WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа... [4] C. Gaquiere, J. Grnentt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Trans. Electron. Dev., 26, 533 (2005).

[5] M.T. Yang, Y.J. Chan, C.H. Chen, J.I. Chyi, R.M. Lin, J.L. Shien. J. Appl. Phys., 76, 2494 (1994).

[6] P.W. Yu, B. Jogai, T.J. Rogers, P.A. Martin, J.M. Ballingall.

J. Appl. Phys., 76, 7535 (1994).

[7] X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St.

Electron., 45, 751 (2001).

[8] X. Cao, Y. Zheng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu, X. Wang, Y. Chang, J. Chu. J. Cryst. Growth, 231, 520 (2001).

[9] X. Cao, Y. Zheng, L. Cui, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu.

J. Cryst. Growth., 227–228, 127 (2001).

[10] D.C. Look, B. Jogai, C.E. Stutz, R.E. Sherriff, G.C. De Salvo, T.J. Rogers, J.M. Ballingall. J. Appl. Phys., 76, 328 (1994).

[11] K.T. Chan, M.J. Lightner, G.A. Patterson, K.M. Yu. Appl.

Phys. Lett., 56, 2022 (1990).

[12] H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okamoto. J. Appl.

Phys., 75, 3908 (1994).

[13] K.J. Chao, N. Liu, C.K. Shin. Appl. Phys. Lett., 75, (1999).

[14] Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров. Микроэлектроника, 35 (2), 67 (2006).

[15] A. Leuthery, A. Forstery, H. Lethy, H. Holzbrecherz, U. Breuer. Semicond. Sci. Technol., 11, 766 (2000).

[16] T.N. Chen, Y.S. Huang, T.S. Shou, K.K. Tiong, D.Y. Lin, F.H. Pollak, M.S. Goorsky, D.C. Streit, M. Wojtowicz.

Physica E, B, 297 (2000).

[17] T. Unuma, T. Takahashi, T. Noda, M. Yoshita, H. Sakaki, M. Baba, H. Akiyama. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999).

Редактор Л.В. Беляков Influence of the spacer layer growth temperature on 2D electron gas mobility in pseudomorphic high electron mobility transistor structures G.B. Galiev, I.S. Vasil’evskii,+, V.G. Mokerov, E.A. Klimov, A.A. Cherechukin Institute of UHF Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, 117105 Moscow, Russia + Low Temperature Physics Department, Moscow State University, 119992 GSP-2, Moscow, Russia

Abstract

The influence of AlGaAs spacer layer growth temperature on the mobility of two-dimensional electron gas in one-side--doped pseudomorphic high electron mobility transistor strucrures is experimentally investigated. Conduction band profile is analyzed by means of the self-consistent calculation. An optimal AlGaAs/InGaAs/GaAs structure without parallel conductivity in the doped layer is chosen for investigation of electronic transport properties. In the optimized structures the increase of growth temperature from 590 to 610C increases the mobility by 53% at T = 300 K and by 69% at T = 77 K at an invariance of other parameters and growth conditions. We suppose that it is connected with improvement of structural perfection of the AlGaAs spacer layer and AlGaAs/InGaAs heterointerface.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.