WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

электрически активного бора и с помощью (3), (4) рассчитать значения после каждого шага RBA. Далее, ставя в соответствие экспериментально измеренные в тов. Значения радиуса захвата водорода дивакансиями произвольной точке кристалла значения концентрации как в Cz-, так и в FZ-кристаллах по нашим оценкам дефектов значению в этой же точке, получаем завинаходились в пределах 0.14–0.17 нм. Для K-центров были симость N0,i от : Nexp(). Сопоставляя полученные получены значения от 0.14 до 0.21 нм. Больший разброс, зависимости Nexp() с теоретическими зависимостями возможно, обусловлен тем, что в пик в спектре DLTS, Nth(), являющимися решениями (2.1) для N0 и (2.2) соответствующий K-центрам, может давать вклад другой для Ni и варьируя в качестве свободных параметров r0,i, дефект с близкой энергией активации [19], и кинетика можно оценить радиус захвата атома водорода дефектом.

гидрогенизации в этом случае носит более сложный На рис. 4 представлены зависимости от величины концентраций K-центров, дивакансий и центров H4, изме- характер. Тем не менее следует отметить, что значения радиусов захвата водорода на K-центры и дивакансии ренных на нескольких глубинах поблизости от провала достаточно близки. Кинетика пассивации комплексов в профиле электрически активного бора в Cz-кремнии.

CsCi в FZ–Si представлена на рис. 5, где для сравнения Для K-центров и дивакансий сплошные линии на рис. рассчитаны в соответствии с (2.1) с использованием приведена также кинетика пассивации K-центров. Наиr0 в качестве подгоночного параметра для достижения лучшее согласие кривой, рассчитанной в соответствии наибольшего соответствия экспериментальным данным. с (2.1), с экспериментальными данными достигалось при Использование вышеописанной схемы для определе- значении радиуса захвата водорода комплексами CsCi ния радиусов захвата водорода на дефекты дает возмож- r0 0.4 нм, что примерно в 2–3 раза больше, чем для ность сравнить параметры реакции для различных дефек- K-центров и дивакансий.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии p-типа проводимости Теперь проанализируем процессы образования новых В FZ-Si, как оотмечалось выше, баланс между уменьводородсодержащих дефектов H3иH4. Центры H3были шением K-центров и образованием центров H4 отсутобнаружены в концентрации, сравнимой с концентраци- ствует и концентрация образующихся центров H4 преей основных радиационных дефектов, во всех исследо- восходит даже исходную концентрацию K-центров. Этот результат уже трудно описать в рамках предложенной ванных FZ-кристаллах, однако во многих Cz-образцах структуры центров H4 как комплекса K-центра с атомом они практически отсутствовали (ср. рис. 1 и рис. 3).

водорода. Для объяснения этого факта можно сделать Появление в кремнии p-типа проводимости центров с несколько предположений.

энергией активации H(0.51), похожих на центры H3, Во-первых, вклад в пик, обозначенный как H4 в наблюдалось после имплантации либо ионов бора, либо спектре DLTS, может давать какой-то другой уровень, ионов водорода в работе [12], где был сделан вывод, что близкий по энергии H4. Однако его формирование также это комплексы межузельного бора и водорода. В наших должно определяться присутствием водорода. Из [21] экспериментах образование центров H3 наблюдалось в известно, что водород может стимулировать перестройку легированных бором облученных образцах в процессе дефектов в кремнии. Можно предположить, что в каотжига при 380 K в области с высоким содержанием честве продуктов такой реакции в облученных образводорода. Это не противоречит выводам [12], однако цах p-типа проводимости могут выступать, например, вопрос об источнике межузельного бора, особенно в комплексы BiCs или BiBs, обладающие близкими к обедненных кислородом FZ-кристаллах, остается пока H4 энергиями активации — соответственно H(0.29) и открытым.

