WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

GaAs, так называемых P-ловушек (P1 (EC - 0.35 эВ), Таким образом, радиус локализации для ловушки E5, P2 (EC - 0.5эВ) и P3 (EC - 0.72 эВ)) [13], которые по которой предположительно осуществляется прыжко- удерживают уровень Ферми вблизи предельного половая проводимость в облученном протонами GaAs Cr, жения Flim EV + 0.6 эВ в переоблученном материале оценивается на уровне 2-3 постоянных решетки GaAs, до температур отжига (500-600)C. Полного восстаравной 0.565 нм. При этом среднее значение длины новления электрических свойств такого материала не прыжка в высокотемпературном пределе составляет око- отмечено при отжиге вплоть до 750C, что, по-видимому, ло 6.5 нм и порядка 12 нм в области низких температур связано с наличием сложных термостабильных дефектов (вблизи T 20 K). Эти исследования показывают, что неизвестной природы в таком материале.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Электронные свойства полуизолирующего GaAs Cr, облученного протонами Заключение Electrophysical properties of a proton–irradiated semiinsulating Показано, что при протонном облучении наблюдается GaAs Cr n-p-конверсия типа проводимости и последующий переход полуизолирующего GaAs Cr в низкоомное состо- V.N. Brudnyi, A.I. Potapov яние p-типа проводимости (по измерениям термоэдс), V.D. Kuznetsov Siberian Physical Technical Institute, при этом основные изменения (около 7 порядков ве634050 Tomsk, Russia личины вблизи 300 K) связаны с появлением прыжковой проводимости носителей заряда по глубоким состояниям

Abstract

The n to p-type transformation of the conductivity and РД. В таких низкоомных слоях при температурах ниже the decrease of resistivity () down to 102 Ohm· cm have been ob120 K выявлена прыжковой проводимость с переменной served in a semiinsulating GaAs Cr ( (3-4) 108 Ohm · cm) = энергией активации, а при температурах вблизи 20 K upon proton (5MeV) bombardment up to D = 2 · 1017 cm-2. The обнаружены эффекты электронного переключения. Поtemperature dependence of in heavy irradiated samples indicates казано, что в облученных протонами образцах обратthat the conduction is deternmined by the electron hopping ный переход материала из низкоомного в высокоомное via the radiation induced states within the temperature range (исходное) состояние происходит в широком темпе(400120) K and by the changeable leugth hopping at T 120 K.

ратурном интервале за счет отжига E- и H-ловушек In proton irradiated low resistivity samples, the electronic switching при температурах (200-300)C и P-ловушек в области effects have been revealed near 20 K. Isochronal annealing of the температур (400-600)C.

radiation–induced defects is investigated in the temperature range Работа выполнена при частичной поддержке гранта [(20-750)C].

Министерства образования РФ ”Фундаментальные исследования в области ядерной техники и физики пучков ионизирующих излучений (№ 97-12.9, 2-2).

Список литературы [1] K Wohlleben, W. Beck, Z. Naturforsch. 21a(7), 1057 (1956).

[2] D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, (1985).

[3] J.P. Donnelly, F.L. Leonberger. Sol. St. Electron., 20, (1977).

[4] В.Н. Брудный, М.А. Кривов, А.И. Потапов. Изв. вузов.

Физика, 25(1), 9 (1982).

[5] V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995).

[6] V.N. Brudnyi, M.A. Krivov, A.I. Potapov. Sol. St. Commun., 34, 117 (1980).

[7] В.М. Зелевинская, Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. ФТП, 4(2), 317 (1970).

[8] В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. Изв. вузов.

Физика, 35(10), 61 (1992).

[9] J. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965).

[10] T.K. Saxena, S. Bala, S.K. Agarwal, P.C. Mathur, K.D. Chaudhurt. Phys. Rev. B, 22, 2962 (1980).

[11] А.Г. Забродский. ФТП, 11(3), 535 (1977).

[12] Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

[13] V.N. Brudnyi, A.V. Gradoboev, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (b), 212, 229 (1999).

Редактор Т.А. Полянская 2 Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.