WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Для композитной системы „полупроводник, содерl+R0-R r l (39) жащий малые металлические частицы“, прежде всего Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1464 А.В. Коропов сформулирован критерий взаимного перекрытия исто- Автор благодарен В.В. Слезову, С.Б. Руткевичу, щенных слоев (неравенства (17), (18)). При выполнении В.В. Яновскому за обсуждение основных результатов этого критерия происходит взаимодействие заряженных работы и С.А. Кукушкину — за ее поддержку. Автор металлических частиц между собой. Частицы, следова- также очень признателен рецензенту статьи за ценные тельно, образуют ансамбль, который рассмотрен в под- критические замечания.

ходе, использующем разбиение пространства композита на области влияния отдельных частиц и макроскопиСписок литературы ческую эффективную среду. В этом подходе найдены распределение потенциала и электрического поля вокруг [1] С.А. Непийко. Физические свойства малых металлических выделенной частицы, а также плотность зарядов на частиц. Наукова думка, Киев (1985). 245 с.

поверхности частицы как в пренебрежении размер- [2] Э.Л. Нагаев. УФН 162, 9, 49 (1992).

ными эффектами (формулы (26)–(29)), так и с уче- [3] В.Д. Борман, С.Ч. Лай, М.А. Пушкин, В.Н. Тронин, В.И. Троян. Письма в ЖЭТФ 76, 7, 520 (2002).

том последних, однако при достаточно малой величине [4] В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводобъемной доли металлической фазы (формулы (39), ников. Наука, М. (1990). 688 с.

(40), (42) и сопроводительный текст). Учитываемые [5] Э.Л. Нагаев. ФТТ 25, 5, 1439 (1983).

размерные эффекты связаны с зависимостью энергии [6] Л.К. Григорьева, Н.С. Лидоренко, Э.Л. Нагаев, С.П. Чижик.

Ферми металла µm от R, а также большой величиной Письма в ЖЭТФ 43, 6, 290 (1986).

кулоновской энергии Ec для частиц малых размеров.

[7] Л.К. Григорьева, Н.С. Лидоренко, Э.Л. Нагаев, С.П. Чижик.

Эти эффекты приводят к дополнительному заряду на ЖЭТФ 91, 3(9), 1050 (1986).

поверхности частицы, связанному с перераспределе[8] П.Г. Борзяк, С.А. Горбань, Л.К. Григорьева, Э.Л. Нагаев, нием зарядов между малыми металлическими частицами С.А. Непийко, С.П. Чижик. ЖЭТФ 97, 2, 623 (1990).

(формулы (42), (43)). [9] Э.М. Баскин, М.В. Энтин. Письма в ЖЭТФ 70, 8, (1999).

Отметим, что в приближении Шоттки в рассмотрен[10] В.В. Слезов. ФТТ 31, 8, 20 (1989).

ной композитной системе отсутствует обычная экрани[11] А.В. Коропов, П.Н. Остапчук, В.В. Слезов. ФТТ 33, 10, ровка потенциала свободными носителями заряда на де2835 (1991); Препринт ХФТИ № 90-50. Харьков (1990).

баевской длине lD, поскольку все носители вытянуты из 19 с.; Препринт ХФТИ № 91-16. Харьков (1991). 22 с.

полупроводника металлическими частицами. Имеются, [12] В.И. Перекрестов, А.В. Коропов, С.Н. Кравченко. ФТТ 44, следовательно, „макроскопическая“ экранировка самими 6, 1131 (2002).

металлическими частицами и экранировка неподвиж[13] А.В. Коропов, С.А. Кукушкин, Д.А. Григорьев. ЖТФ 69, 7, ными заряженными примесями, остающимися в полу53 (1999).

проводнике после ухода носителей на металлические [14] Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных частицы. Отметим также, что при выполнении условия сред. Наука, М. (1982). С. 60.

[15] W. Schottky. Zs. fr Physik 118, 9–10, 539 (1942).

перекрытия истощенных слоев вокруг отдельных частиц [16] Е.В. Бузанева. Микроструктуры интегральной электрони(неравенства (17), (18)) проводимость рассмотренной ки. Радио и связь, М. (1990). 304 с.

системы в достаточно слабых электрических полях [17] Д.А. Закгейм, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич. Письма в должна резко уменьшиться по сравнению с проводимоЖЭТФ 70, 2, 100 (1999).

стью полупроводника без включений.

В дырочном полупроводнике истощенный слой вокруг металлической частицы образуется при 0 < 0. Его толщина в приближении Шоттки для одиночной частицы радиуса R Lp и невырожденного полупроводника равна 1/3|0| Lp = R, (44) 4e2 pгде p0 — плотность носителей (дырок) в полупроводнике. В случае N e2 e >, > p0V (45) p0 R|0| R|0| истощенные области перекрывают весь объем полупроводника. Электрическое поле вокруг частицы определяется выражениями, отличающимися от полученных выше лишь заменой n0 на p0, L на Lp, на -, E на -E.

Плотность поверхностных зарядов p получается путем замены n0 на p0, L на Lp, на -p.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.