WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ee ee 1 = -(g)G01 2 = -g(T)G02. Остается вопрос — почему во многих образцах (см. таблицу) экспериментально определенное значение Первый, известный как поправка Маки–Томпсона, имеет префактора близко к 1 или даже меньше 1 ту же полевую зависимость, что и выражение (1), при Возможной причиной уменьшения префактора в реэтом функция (g) всегда положительна, не зависит от альных образцах могут быть макроскопические неоднознака константы e-e-взаимодействия g(T ), а зависит лишь родности проводимости. Вклад таких неоднородностей в от ее модуля. Второй имеет несколько другую полевую эффект ОМС можно оценить, используя теорию гальваи температурную зависимость (функция 2 приведена в номагнитных явлений в двухкомпонентных средах [20], работе [19]). Константа g(T ) может быть положительной задавая зависимость i(B) в каждой из компонент выили отрицательной при эффективном отталкивании или ражением (1) и варьируя их относительный объём и i притяжении между электронами соответственно. Для значения ni, µi,. Обрабатывая рассчитанное таким того чтобы оценить насколько e-e-взаимодействие может образом ОМС двухкомпонентной среды согласно (1) изменить префактор, мы рассчитали суммарное ОМС с подгоночными параметрами и, легко увидеть, при различных значениях g(1.5K) с параметрами D,, что всякая неоднородность только уменьшает значение p, соответствующими исследованным образцам. Описы- префактора.

вая его выражением (1), так же как мы поступаем с Свидетельством наличия таких неоднородностей в исэкспериментальной зависимостью (B), и используя следованных образцах является большая величина замопри этом величины и в качестве подгоночных роженной фотопроводимости. Из результатов исследовапараметров, можно убедиться, что согласие и в этом ний осцилляций Шубникова–де-Гааза следует, что при 4 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1460 Г.М. Миньков, С.А. Негашев, О.Э. Рут, А.В. Германенко, В.В. Валяев, В.Л. Гуртовой освещении не происходит заметного перераспределения [14] W. Knap, C. Skierbiszewski, A. Zduniak, E. Litwin–Staszewska, D. Bertho, F. Kobbi, J.L. Robert, G.E. Pikus, электронов между подзонами и засветка лишь немного F.G. Pikus, S.V. Iordanskii, V. Mosser, K. Zekentes, (на 10 15%) увеличивает концентрацию носителей, но Yu.B. Lyanda-Geller. Phys. Rev. B, 53, 3912 (1996).

значительно (в 1.5-2 раза) — их подвижность. На наш [15] T. Hassenkam, S. Pedersen, K. Baklanov, A. Kristensen, взгляд, такое поведение можно понять лишь предполоC.B. Sorensen, P.E. Lindelof, F.G. Pikus, G.E. Pikus. Phys.

жив наличие в образце значительных неоднородностей, Rev. B, 55, 9298 (1997).

которые экранируются фотоносителями. Косвенным сви[16] А.Я. Шик. ФТП, 26, 1161 (1992).

детельством того, что именно неоднородности приводят [17] B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitsky. J. Phys. C: Sol.

к уменьшению величины префактора в исследованных St. Phys., 15, 7367 (1982).

образцах, является рост после засветки, под действием [18] А.И. Ларкин. Письма ЖЭТФ, 31, 239 (1980).

которой, как мы считаем, роль макроскопических неод- [19] Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.Л. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81, 768 (1981).

нородностей уменьшается.

[20] Б.Я. Балагуров. ЖЭТФ, 82, 1333 (1982).

Таким образом, приведенные результаты показывают, что в -легированных слоях времена переходов между Редактор Т.А. Полянская подзонами размерного квантования с различной четностью больше 10-11 с, т. е. больше времени релаксации Weak localization and intersubband фазы волновой функции при низких температурах. (К transitions in -doped GaAs сожалению, нам не удалось найти в литературе правильG.M. Minkov, S.A. Negashev, O.E. Rut, но рассчитанные времена i, j с учетом флуктуаций в A.V. Germanenko, V.V. Valyaev, V.L. Gurtovol распределении примесей как в направлении поперек, так и в плоскости легирования). Эта особенность приводит Ural University, к тому, что для хороших -легированных слоев величина 620083 Ekaterinburg, Russia префактора в выражении для ОМС становится близ- Institute of Microelectronics Technology, кой к 2. Малое значение, наблюдаемое во многих Russian Academy of Sciences, -легированных слоях, может быть связано с макроско142432 Chernogolovka, Russia пическими неоднородностями, большой толщиной легированного слоя и асимметрией потенциала, связанной с

Abstract

Experimental results on the negative magnetoresistance близостью барьера Шоттки.

in -doped GaAs are presented. It has been shown that in more perfect structures the value of a prefactor in the expression Работа поддержана грантами РФФИ (№ 97-02-16168) for the negative magnetoresistance is significantly larger than the и программы ”Физика твердотельных наноструктур”.

theoretical value for 2D film with a single subband. The role of a large number of subband structures and intersubband transitions are discussed. It is shown that symmetry of the wave functions and Список литературы scattering potential may lead to the fact that the interband transition time for subbands with different parities (i, j) is larger than phase[1] E. Abrahams, P.W. Anderson, D.C. Licciardello, T.V. Ramakr- breaking time (). Such a relation between i, j and should ishnan. Phys. Rev. Lett., 42, 673 (1979). result in significant increasing of the prefactor.

[2] B.L. Altshuler, D. Khmelnitskii, A.I. Larkin, P.A. Lee. Phys.

Fax: (3432) 615 Rev. B, 22, 5142 (1980).

E-mail: grigori.minkov@usu.ru [3] S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Progt. Theor. Phys., 63, 707 (1980).

[4] S. Iwabuchi, Y. Nagaoka. J. Phys. Soc. Japan., 58, 1325 (1988).

[5] Н.С. Аверкиев, Г.Е. Пикус. ФТТ, 39, 1659 (1997).

[6] А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев.

ФТП, 31, 459 (1997).

[7] P.T. Coleridge. Semicond. Sci. Technol., 5, 961 (1990).

[8] Г.М. Гусев, З.Д. Квон, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, В.Н. Овсюк, В.В. Преображенский, С.И. Стенин. ФТТ, 30, 3148 (1988).

[9] M. Asche, K.J. Fridland, P. Kleinert, H. Kostial, J. Gerzog, R.Hey. Superlat. Microstr., 10, 425 (1990).

[10] Г.М. Гусев, З.Д. Квон, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, А.Г. Погосов. ФТП, 25, 601 (1991).

[11] М.В. Буданцев, З.Д. Квон, А.Г. Погосов. ФТП, 26, (1992).

[12] V.A. Kulbachinskii, N.B. Brandt, V.G. Kytin, V.I. Kadushkin, A.P. Senichkin, E.L. Shangina. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 237 (1995).

[13] W. Poirier, D. Mailly, M. Sanquer. cond-mat/9706287.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.