стехиометрического SmS избыточными атомалены на рис. 4 для Ei = 0.03 и 0.06 eV (кривые 2 и 3 ми самария. Из данных рис. 3 видно, что эффективным в соответственно). С учетом того, что Ni = 5 · 1020 cm-3, смысле повышения величины эффекта (E) может быть из кривой 2 следует минимальная величина Tb 440 K. допирование лишь в пределах 50.5 at.% самария. При Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. Дефектные ионы самария и эффект генерации электродвижущей силы в SmS больших количествах избыточные ионы Sm должны ве- [15] В.В. Каминский, М.М. Казанин. Докл. VII межгосударственного семинара „Термоэлектрики и их применения“.

сти себя при нагревании пассивно, так как в данном слуФТИ РАН, СПб (2000). С. 215.

чае Ei = 0. Последнее, по-видимому, связано с тем, что [16] В.В. Каминский, В.А. Капустин, И.А. Смирнов. ФТТ 22, aD < aB уже при комнатной температуре и концентра12, 3568 (1980).

ция электронов проводимости превосходит критическое [17] С.И. Гребинский, В.В. Каминский, А.В. Рябов, Н.Н. Степадля возникновения генерации значение. Таким образом, нов. ФТТ 24, 6, 1874 (1982).

формула (8) справедлива для SmS стехиометрического состава и с отклонениями от стехиометрии до 0.5 at.% в сторону избытка самария.

Рассмотрение приведенной модели эффекта генерации эдс в SmS позволяет сделать предположение, что аналогичные эффекты могут наблюдаться и в других полупроводниковых соединениях. Необходимым условием для этого является наличие неравномерно распределенной по объему донорной примеси с достаточно высокой концентрацией для того, чтобы при внешнем воздействии (температура, давление и т. п.) для нее могло реализоваться соотношение aB = aD. Так, нами уже наблюдался эффект генерации эдс при равномерном нагревании образцов Sm0.99Gd0.01S и SmTex S1-x, где x = 0.02, 0.05.

Авторы благодарны М.М. Казанину за ценные советы при обсуждении результатов работы, а М.В. Романовой — за проведение измерений на твердых растворах SmS.

Список литературы [1] В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 3, 423 (2001).

[2] В.В. Каминский. International Workshop Results of Fundamental Research for Investments’ 2001. Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии. Тез. докл. СПб (2001). С. 45.

[3] В.В. Каминский, Л.Н. Васильев, М.В. Романова, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 6, 997 (2001).

[4] А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.А. Капустин, М.В. Романова, И.А. Смирнов. ФТТ 22, 12, 3561 (1980).

[5] А.В. Голубков, Н.Ф. Картенко, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. ФТТ 20, 1, 228 (1978).

[6] А.В. Голубков, В.М. Сергеева. ЖВХО 26, 6, 645 (1981).

[7] В.М. Сергеева, Е.В. Гончарова, Н.Ф. Картенко, М.А. Демина, И.А. Смирнов, А.И. Андрюшин, Ю.К. Мисюрев. Изв.

АН СССР. Сер. Неорган. материалы 8, 2114 (1972).

[8] V.P. Zhuze, E.V. Goncharova, N.F. Kartenko, T.I. Komarova, L.S. Parfeneva, V.M. Sergeeva, I.A. Smirnov. Phys. Stat. Sol.

(a) 18, 63 (1973).

[9] В.М. Сергеева. Автореф. канд. дис. ЛГУ, Л. (1972).

[10] А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ. Наука, Л. (1973). 304 с.

[11] В.П. Жузе, А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, Т.И. Комарова, В.М. Сергеева. ФТТ 6, 1, 268 (1964).

[12] Л.Н. Васильев, В.В. Каминский. ФТТ 36, 4, 1172 (1994).

[13] V. Zelezhy, J. Petzelt, V.V.Kaminski, M.V. Romanova, A.V. Golubkov. Sol. Stat. Commun. 72, 1, 43 (1989).

[14] М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ЖТФ 70, 5, 136 (2000).

11 Физика твердого тела, 2002, том 44, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.