WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Эффективная толщина слоя InAs (3МС), а также другие основные ростовые параметры, за исключением температуры подложки, были такими же, как и в образцах первого типа. Фотолюминесцентные измерения показали (рис. 5), что, действительно, в случае сингулярной поверхности GaAs в спектре ФЛ (спектр 2) пик от Рис. 7. ПЭМ-изображение высокого разрешения поперечного отдельно стоящих квантовых точек пропадает полносечения вицинального образца. Светлые области — обогащенстью, а пик от AQDs становится менее интенсивным.

ные In, темные — матрица GaAs.

С другой стороны, спектр ФЛ вицинального образца (спектр 1) содержит интенсивную линию в диапазоне 1.6 мкм, а также пик на длине волны 1.1 мкм от отдельно разрешения поперечного сечения вицинального образца стоящих островков. Для вицинального образца нами (рис. 7) позволяет сделать заключение о том, что высобыло получено ПЭМ-изображение поверхности (рис. 6).

та островков InAs составляет 3.3 нм. Можно заметить Из анализа рис. 6 следует, что на поверхности GaAs образуются кластеры (отмечены стрелками), состоящие (рис. 6), что кластеры InAs, как правило, состоят из из островков InAs. Характерные латеральные размеры 3-5 рядов островков InAs, причем количество островостровков InAs, входящих в кластеры, составляют 7.2 нм, ков в каждом ряду, так же как и размеры кластеров, в то время как размеры самих кластеров изменяются в варьируются в широких пределах. Ряды квантовых точек широких пределах. Анализ ПЭМ-изображения высокого InAs ориентированы в направлении, перпендикулярном 4 Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1460 А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Талалаев, Б.В. Новиков, В.А. Егоров...

направлению разориентации поверхности, т. е. в направ- [9] M. Sopanen, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (8), (2000).

лении [011]. Данное ПЭМ-изображение свидетельствует [10] L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, о наличии латерально-связанных квантовых точек InAs, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. In: Proc. Int.

наличие которых в структуре отвечает за возникновение Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3–1.5 µm длинноволнового пика в спектрах ФЛ.

Wavelength Range (2003) p. 49.

[11] M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Bert, 4. Заключение V.M. Ustinov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., Таким образом, мы показали, что получение полосы (16), 2347 (1999).

1.5-1.6 мкм в спектрах ФЛ In(Ga)As / GaAs возможно [12] А.Е. Жуков, Б.В. Воловик, С.С. Михрин, Н.А. Маленесколькими путями. Наиболее совершенные структуры ев, А.Ф. Цацульников, Е.В. Никитина, И.Н. Каяндер, получаются при осаждении чистого InAs на поверхноВ.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (17), сти GaAs, однако при соответствующей оптимизации (2001).

ростовых условий осаждение твердого раствора InGaAs [13] А.А. Тонких, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Г.Э. Цырлин, приводит к подобному результату. Также показано, что Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (10), 72 (2002).

в исследуемых структурах образуются конгломераты [14] M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bhrer, островков InAs (латерально-связанные квантовые точD. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gsele, ки). Установлено, что для оптимизированных структур J. Heydenreich, Y.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, в спектрах ФЛ при комнатной температуре доминирует P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995).

пик с длиной волны излучения 1.6 мкм. Присутствие [15] I. Hapke-Wurst, U. Zeitler, H.W. Schumacher, R.J. Haug, ступеней на вицинальной поверхности GaAs стимулиK. Pierz, F.J. Ahlers. Semicond. Sci. Technol., 14, L41 (1999).

рует образование конгломератов квантовых точек при [16] Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щутемпературах подложки менее 300C. кин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Ж.Е. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Данная работа была частично поддержана МинистерД. Бимберг. ФТП, 37 (7), 120 (2003).

ством промышленности, науки и технологии Российской Редактор Л.В. Шаронова Федерации.

Г.Э. Цырлин выражает признательность Alexander von Room temperature photoluminescence Humboldt Foundation.

in the 1.5-1.6 µm region from InGaAs / GaAs nanoheterostructures Список литературы grown at low substrate temperature A.A. Tonkikh+, G.E. Cirlin+, V.G. Talalaev†, [1] N.M. Margalit, Sh.Z. Zhang, J.E. Bowers. IEEE Topics in B.V. Novikov†, V.A. Egorov+, N.K. Polyakov+, Lightwave, 5, 164 (1997).

[2] Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, Yu.B. Samsonenko+, V.M. Ustinov+, N.D. Zakharov‡, В.М. Устинов, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, P. Werner‡ Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, + Ioffe Physicotechnical Institute, Д. Бимберг. ФТП, 33 (5), 629 (1999).

Russian Academy of Sciences, [3] Y.F. Li, X.L. Ye, B. Xu, F.Q. Liu, D. Ding, W.H. Jiang, 194021 St. Petersburg, Russia Z.Z. Sun, Y.C. Zhang, H.Y. Liu, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 218, 451 (2000). Institute for Analitical Instrumentation, [4] J.C. Harmand, G. Ungaro, J. Ramos, E.V.K. Rao, Saint-Girons, Russian Academy of Sciences, R. Teissier, Le Roux, L. Largeau, G. Patriarche. J. Cryst.

190103 St. Petersburg, Russia Growth, 227–228, 553 (2001). † Institute of Physics, [5] H. Shen, J. Pamulapati, M. Taysing, M.C. Wood, R.T. Lareau, Saint-Petersburg State University, M.H. Ervin, J.D. Mackenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, 198504 St.Petersburg, Russia F. Ren, J.M. Zavada. Sol. St. Electron., 43, 1231 (1999).

‡ Max Planck Institute of Microstructure Physics, [6] С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, Halle Weinberg 2, D-06120 Halle, Germany А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Мак-

Abstract

In(Ga)As / GaAs quantum dot and quantum well симов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, heterostructures grown at low substrate temperatures are studied Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002).

by the reflection high-energy electron diffraction, transmission [7] В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамуelectron microscopy and photoluminescence methods. It is shown тин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, that two-dimensional clusters formed by the conglomerates of В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29 (10), 77 (2003).

nanoislands appear when InAs is deposited on GaAs (100) surface [8] В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, at low temperature. The structures containing such conglomerates А.Г. Гладышев, В.В. Мамутин, А.Ф. Цацульников, show luminescence within the 1.5-1.6 µm wavelengths range.

В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (22), 82 (2002).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.