WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ожидать соответствующего уменьшения интенсивности [5] M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9 (4), ФЛ, что и наблюдается в эксперименте.

1279 (1994).

Данное предположение также подтверждается харак[6] А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А. Гусейнов, А.Н. Именков, тером поведения длинноволновой полосы Bn в завиА.М. Литвак, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма симости от состава твердого раствора в спектрах ФЛ ЖТФ, 14, 377 (1988).

для слоев n-GaInAsSb, легированных Te. В процес[7] М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев.

се компенсации полупроводника p-типа проводимости Письма ЖТФ, 23 (4), 55 (1997).

с многозарядными акцепторными центрами донорной [8] E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrac, T. Simecek, N.S. Bresler, примесью происходит заполнение мелких акцепторных V.N. Cheban, O.B. Gusev, A.N. Titkov. J. Appl. Phys., 75 (8), 4189 (1994).

уровней электронами с донорных уровней, что приводит [9] Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моик возможности рекомбинационных переходов на более сеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34 (3), 194 (2000).

глубокие акцепторные состояния [18]. Поэтому полоса [10] M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev.

Bn может быть приписана излучательному рекомбинациSol. St. Elecrton., 40 (8), 673 (1996).

онному переходу электронов из зоны проводимости на [11] H. Mani, A. Joullie, A.M. Joullie, B. Girault, C. Alibert.

глубокий акцептор с энергией активации EDA = 122 мэВ.

J. Appl. Phys., 61 (5), 2101 (1987).

Подобные глубокие акцепторы могут быть приписаны [12] A.K. Srivastava, J.L. Zyskind, R.M. Lum, B.V. Dutt, J.K. Klinпримесным комплексам VGaTe [19]. Аналогично случаю gert. Appl. Phys. Lett., 49, 41 (1986).

нелегированных слоев p-Ga1-xInxAsySb1-y уменьшение [13] D. Effer, P.J. Etter. J. Phys. Chem. Sol., 25, 451 (1964).

концентрации структурных дефектов VGa, соответствен- [14] А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Н.С. Зимогорова, Л.М. Канно и VGaTe, с увеличением содержания индия в твердом ская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 19 (9), 1676 (1985).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Фотолюминесценция твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (0.08 < x < 0.22), изопериодных с InAs [15] K.F. Longenbach, W.I. Wang. Appl. Phys. Lett., 59, (1991).

[16] M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada, N. Kitamura, J.

Appl. Phys., 68 (12), 6153 (1990).

[17] А.Н. Баранов, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24 (1), 98 (1990).

[18] А.И. Лебедев, И.А. Стрельникова. ФТП, 2, 389 (1978).

[19] А.С. Кюгерян, И.К. Лазарева, В.М. Стучебников, А.Э. Юнович. ФТП, 6 (2), 242 (1972).

Редактор Л.В. Шаронова Photoluminescence of Ga1-xInxAsySb1-y solid solutions (0.08 < x < 0.22) lattice-matched to InAs K.D. Moiseev, A.A. Toropov, Ya.V. Terent’ev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Photoluminescence for Ga1-xInxAsySb1-y epitaxial layers lattice-matched to InAs substrate in composition range 0.08 < x < 0.22 has been studied for the first time at the temperature T = 80 K. The band gap energy of quaternary solid solutions was experimentally extimated. The intensity of band-toband radiative recombination for undoped wide-gap p-GaInAsSb layers depends on the quaternary solid solution composition and is determined by the concentration of as-grown structure defects. Photoluminescence spectra for n-GaInAsSb Te-doped epilayers contain an additional emission band associated with the recombination transition through the deep acceptor level with the activation energy EDA = 122 meV ascribed to VGaTe structure complex.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.