WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Спин-волновые резонансы в неоднородной двухслойной феррит-гранатовой пленке © Н.К. Даньшин, В.С. Деллалов, А.И. Линник, В.Ф. Шкарь Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина E-mail: danshin@host.dipt.donetsk.ua (Поступила в Редакцию 18 сентября 1998 г.

В окончательной редакции 1 февраля 1999 г.) Исследовались магнитные резонансы в двухслойных Bi-замещенных феррит-гранатовых пленках, в которых один слой имеет анизотропию типа ”легкая ось”, а другой — ”легкая плоскость”. Изучено поведение резонансов в зависимости от толщины пленки, температуры и отжига. Экспериментально показано, что линии резонансного поглощения, наблюдаемые в такой неоднородной структуре, в случае когда внешнее магнитное поле перпендикулярно плоскости пленки, соответствуют ферромагнитным (ФМР) и спин-волновым резонансам (СВР). Причем серия СВР возбуждается в наиболее неоднородной части пленки. Предложена качественная модель, объясняющая совокупность экспериментальных данных и позволяющая получить из эксперимента профиль поля эффективной магнитной анизотропии по толщине пленки.

Исследования ФМР-спектров в слоистых пленочных Измерения производились на отражательном радиоферрит-гранатовых структурах позволяют получать важ- спектрометре прямого усиления с модуляцией магнитную информацию о возбуждении, распространении и ного поля. При этом в опытах записывалась производная взаимодействии различного рода магнитных колебаний.

от мнимой части магнитной восприимчивости по магнитЭтому был посвящен ряд работ [1–5], в которых, на- ному полю. Измерительной ячейкой служила полоскопример, показано, что помимо однородного ФМР в вая линия, на которую своей плоскостью наклеивались магнитных, в частности двухслойных пленках можно образцы в виде дисков диаметром 6 mm.

наблюдать и неоднородный СВР или своеобразный реНа рис. 1, a показаны записи линий поглощения, связонанс, названный ФМР-дублетом [4]. Интерпретация занного с магнитным колебаниями в такой структуре результатов в [1,2] облегчалась тем обстоятельством, что для нормально намагниченной пленки, выполненные при соответствующие пленки были или считались близкими температуре 295 K. Здесь и далее под линией поглок модельным. Имелось в виду, что в таких структурах щения на самом деле подразумевается производная от два однородных по магнитным свойствам слоя пленки с мнимой части магнитной восприимчивости по магнитсущественно различными параметрами разделены отноному полю. Цифры в конце каждой записи обозначасительно тонким пограничным слоем с резким скачком ют суммарную толщину всех магнитных слоев в µm.

этих параметров. Однако однородность и параметры Колебание под номером 1 соответствует однородному слоев, граница раздела зависят от состава материала и ФМР в первом слое, под номером 6 — во втором условий роста пленки. Поэтому интересной задачей, на слое, линии 2, 3, 4, 5 обычно отождествляют с СВР в наш взгляд, является установление определенной связи первом слое. Изучению такого рода спектров посвящена между спектрами ФМР, СВР и величиной, характером работа [2]. В ней, в частности показано, что возбуждение неоднородности материала по толщине. С этой целью быСВР между двумя линиями однородного ФМР от разло предложено исследование материалов, представленных слоев пленки объясняется явлением скин-эффекта ных в работе [3], при другой геометрии эксперимента, (аналогично плоскости поворота спиновой волны [8]) частоте, температуре и т. д.

на границе раздела. А это означает, что если удалить В качестве объекта исследования была выбрана двухвторой слой (например, методом последовательного траслойная пленка, выращенная методом жидкофазной эпивления), то исчезнет закрепление спинов на границе таксии по двутигельной технологии [6] на подложке раздела, которое в рамках такого объяснения является галлий-гадолиниевого граната с ориентацией нормали к плоскости подложки по оси (111). При этом Параметры слоев пленки первым на подложку был нанесен слой с составом (YGdLa)3(FeGa)5O12 итолщиной0.1 µm, который харак №слоя 4M A, 10-7 erg/cm ·10-7 Oe·s H, Oe H0, Oe теризовался плоскостью легкого намагничивания. Второй слой, выращенный поверх первого, имел состав 1 400 2.6 1.69 10 -2 171 2.6 1.5 20 (YBiLu)3(FeGa)5O12 и характеризовался осью легкого намагничивания (нормальной к плоскости пленки). Его Примечание. 4M — намагниченность насыщения; A —константа толщина (вместе с неоднородным пограничным слоем) обменного взаимодействия; — гиромагнитное отношение; H — составляет около 2.0 µm. Остальные параметры слоев, ширина линии ФМР; H0 = 2K/M - 4M — поля эффективной определенные стандартными методами [7], приведены в анизотропии однородных слоев исходной пленки (K — константа одноосной анизотропии).

таблице.

