WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Specific resistance and Hall effect are investigated Мир, 1986).

in copper-doped p-Hg0.8Cd0.2Te crystals within a temperature [5] В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стаrange 4.2-100 K at copper concentrations from 1.5 · 1015 up феев, В.Н. Северцев. ФТП, 21, 1469 (1987).

to 1.7 · 1018 cm-3. It is shown that for correct determination [6] В.А. Базакуца, В.И. Белозерцева, В.В. Богобоящий и др.

of Hall mobility of holes at low temperatures it is necessary to take В сб.: Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниinto account the hopping conductance. It is found, that at 77 K the ках (Павлодар, 1987) с. 148.

heavy holes scatters due to themselves, charged dopes, fluctuations [7] Н.Н. Берченко, В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров и др.

В сб.: Примеси и дефекты в узкозонных полупровод- of composition, and lattice oscillations. In compensated crystals никах (Павлодар, 1987) с. 129. the holes scatters at very low temperatures due to charged dopes [8] V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Physics, Quantum & Opto- exceptionally. In uncompensated crystals it is necessary to take electronics, 2 (1), 62 (1999).

into account holes scattering due to positively charged centers, [9] V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997).

formed as a results of the addition of holes by acceptors.

[10] А.И. Елизаров. Завод. лаб., вып. 10, 82 (1981).

[11] C.T. Elliot, I. Melngailis, T.C. Harman. J. Phys. Chem. Soc., 33 (2), 1527 (1972).

[12] N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1 (1), 1 (1968).

[13] А.В. Ведяев, А.Б. Грановский. ФТТ, 28 (8), 2310 (1986).

[14] H. Bttger, V.V. Bryksin. Phys. St. Sol. (b), 113 (1), 9 (1982).

[15] Ф. Дж. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах (Л., Физматгиз, 1963).

[16] И.М. Дыкман, П.М. Томчук. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981).

[17] О. Маделунг. Теория твердого тела (М., Наука, 1980).

[18] И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. ФТП, 11 (12), (1977).

[19] В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990).

[20] А.В. Любченко, Е.Ф. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984).

[21] L.S. Kim, S. Perkowicz, O.K. Wu, J.N. Schulman. Semicond.

Sci. Technol., 5 (3S), S107 (1990).

[22] Ю.Х. Векилов, А.П. Русаков. ФТТ, 13 (4), 1157 (1971).

[23] V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Physics, Quantum & Optoelectronics, 4 (4), 442 (2001).

[24] H.R. Vydyanath. Sol. St. Sci. Technol., 128 (12), 2609 (1981).

[25] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

[26] В.В. Богобоящий. ФТП, 36 (1), 29 (2002).

[27] D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52 (8), 5118 (1981).

[28] D.L. Polla, M.B. Reine, C.E.J. Jones. Appl. Phys., 52 (8), (1981).

Редактор Л.В. Беляков 2 Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.