WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

relaxation stages of the space charge at the channel boundary after reverse–bias switching are estimated. The channel current relaxation mechanism proposed can explain a large HF channel Список литературы conduction observed and the formation of capacitance relaxation spectra, similar to those associated traditionally with charge [1] В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляexchange of deep centers. The nature of surface donor centers ев. ФТП, 7, 1314 (1973).

responsible for formation of conducting layer at Si–SiO2 interface [2] А.Я. Винников, А.М. Мешков, В.Н. Савушкин. ФТТ, 22, near 90 K is discussed.

2989 (1980).

[3] D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974).

[4] G.L. Miller, D.V. Lang, L.C. Kimerling. Annual Review Material Science, (1977).

[5] M.C. Chen, D.V. Lang, W.C. Dautremont-Smith, A.M. Sergent, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 44, 790 (1984).

[6] W.L. Brown. Phys. Rev., 91, 518 (1953).

[7] Я.А. Фетодов. Основы физики полупроводниковых приборов. (М., Сов. радио. 1970).

[8] Н.И. Бочкарева. ФТП, 25, 537 (1991).

[9] Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 82 (1998).

[10] H.A. Blackstead, J.D. Dow. J. Supercond., 9, 563 (1996).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.