WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

обнаружено и для гетероструктуры 1. Для определения 4. Заключение того, соответствуют ли два максимума в спектре одной и той же поперечной моде излучения или же они приИсследованы метаморфные лазеры с квантовынадлежат различным модам, было исследовано со спекми точками InAs–InGaAs, выращенные с помощью тральным разрешением дальнее поле излучения образца молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, структуры 2 в горизонтальном направлении при токе излучающие вблизи 1.5 мкм. Показано, что лазеры ранакачки 1.8Ith. При этом монохроматор настраивался ботают в одномодовом режиме при ширинах полоск на разные максимумы (1 = 1448.6нм и 2 = 1460.5нм) 6–8 мкм c высокой дифференциальной квантовой эфспектра излучения. Методика данного исследования быфективностью (до 50%). Максимальная выходная оптила предложена в работе [19]. Измерения показали, что ческая мощность составила 220 мВт при непрерывной оба максимума в спектре имеют одинаковый профиль накачке и 800 мВт при импульсной накачке. Непрерывраспределения (см. вставку на рис. 4) и соответствуют ный и пространственно-одномодовый режимы работы одной и той же поперечной моде. По всей видимости, пепродемонстрированы для лазеров подобного типа вперреключение длины волны генерации с коротковолновой вые. Достигнутая выходная мощность в непрерывном на более длинноволновую при токах накачки порядка режиме на порядок превосходит значения, ранее опубли(1.25-1.5)Ith связано с разогревом активной области, кованные для лазеров этого спектрального диапазона на что подтверждается спектральными исследованиями при основе азотсодержащих квантовых ям. Отсутствие филанепрерывной накачке, преcтавленными далее. В дальней- ментации было продемонстрировано для исследованных Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1468 Л.Я. Карачинский, T. Kettler, Н.Ю. Гордеев, И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков...

лазеров вплоть до высоких уровней возбуждения. По- [13] N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil’ev, E.S. Semenova, M.V. Maximov, лученные результаты позволяют с уверенностью утверYu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, ждать, что полупроводниковые гетероструктуры с метаD. Bimberg. Electron. Lett., 39, 1126 (2003).

морфными InAs–InGaAs КТ являются перспективными [14] J.P. van der Ziel, N. Chand. J. Appl. Phys., 68, 2731 (1990).

для создания высококачественных лазеров полосковой [15] M.E. Groenert, Ch.W. Leitz, A.J. Pitera, V. Yang, H. Lee, конструкции и лазеров с вертикальным резонатором R.J. Ram, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 93, 362 (2003).

с длиной волны излучения 1.3–1.5 мкм на подложках [16] K.K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X.F. Liu, S. Krishna, GaAs или на других подложках, рассогласованных по P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 74, 1355 (1999).

параметру решетки и (или) коэффициенту теплового [17] N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.A. Shchukin, S.S. Mikhrin, расширения.

I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, L.Ya. Karachinsky, M.V. Maximov, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, I.P. Soshnikov, Авторы статьи выражают благодарность S. Rodt A.E. Zhukov, E.L. Portnoi, V.M. Ustinov, D. Gerthsen, за профессиональную техническую помощь, а также P. Bhattacharya, N.F. Zakharov, P. Werner, F. Hopfer, Н.Д. Ильинской и И.Н. Каяндеру за плодотворные дисM. Kuntz, D. Bimberg. Proc. SPIE, 5624, 335 (2005).

куссии.

[18] М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, Данная работа была поддержана в разных частях совА.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуместным Исследовательским проектом между ФТИ РАН ков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Се(Санкт-Петербург, Россия) и NL-Nanosemiconductor- менова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, GmbH (Дортмунд, Германия), проектами Европейско- Ж.И. Алферов. ФТП, 38, 763 (2004).

го сообщества „SANDiE“ (номер контракта NMP4-CT- [19] N.Yu. Gordeev, A.M. Georgievski, V.I. Kopchatov, S.V. Zaitsev, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, 2004-500101) и DOTCOM, РФФИ, DLR, INTAS и NATO P.S. Kop’ev, Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and linkage grant (PST.CLG.979646). А.Е. Жуков выражает Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 183.

благодарность финансовой поддержке в рамках гранта [20] D. Ouyang, R. Heitz, N.N. Ledentsov, S. Bognr, R.L. Sellin, президента Российской Федерации по поддержке моCh. Ribbat, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 81, 1546 (2002).

лодых ученых (MD-4277.2004.2). Н.В. Крыжановская благодарит за финансовую поддержку INTAS (Young Редактор Л.В. Беляков Scientist Fellowship No 03-55-882). Л.Я. Карачинский благодарит за финансовую поддержку DFG (Германия).

CW 1.5 µm-range lasing of single mode metamorphic quantum dot lasers Список литературы L.Ya. Karachinsky,+, T. Kettler+, N.Yu Gordeev, I.I. Novikov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, [1] N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, V.N. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, 1015 (2002).

A.P. Vasil’ev, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov,+,=, [2] G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Phot. Technol. Lett., 12, 230 (2000). A.R. Kovsh, =, V.A. Shchukin,+,=, S.S. Mikhrin =, [3] O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38, A. Lochmann+, O. Schultz+, L. Reissmann+, (2002).

D. Bimberg+ [4] A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Va Ioffe Physicotechnical Institute, sil’ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, Russian Academy of Sciences, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg.

Electron. Lett., 38, 1104 (2002). 194021 St. Petersburg, Russia + [5] Ch. Ribbat, R.L. Sellin, I. Kaiander, F. Hopfer, N.N. Ledentsov, Institut fr Festkrperphysics, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 82, 952 (2003).

Technische Universitt Berlin, [6] D.G. Deppe, D.L. Huffaker, S. Csutak, Z. Zou, G. Park, D-10623 Berlin, Deutschland O.B. Shchekin. IEEE J. Quant. Electron., 35, 1238 (1999). = NL-Nanosemiconductor GmbH, [7] D. Bimberg, N.N. Ledentsov, J.A. Lott. MRS Bulletin, 27, 44227 Dortmund, Deutschland (2002).

[8] M. Yano, H. Imai, M. Tukusagawa. J. Appl. Phys., 52,

Abstract

Lasers based on InAs–InGaAs quantum dots grown on (1981).

metamorphic (In,Ga,Al)As layers deposited on GaAs substrates [9] H. Ishikawa, I. Suemune. IEEE Phot. Technol. Lett., 6, using molecular beam epitaxy demonstrated the emission wave(1994).

length near 1.5 µ and differential efficiency of about 50%. It is [10] D. Gollub, S. Moses, M. Fischer, A. Forchel. Electron Lett., shown that the narrow stripe lasers operate continuous wave (CW) 39, 777 (2003).

in a single transverse mode and withstand current densities above [11] S.R. Bank, M.A. Wistey, L.L. Goddard, H.B. Yuen, V. Lordi, 20 kA · cm-2 without significant degradation. CW output power J.S. Harris, Jr. IEEE J. Quant. Electron., 40, 656 (2004).

in excess of 220 mW is demonstrated. It has been shown that the [12] А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, lasers demonstrate no beam filamentation up to the highest current Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыdensities studied.

жановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37, 1143 (2003).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.