WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

локализованных состояний NC В случае кристаллических тел с резким краем заN = g(C/U) f (C)dC, (19) прещенной зоны мы должны считать энергии элек- тронов (c) и дырок (V ), входящие в формулы (13), положительными величинами. Если рассматриваются ра- где NC — плотность состояний, определяемая созупорядоченные структуры, то для локальных уровней в гласно (14). Обсудим приближенное вычисление этого Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN... max, эВ max, мэВ µC, эВ µV, эВ N, см-Теория Эксперимент Теория Эксперимент 0.130 -0.169 1.09 · 1013 2.84 2.85 110 0.047 -0.220 0.67 · 1013 2.78 2.77 50 -0.016 -0.265 0.43 · 1013 2.73 2.70 0 интеграла. Подынтегральное выражение в (19) имеет Список литературы максимум при некотором значении переменной интегри[1] N.A. Shapiro, P. Perlin, C. Kisieloowski, L.S. Mattos, J.W. Yang, рования, а именно E.R. Weber. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 5, (2000).

U C max = µC. (20) [2] M.A. Jacobson, D.K. Nelson, N. Grandjean, J. Massies, P. BiU + genwald, A. Kavokin. Phys. Status Silidi C, 0 (1), 487 (2002).

[3] K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, Когда переменная интегрирования меньше чем точка H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, максимума, то подынтегральное выражение можно счиN. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, тать равным g(C), а когда больше, то равным f (C).

A. Koukito, H. Seki. Jap. J. Appl. Phys., 40, L140 (2001).

Итак, получаем приближенное значение для интегра[4] Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., ла (19):

Мир, 1973).

[5] А.С. Давыдов. Квантовая механика (М., Наука, 1973).

U + µC [6] Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процесссы в некристалN = NC ln 1 + exp. (21) U + лических веществах (М., Мир, 1974).

[7] R.J. Radtke, U. Waghmare, H. Ehrenreich, G.H. Grein. Appl.

Эта формула может быть применена как для электро- Phys. Lett., 73 (15), 2087 (1998).

нов, так и для дырок (с заменой NC на NV ). Хи- [8] O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tiмический потенциал электронов является величиной, lak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Condens. Matter, 14, которую варьируют с целью достижения наилучшего (2002).

согласия теоретического спектра с экспериментальным.

При этом формула (21) применяется для определения Редактор Л.В. Шаронова химического потенциала дырок, который оказывается для всех кривых отрицательным. Максимум спектра The tail of lockalized states at the спонтанного излучения близок к максимуму (20) подынforbidden band of quantum well in GaN тегральной функции (19), хотя он сдвинут влево за счет and its effect on the photoluminescence влияния дырок. Рост спектральной функции и сдвиг ее spectrum at the laser excitation максимума почти целиком обусловлены изменениями электронной функции распределения при росте элекM.A. Jacobson, D.K. Nelson, O.V. Konstantinov, тронного химического потенциала. Для иллюстрации в A.V. Matveentsev таблице приведены значения химических потенциалов Ioffe Physicotechnical Institute, электронов µC, дырок µV и концентрации носителей N в зонах, а также положения максимумов в спектре max Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia и величин БСС max, соответствующие теоретическим кривым на рис. 3, при значениях подгоночных парамет

Abstract

A tail of localized states in the band gap of a ров EG = 2.78 эВ, U = 0.064 эВ, = 0.034 эВ. ИспользоIn0.2Ga0.8N/GaN quantum well and its effect on the photolumiвались значения эффективных масс электронов и дырок nescence spectra under laser excitation.

mC = 0.17m0, mV = 1.64m0 [7].

Обсудим теперь условие равенства концентраций электронов и дырок, о котором упоминалось выше. Дело в том, что материал квантовой ямы — пироэлектрический [8]. Условие квазинейтральности должно включать также и пироэлектрические заряды, поверхностная плотность которых вполне может быть 1013 см-2. Однако в случае узких ям, шириной до 40, поверхностная концентрация пироэлектрических зарядов очень сильно уменьшается с уменьшением толщины, достигая величины 1010 см-2. Поэтому в случае узких ям пироэлектрические заряды можно не учитывать [8].

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.