WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии © А.А. Лебедев¶, А.М. Стрельчук, С.Ю. Давыдов, А.Е. Черенков, А.Н. Кузнецов, А.С. Трегубова, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, А.В. Садохин, С. Йонеда, Ш. Нишино Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Технологический институт Киото, Мацугасаки, 606-8585 Киото, Япония (Получена 18 апреля 2006 г. Принята к печати 28 апреля 2006 г.) Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спектра, которая близка по характеристикам к полосе, связанной с рекомбинацией свободного экситона в объемном образце 3C-SiC, но сдвинута в коротковолновую область на 0.06 эВ. Подобный эффект наблюдался ранее для треугольных квантовых ям в гетеропереходе n+-6H-SiC/ p-3C-SiC. Проведенный анализ экспериментальных результатов показал, что данную структуру можно рассматривать как два независимых гетероперехода. Наблюдавшийся спектр электролюминесценции может быть обусловлен излучательной рекомбинацией у гетерограницы n+-6H-SiC/n-3C-SiC.

PACS: 81.15.Hi, 85.30.Kk, 78.60.Fi, 73.40.Lq 1. Введение смещение находится в хорошем согласии с теоретическими оценками положения уровня основного состояния В последние годы усилился интерес к получению в треугольной QW на гетерогранице в 3C-области [7].

и исследованию гетероструктур на основе различных Цель настоящей работы — исследование свойств мнополитипов SiC [1–3], так как на контакте гексагональ- гослойной гетероструктуры n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, поного NH-SiC (N = 2, 4, 6...) и кубического 3C-SiC по- лученной методом СЭВ на коммерческой подложке литипов возможно получение двумерного электронного n+-6H-SiC с ориентацией (0001).

газа (2DEG) и создание транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Согласно существующим 2. Структурные исследования теоретическим оценкам [4], подобные HEMT могут превосходить по своим параметрам аналогичные приборы Структурные характеристики выращенных эпитаксина основе GaN-AlGaN. Кроме того, создание прослойки альных слоев определялись методами рентгеновской кубического политипа SiC внутри гексагональной маттопографии и дифрактометрии в геометрии отражения рицы позволяет получить систему локальных уровней, по Брэггу в CuK излучении.

допускающих возможность излучения в синей области Рентгеновские топограммы снимались в отражеспектра [5–7]. К настоящему времени синее излучение нии (101.10) для 6H-SiC. В этих же условиях съемки удалось наблюдать только для квантовых ям (QW), реализуются отражения (311) и (331), соответствующие спонтанно образующихся в сильно легированных образструктуре 3C-SiC. Анализ топограмм показал, что перцах n-SiC после отжига при высоких температурах [1].

вый эпитаксиальный слой наряду с политипом 6H-SiC Контролируемым образом QW в SiC были получены (n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсиромолекулярно-лучевой эпитаксией [8]. В спектре фотолюванных доноров Nd - Na =(4-5) · 1016 см-3) содержит минесценции подобных образцов максимум излучения значительное количество включений 3C-SiC разного находился в зеленой области спектра, что было связано с размера (темные области на рис. 1, a). Вне области достаточно большой шириной прослойки 3C и влиянием выращенного слоя (область A) на топограмме выявляэффекта спонтанной поляризации.

ется дислокационная структура подложки, состоящая из Ранее мы сообщали о результатах исследований струкбазисных дислокаций ячеистого типа с плотностью дистур n-6H/p+-3C-SiC [3,9], n+-6H/p--3C-SiC [10,11] и локаций 104 см-2 и характеризующая структурное n+-6H/n-3C-SiC [12], выращенных сублимационной эпинесовершенство подложки. Дислокации такого типа не таксией в вакууме (СЭВ). При исследовании спекнаследуются эпитаксиальными слоями.

