WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

при 77 K и 610 см2/В · с при 300 K) были получены при [9] C.A. Wang, S. Salim, K.F. Jensen, A.C. Jones. J. Cryst. Growth, соотношении TMSb/TEGa = 2 в газовой фазе. Обнару170, 55 (1997).

жен „провал“ в значениях подвижности при соотноше[10] A. Subekti, E.M. Goldys, T.L. Tansley. J. Phys. Chem. Sol., 61, нии потоков TMSb/TEGa 3.

537 (2000).

Повышено структурное совершенство полученных [11] M.C. Wu, C.C. Chen. J. Appl. Phys., 73 (12), 8495 (1993).

эпитаксиальных слоев по сравнению с подложкой [12] M.C. Wu, C.C. Chen. J. Appl. Phys., 72 (9), 4275 (1992).

(FWHM кривой качания 19-38 в слоях и 44 — [13] E.T.R. Chidley, S.K. Haywood, A.B. Henriques, N.J. Mason, в подложке). Наименьшие значения FWHM 19-20 R.J. Nicolas, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 6, (1991).

были получены для слоев, выращенных при соотношениях молярных потоков TMSb/TEGa в интервале 1-Редактор Л.В. Беляков и при 5. При других соотношениях TMSb/TEGa FWHM увеличивалась до 22-38.

Properties of gallium antimonide epitaxyal В спектрах ФЛ полученных слоев обнаружено три поlayers grown by MOCVD method лосы с энергиями 0.801, 0.775, 0.715 эВ. Полоса 0.801 эВ вызвана межзонной рекомбинацией, полоса 0.775 эВ свяR. Levin, A.Vlasov, N. Zotova, B. Matveev, B. Pushnyi, зывается с вакансиями Ga (VGaGaSb), полоса с энергией V. Andreev 0.71 эВ обусловлена примесно-дефектными комплексами Ioffe Physico-Technical Institute, VGaGaSbTeSb. Полуширина спектра ФЛ основной полосы Russian Academy of Sciences, эпитаксиальных слоев составляет 11 мэВ, а интенсив194021 St. Petersburg, Russia ность примесной полосы (0.710 эВ) подложки в 2 раза Volgodonsk Institute больше интенсивности аналогичных пиков эпитаксиальof South-Russian State Technical University, ных слоев.

347340 Volgodonsk, Russia В заключение авторы выражают признательность В.М. Бусову и С.И. Трошкову за помощь в исследовании

Abstract

Electrophysical properties of GaSb layers grown by поверхности эпитаксиальных слоев, В.П. Хвостикову MOCVD epitaxy under different conditions are investigated. It за помощь в проведении экспериментов и обсуждение is shown that the surface morphology, free carier concentration работы, Е.Ю. Задиранову за помощь в проведении экспеand mobility of the grown layers are tightly bound with the риментов, а также М.Н. Мизерову и Л.С. Лунину за TMSb/TEGa ratio. Structural and photoluminescent properties at поддержку и внимание к данной работе.

77 K are analyzed. Dependencies of the growth rate, free carrier Работа выполнена при поддержке Регионального ценconcentration and mobility on the TMSb/TEGa ratio are obtained.

тра коллективного пользования „Материаловедение и An obvious drop in mobility is observed for the TESb/TEGa ratio диагностика в передовых технологиях“, поддержана в of 3.

рамках проекта FULLSPECTRUM Европейской комиссии (Ref. N: SES6-CT-2003-502620) и при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 05-08-1802-a.

Список литературы [1] V.M. Andreev, C.V. Karlina, A.B. Kazantsev, V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts. Proc. IEEE 1st World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, 1994) p. 1721.

[2] G. Stollwerk, O.V. Sulima, A.W. Bett. IEEE Trans. Electron.

Dev., 47 (2000).

[3] В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, П.Ю. Газарян, М.З. Шварц, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев. ФТП, 38, (2004).

[4] Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский. ФТП, 40, 356 (2006).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.