Спин-волновые резонансы в неоднородной двухслойной феррит-гранатовой пленке Серия пиков поглощения, появившихся в отожженном образце возле линии 6 со стороны меньшего поля, связана, по-видимому, с тем, что в поверхностном слое (в результате непосредственного контакта с воздухом при отжиге) эффективная анизотропия стала больше, чем таковая во внутренних слоях. Это могло привести к закреплению спинов в этом слое и к возбуждению серии новых СВР в однородной части второго слоя. Как видно из рис. 3, a, при стравливании этого приповерхностного слоя исчезает и указанная серия резонансов.

Таким образом, можно считать установленным, что линии 2, 3, 4, 5 — это СВР, а не ФМР от разных слоев многослойной структуры. Однако их необычное поведение при травлении образца — последовательное исчезновение с уменьшением толщины пленки — позволяет предположить, что между практически однородными первым и вторым слоями исходной пленки существует неоднородная область, куда может проникать спиновая волна. Смоделируем физическую картину возникновения серии СВР для такого случая. Для этого воспользуемся Рис. 1. Линия резонансного поглощения в исходном образце при стравливании второго слоя пленки до толщины, указанной выражением для резонансного поля СВР с номером n [5] возле каждой записи (в µm), в магнитном поле, перпендику лярном (a) и параллельном (b) плоскости пленки на частоте Hn = /1 - H0 - 2A(n/h)2/M, (1) = 4.07 GHz при температуре T = 295 K. Обозначения где 1 — гиромагнитное отношение для слоя 1, линий поглощения: 1 —ФМР в 1-м слое; 2, 3, 4, 5 —СВР с n = 1, 2, 3, 4; 6 — ФМР от однородной части 2-го слоя. = 2 — круговая частота колебаний вектора намагниченности M, h — толщина слоя, в котором разреша ется серия СВР, H0 — поле эффективной анизотропии слоя 1. Как известно [1], двухслойной пленке серия необходимым условием возбуждения СВР. Причем при СВР может возбуждаться в слое 1 или 2 в зависимости полном стравливании второго слоя все моды СВР перот направления внешнего магнитного поля. Причем пового слоя должны исчезнуть одновременно [1]. Именно ложении серии линий СВР по полю всегда ограничено это фундаментальное свойство СВР не обнаружено в полем однородного ФМР соседнего слоя, в котором наших экспериментах на указанных выше пленочных структурах. Как видно из рис. 1, a, по мере стравливания второго слоя линии 6, 5, 4, 3, 2 исчезают поочередно. Это означает, что обнаруженный спектр колебаний не может быть объяснен на основе представлений о закреплении спинов на резко выраженной границе раздела пленок.

Чтобы убедиться, что мы действительно имеем дело с СВР, а не с однородными ФМР от отдельных слоев многослойной структуры (а Bi-содержащие пленки действительно могут быть многослойными, если не принять специальных мер при их выращивании [7]), образец был подвергнут высокотемпературному отжигу в течение 10 часов при температуре 1320 K. Известно, что такая обработка приводит к изменению параметров материала пленки, в том числе и к уменьшению наведенной в процессе роста одноосной магнитной анизотропии [7].

Проведенный отжиг в самом деле уменьшил эффективную одноосную анизотропию пленки. При этом, как и следовало ожидать [7], линии 6 и 1 (рис. 2, a, b) однородного ФМР в каждом слое сместились в область высоких Рис. 2. Записи линий резонансного поглощения в магнитном полей. В то же время линии 2, 3, 4 и 5 сместились в поле, перпендикулярном плоскости пленки, для исходного (a), область низких полей. Причем резонансное поле линии отожженного (b) и исходного при температуре 305 K (c) стало меньше, чем резонансное поле линии 6 (ФМР образцов на частоте = 4.99 GHz. Обозначения линий второго слоя), поэтому, в соответствии с [2], данная мода поглощения: 1 —ФМРв1-мслое; 2, 3, 4, 5 —СВРс n = 1, 2, 3;

СВР не возбуждается. 6 — ФМР от однородной части 2-го слоя.

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 1454 Н.К. Даньшин, В.С. Деллалов, А.И. Линник, В.Ф. Шкарь поле эффективной анизотропии плавно уменьшается по мере утончения этого слоя.