тров электролюминесценции гетероструктур с p-n-пеФормирование p-n-перехода осуществлялось во втореходом n+-6H-SiC/p-3C-SiC [10,11] было обнаружером эпитаксиальном процессе в результате выращивания но смещение линии излучения свободного экситона в p+(Al)-слоя с концентрацией нескомпенсированных ак3C-SiC на 0.06 эВ в коротковолновую область. Подобное цепторов Na - Nd =(1-2) · 1019 см-3. Перед созданием ¶ E-mail: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru эпитаксиального слоя p-типа проводилось сублимационИсследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии для структур 3C-SiC и p-6H-SiC как раз имеют меньшие значения, но отличаются по величине. Для политипа 3C-SiC расчетное значение величины d /d = 9.4 · 10-4.

Измерения показывают, что слоевой пик имеет отклонение d /d = 7.5 · 10-4. Это положение пика отвечает p-слою 6H-SiC, поскольку легирование Al приводит к уменьшению параметра решетки.

Омические контакты к p+-слою были изготовлены магнетронным напылением Al и Ti и последующим вжиганием при 1100C. Меза-структуры площадью 10-3 см2 (диаметр структур 330 мкм) были сформированы реактивным ионно-плазменным травлением карбида кремния в SF6 на глубину 5-7 мкм. Таким образом, на одной подложке были получены как гомодиоды n+-6H/n-6H/p+-6H-SiC (вне включений 3C-SiC), так и гетеродиоды n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC.

3. Электрические исследования После формирования диодных меза-структур их прямые и обратные вольт-амперные характеристики (ВАХ) и спектры инжекционной электролюминесценции (ИЭЛ) измерялись для различных областей эпитаксиального слоя. Прямые ВАХ лучших структур (в области экспоненциальной зависимости тока от напряжения вне Рис. 1. a — рентгеновская топограмма (отражение включений 3C-SiC) были близки к ВАХ идеальных (101.10) 6H-SiC, CuK излучение), b — двухкристальная 6H-SiC p-n-гомоструктур: при напряжении около 40 В кривая образца 6H-SiC после роста эпитаксиальных слоев nнаблюдался резкий пробой. Гетероструктуры в области и p-типа. Стрелками на топограмме указаны участки, где были включений 3C-SiC характеризовались большими избысозданы p-n-структуры. A — область подложки без слоев.

точными токами как при прямом, так и при обратном ное травление in situ эпитаксиальной структуры n+-n, что приводило к уменьшению толщины слоя n-типа проводимости. В итоге толщина 3C-области достигала значения 2-3мкм, p+-6H-области — 1-2 мкм. Из-за малой толщины p-слоя дополнительного контраста от него на топограмме не выявлялось. Для доказательства присутствия и выявления p-слоя использовалась рентгеновская дифрактометрия.

Дифрактометрические измерения проводились на базе трехкристального рентгеновского спектрометра. Была получена кривая качания пика дифракции для рефлекса (00012)CuK подложки 6H-SiC. Профиль двухкристальной кривой качания содержит два максимума, один из которых (основной) характеризует пик от подложки и второй (дополнительный) — пик от слоя (рис. 1, b). При анализе углового распределения интенсивности пиков с помощью трехкристальной схемы дифракции были определены постоянные решетки структур, отвечающих этим максимумам. Измерения показали, что основной пик соответствует структуре подложки 6H-SiC (C/n = 2.5179), Рис. 2. Спектры инжекционной электролюминесценции раза дополнительный пик смещен от основного на велиличных p-n-структур (1, 2, 5, 9) при прямых токах 80 (1) чину ( = 120 угл. сек) в сторону больших значений и 100 мА (2, 5, 9), а также 3C-SiC p-n-структуры „высокого угла дифракции, что соответствует слою с меньшим качества“ при прямом токе 10 мА (a) [3]; площадь диодов межплоскостным расстоянием d. Параметры решетки 10-3 см2 (1, 2, 5, 9) и 10-4 см2 (a); комнатная температура.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1434 А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, С.Ю. Давыдов, А.Е. Черенков, А.Н. Кузнецов...

