WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Слабая антилокализация и спин-орбитальное взаимодействие в квантовой яме In0.53Ga0.47As/InP... [13] Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП. 18 (11), (1984) [Sov. Phys. Semicond., 18 (11), 1247 (1984)].

[14] М.И. Дьяконов, Ю.Ю. Качоровский. ФТП, 20, 210 (1986) [Sov. Phys. Semicond., 20, 110 (1986)].

[15] Yu.L. Bychkov, E.I. Rashba. J. Phys. C, 17, 6093 (1984).

[16] Л.В. Голубев, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. ФТП, 22 (11), 1948 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (11), 1238 (1988)].

[17] Н.А. Берт, В.В. Воробьева, М.В. Воронцова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, К.Ю. Погребицкий, И.Г. Савельев, Д.Ж. Сайфидинов, Н.П. Сошников, А.Я. Шик. ФТП, 24 (4), (1990) [Sov. Phys. Semicond., 24 (4), 410 (1990)].

[18] Д.Д. Быканов, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев. ФТП, 32 (9), 1100 (1998) [Semiconductors, 32 (9), 985 (1998)].

[19] И.Г. Савельев, Т.А. Полянская. ФТП, 22 (10), 1818 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (10), 1150 (1988).] [20] B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitskii. J. Phys. C, 15, 7367 (1982).

[21] H. Fukuyama, E. Abrahams. Phys. Rev. B, 27 (10), (1983).

[22] В. Карпус. ФТП, 22 (3), 439 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (3), 268 (1988)].

[23] И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, В.Д. Каган, А.М. Крещук, Т.А. Полянская и др. ФТП, 31 (11), 1357 (1997) [Semiconductors, 31 (11), 1170 (1997)].

[24] D.D. Bykanov, A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel’ev. In: Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Jerusalem, Israel, 1999), ed. by D. Gershenson (World Scientific, 1999) CD-ROM, papers No 0219.

[25] T. Ando. Rev. Mod. Phys., 54 (2), 437 (1982).

[26] E. Zelinski, H. Shweizer, K. Sruebel, H. Eisele, G. Weimann.

J. Appl. Phys., 59 (6), 2196 (1988).

Редактор Т.А. Полянская Weak antilocalization and spin-orbit interaction in a In0.53Ga0.47As/InP quantum well in the persistence photoconductivity state D.D. Bykanov, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel’ev Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Low-field quantum magnetoresistance of twodimensional electron gas on the In0.53Ga0.46As/InP interface has been investigated in the persistent photoconductivity state. The sign-changed character magneto-field dependencies of magnetoresistance is an evidence in favour of spin-orbit interaction in quantum well conductivity. It is shown that the main contribution to the value of spin-orbital scattering frequence 1/so is made by a mechanism induced by the built-in electrical field on the interface.

It is the Rashba mechanism that is linear along the electron wave vector. Data obtained allow us to find the parameters of energy spectrum spin-orbital splitting: =(84 ± 10) 2 (for the Rashba mechanism) and =(73 ± 5) eV · 3 (for the Dyakonov–Perel and Dresselhaus mechanisms).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.