Предположим, что положение линий поглощения 1, 2, 3, 4, 5 описывается выражением (1) для серии колебаний с номерами n = 0, 1, 2, 3, 4. Причем мода n = 0 соответствует возбуждению, близкому к однородному ФМР. Тогда остальные линии поглощения можно связать с неоднородными колебаниями, которые возникают в результате отражения спиновой волны от плоскости поворота (где k = 0). Эта плоскость поворота, совпадая поначалу с границей раздела между первым и вторым слоями, с уменьшением внешнего магнитного поля углубляется в переходную область второго слоя. Как только плоскость поворота достигнет толщины, на которой может уложиться мода с n = 1, возникает первый пик СВР, а при дальнейшем проникновении спиновой волны в переходную область будут проявляться моды СВР со все более высокими номерами, пока эта область не закончится. Если за переходной областью существует однородная часть пленки, то в ней наблюдается однородный ФМР. Как известно, для однородного ФМР волновой вектор k также равен нулю. Следовательно, резонансные поля, в которых наблюдаются соответствующие линии СВР, по своей величине равны полям HFMR однородного ФМР в n плоскости поворота. Таким образом, Hn = HFMR, причем n HFMR = /2 - Hn, где 2 — гиромагнитное отношение для слоя 2, Hn — поле эффективной анизотропии пленки в плоскости поворота спиновой волны для n-й моды СВР. Заметим, что указанная плоскость поворота спиновой волны в переходном слое лишь по своему Рис. 3. Линии резонансного поглощения в отожженном образце при стравливании второго слоя пленки до толщины, функциональному признаку соответствует классической указанной возле каждой записи (в µm), в магнитном поле, плоскости закрепления спинов, например, на резкой перпендикулярном (a) и параллельном (b) плоскости пленки границе двух однородных пленок. На самом же деле на частоте = 4.99 GHz при температуре T = 295 K. Обознаона носит виртуальный характер, а соответствующая чение линий поглощения: 1 —ФМР в 1-м слое; 2, 3, 4 —СВР ей и меняющаяся с полем толщина h является не чем с n = 1, 2, 3; 6 — ФМР от однородной части 2-го слоя.

иным, как подгоночным параметром, удовлетворяющим выражению (1).

Таким образом, по величине поля СВР можно рассчитать толщину, удовлетворяющую возбуждению соотспиновая волна не распространяется — затухает на ветствующей спин-волновой моды, а по значению поля глубине скин-слоя, что формально соответствует случаю однородного ФМР (которое, как видим, в точности равно k2 < 0 (где k —волновой вектор). Если бы пленки по значению поля СВР этой моды) определить поле эфтолщине были однородны и имели резко выраженную фективной анизотропии пленки [8] на заданной толщине.

границу раздела слоев, то, во-первых, наблюдаемая в Это позволяет построить зависимость поля анизотропии эксперименте серия СВР описывалась приведенным выпленки от толщины. При этом следует иметь ввиду, что ражением (1) для Hn, т. е. выполнялся бы квадратичный расчет по формуле (1) должен проводиться с учетом закон (1). Во-вторых, при последовательном травлении изменения параметров пленки, когда спиновая волна сохранялась бы вся серия линий СВР до тех пор, пока начинает углубляться в неоднородный слой. На рис. не исчезнет граница раздела между указанными слоями.

приведены зависимости полей анизотропии для исходВ нашем случае ни первое, ни второе не наблюдается.

ного и отожженного образцов, а также дополнительно Кроме того, резонансные поля однородного ФМР во нанесены толщины пленок, при которых исчезают совтором слое при ориентации внешнего поля в плоскости ответствующие моды СВР (в процессе послойного трапленки начинают уменьшаться по мере его стравливания вления). Видно, что точки, соответствующие расчетному (рис. 1, b). Особенно резкое уменьшение резонансного значению H и толщине исчезновения соответствующих поля происходит, начиная с толщины 0.6 µmи вплоть мод СВР, достаточно хорошо ложатся на общие кривые.

до 0.1 µm. Это означает, что второй слой содержит На этом же рисунке в качестве аргумента, подтверпереходную область толщиной около 0.5 µm, в которой ждающего правильность принятой модели, представлена Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. Спин-волновые резонансы в неоднородной двухслойной феррит-гранатовой пленке также некоторой переходной области, где эффективная анизотропия монотонно меняется. Внешним признаком того, что СВР имеет классическую природу, является выполнение квадратичного закона дисперсии (1) в расположении пиков поглощения СВР по полю. При этом подразумевается, что наблюдаемый СВР обусловлен интерференцией спиновых волн в однородной по анизотропии пленке при закреплении спинов на ее резко выраженных границах. В общем же случае, при наличии неоднородного переходного слоя, анизотропия которого меняется по произвольному закону (который может зависеть от состава и технологии приготовления пленки), нет оснований ожидать выполнения формулы (1). И всякий раз, когда обнаруживается невыполнение этого Рис. 4. Зависимость поля эффективной анизотропии, измезакона, следует искать альтернативное объяснение опытренной при T = 295 K, от толщины для исходного (1), ных данных, одно из которых и представлено в данной отожженного (2) и исходного, нагретого до T = 305 K (3), работе. Основное утверждение сводится к тому, что образцов; 4, 5 — точки исчезновения пиков СВР при травлении условия для возбуждения СВР могут реализоваться не соответственно отожженного и исходного образцов.

только в однородной, но также и в неоднородной части пленочной структуры. Глубина проникновения спиновой волны в неоднородную область пленки (положение плосзависимость анизотропии от толщины в исходной (не кости поворота волны) зависит от внешнего магнитного отожженной) пленке, нагретой до 305 K. Она рассчитана поля — с уменьшением поля глубина проникновения по записям поглощения, представленным на рис. 2, c. Как волны увеличивается.

известно [7], константа одноосной анизотропии пленки довольно быстро уменьшается с повышением темпера- Работа поддержана Фондом фундаментальных исслетуры, поэтому неудивительно именно такое изменение дований Миннауки Украины.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.