токах до hmax 2.36 эВ при больших токах (рис. 3, a).

Такие факты, как зависимость интенсивности L зеленой полосы от тока I вида L Im (m > 2 в широком диапазоне токов (рис. 3, b)), а также рост высоты пика L при нагреве структуры джоулевым теплом, позволяют предположить, что при больших токах данная электролюминесценция была обусловлена аннигиляцией свободного экситона в 3C-SiC (кривая a на рис. 2). Однако положение максимума данной ИЭЛ было сдвинуто в коротковолновую область по сравнению с положением максимума ИЭЛ, обусловленного аннигиляцией свободного экситона в объемном 3C-SiC. Аналогичный сдвиг максимума экситонной ИЭЛ наблюдался ранее в структурах n+-6H/n-3C-SiC, выращенных методом СЭВ [5].

Этот сдвиг был объяснен квантово-размерными эффектами на гетерогранице 6H/3C-SiC [7].

При больших токах во всех p-n-структурах также наблюдался пик ИЭЛ с hmax 2.9 эВ, обычно приписываемый рекомбинации свободного экситона в объемном образце 6H-SiC. Два других пика в голубой части спектра (hmax 2.6 и 2.72 эВ) могут быть связаны с рекомбинацией в 6H-SiC с участием акцепторных уровней алюминия [14].

4. Обсуждение результатов Рассмотрим энергетическую структуру системы (рис. 4). Если, как в [15], принять для 3C-SiC электронное сродство 2 = 4эВ, то для 6H-SiC в соответствии с работой [7] получим 1 = 3.45 эВ. Тогда разрывы зон проводимости составят Ec = 0.55 эВ, а валентных зон Ev = 0.05 эВ, так как Eg2 = Eg(3C) = 2.4эВ и Eg1 = Eg(6H) =3эВ.

Рис. 3. a — спектры ИЭЛ p-n-структуры XII-18 при различных прямых токах, мА: 1 —8, 2 — 10, 3 — 15, 4 — 20, 5 — 30, 6 — 40, 7 — 50, 8 —80 (см. также кривую 1 на рис. 2); b — зависимость интенсивности ИЭЛ при hmax от прямого тока I для двух полос ИЭЛ, p-n-структура XII-18, m — показатель степени в зависимости L Im. Комнатная температура.

смещениях. Подробный анализ ВАХ данных структур представлен в работе [13].

Характерной особенностью p-n-структур, находящихся в области включений 3C-SiC, являлось преобладание ИЭЛ в зеленой области спектра (hmax = 2.35 эВ; рис. 2, кривые 1, 2, 9). Напротив, для p-n-структур вне области включений 3C-SiC зеленая полоса ИЭЛ не наблюдалась (кривая 5 на рис. 2). Было обнаружено смещение пика Рис. 4. Зонная диаграмма структуры n+-6H-SiC/n-3C-SiC/ излучения зеленой полосы от hmax 2.31 эВ при малых p+-6H-SiC.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии Как видно из рисунка, следует ожидать образования [5] J. Camasesel, S. Juillaguet. Mater. Sci. Forum, 483-485, (2005).

треугольной квантовой ямы на гетерогранице n+-6H/n[6] S. Juillaguet, J. Camasesel. Mater. Sci. Forum, 483-485, 3C, которая должна быть подобна яме, исследовавшейся (2005).

в работе [7]. Точный расчет энергии уровня в яме сделать [7] С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, невозможно из-за отсутствия данных об уровне леги39 (12), 1440 (2005).

рования слоя 3C-SiC вблизи гетерограницы с 6H-SiC.

[8] A. Fissel. Phys. Rep., 379 (1), 149 (2003).

Можно, однако, предположить, что энергия локального [9] A.M. Strel’chuk, N.S. Savkina, A.N. Kuznetsov, A.A. Lebedev, уровня в яме будет порядка определенной в работе [7].

A.S. Tregubova. Mater. Sci. Engin., B91-92, 321 (2002).

Тогда результаты эксперимента по исследованию ЭЛ [10] A.A. Lebedev, A.M. Strel’chuk, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC можно объяснить слеA.S. Tregubova, A.N. Kuznetsov, D.V. Davydov. Mater. Sci.

дующим образом. В области малых токов (низкий уроForum. 433–436, 427 (2003).

вень инжекции) значительная часть дырок рекомбини- [11] N.S. Savkina, A.M. Strel’chuk, L.M. Sorokin, G.N. Mosina, рует внутри слоя n-3C-SiC, не доходя до гетерограницы A.S. Tregubova, V.A. Solov’ev, A.A. Lebedev. Mater. Sci.

Forum, 433–436, 293 (2003).

n+-6H/n-3C. Эта рекомбинация приводит к излучению [12] А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богсвободного экситона (h 2.29 эВ [16]). С увеличением данова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин.

плотности прямого тока растет доля дырок, достигших Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002).

гетерограницы, что приводит к увеличению интенсив[13] A.M. Strel’chuk, A.A. Lebedev, A.E. Cherenkov, A.N. Kuznetности пика h 2.36 эВ. В результате в спектре ЭЛ sov, A.S. Tregubova, M.P. Scheglow, L.M. Sorokin, S. Yoneda, исследовавшихся структур наблюдалась широкая полоса S. Nishino. Sol. St. Phenomena, 108-109, 713 (2005).

излучения в зеленой области спектра, максимум которой [14] А.А. Лебедев. ФТП, 33 (2), 129 (1999).

с увеличением прямого тока смещался от 2.31 до 2.35 эВ.

[15] M.J. Bozak. Phys. Status Solidi B, 202 (2), 549 (1997).

При больших плотностях тока (высокий уровень ин[16] Ю.М. Алтайский, С.Ф. Авраменко, О.А. Гусева, В.С. Кисежекции) часть дырок проходит весь слой 3C-SiC и лев. ФТП, 13, 1978 (1979).

инжекцируется в n+-6H-SiC, что приводит к появлению Редактор Л.В. Беляков в спектре ЭЛ полос в синей области спектра.

An investigation of n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC 5. Заключение structures grown by sublimation epitaxy Таким образом, в ходе настоящей работы метоA.A. Lebedev, A.M. Strel’chuk, A.E. Cherenkov, дом СЭВ впервые была получена гетероструктура A.N. Kuznetsov, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC. На основе данных гетерострукL.M. Sorokin, S. Yoneda, S. Nishino тур были изготовлены меза-диоды и проведено исследоIoffe Physicotechnical Institute, вание их электрических характеристик. Обнаруженное Russian Academy of Sciences, в спектре ИЭЛ диодов смещение линии излучения сво194021 St. Petersburg, Russia бодного экситона в 3C-SiC в коротковолновую область Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki, можно объяснить излучательной рекомбинацией на ге606-8585 Kyoto, Japan терогранице n+-6H/n-3C. В исследовавшейся структуре ширина прослойки 3C была слишком велика, чтобы в

Abstract

A structure n+-6H/n-3C/ p+-6H-SiC was firstly grown ней проявлялись квантово-размерные эффекты. Можно by sublimation epitaxy. Mesa-diodes were prepared on a basis предположить, что дальнейшее совершенствование субof the structure and investigation of electrical characteristics were лимационной технологии позволит уменьшить ширину made. The electroluminescence spectrum of the diodes was found ямы и получить излучение в синей области спектра, как to have a dominate band in the green spectral region, which was это наблюдалось для спонтанно формирующихся QW в similar in spectral characteristics to free-exciton recombination сильно легированном SiC.

band in 3C-SiC but shifted to the short wavelength region up Работа поддержана грантом РФФИ N 04-02-16632a.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.