H(0.30) [22]. Образование комплексов BiCs в конЦентры H4 формировались во всех исследуемых центрации, превосходящей концентрацию K-центров, и облученных образцах. Образование центров, аналогичравномерно распределенных по объему кристалла, наных H4, уже наблюдалось в [7], где также была показана блюдалось после отжига при 200C. Температурное их связь с водородом, но микроскопическая природа положение пика, соответствующего BiCs, отличается на этих центров установлена не была. Полагая, что комнесколько градусов от положения пика, определяемого плексы H4 являются продуктом взаимодействия водороцентрами H4. Однако разрешающая способность станда с радиационными дефектами, рассмотрим наиболее дартной DLTS-методики не позволяет надежно их раздевероятные дефекты в качестве источника образования лять, если оба типа центров присутствуют в образце. Пик H4. Практически во всех исследованных кристаллах комплексов BiBs еще ближе в спектре DLTS к сигналу концентрация центров H4 в максимуме превосходила от центров H4.

концентрацию дивакансий в объеме кристалла, к тому же Во-вторых, результатом стимулированной водородом центры H4 возникали при гидрогенизации в кристаллах, перестройки каких-то дефектов в FZ-Si может быть обрагде V2 предварительно были отожжены. Поэтому мы зование дополнительных K-центров либо уже сразу гиисключаем дивакансии из нашего дальнейшего рассмодрогенизированных K-центров, т. е. центров H4. В этом трения. С другой стороны, в Cz-кристаллах на начальслучае необходимо предположить, что под воздействием ных стадиях RBA уменьшение концентрации K-центров водорода возникают подвижные изолированные атомы полностью компенсировалось ростом концентрации Hмежузельного углерода Ci или комплексы Ci–H (тоже (рис. 2, b), откуда логично предположить, что H4 — подвижные согласно [17]), которые могут захватываться это комплексы K-центров с водородом [20]. Харакна кислород. В качестве источника Ci или Ci–H могут тер изменений концентрации центров H4 в процессе служить комплексы CiCs, которые, как было показано RBA можно описать следующим образом: на первых выше, исчезают при RBA. Однако и в такой схеме этапах RBA водород, освобождающийся вследствие дисостаются некоторые противоречия, такие, например, как социации пар B–H, захватывается K-центрами, образуя образование центров H4 в концентрации, превосходящей комплексы CiCi–H (H4), при дальнейшем увеличении даже суммарную концентрацию K-центров и комплекконцентрации этих комплексов они сами вступают в ресов CsCi.

акцию с водородом, трансформируясь в другие, вероятно, Наконец, в-третьих, можно предположить, что K-центэлектрически неактивные дефекты, путем присоединения ры вовсе не являются источником центров H4, а эти ценеще одного атома водорода. Поскольку этот процесс тры образуются из каких-то других дефектов, например происходит быстрее в области с максимальной конценA-центров, образующихся при облучении в достаточно трацией водорода, то поэтому в профиле распределения большой концентрации. Однако в этом случае остается центров H4 появляется провал (рис. 2, c).

непонятной четкая корреляция между K-центрами и Зависимость концентрации центров H4 в Cz-Si от центрами H4в Cz-Si. Кроме того, при ЖХТ облученного величины хорошо описывается с помощью (2.2) в кремния n-типа проводимости появляются центры E4 с предположении, что они возникают из K-центров, с E(0.32), которые, согласно [9,11], и являются комплекиспользованием для радиусов захвата K-центрами пер- сами A-центров с водородом. Трансформация A-центров вого и второго атомов водорода значений r0 = 0.21 нм в центры E4 под действием света в имплантированных и r1 = 0.2 нм соответственно (рис. 4). Это также протонами кристаллах n-кремния наблюдалась и в [10].

может служить дополнительным аргументом в пользу Для окончательного решения вопроса о природе центров сделанного предположения о связи H4 с K-центрами. H4 необходимы дополнительные исследования.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1422 О.В. Феклисова, Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов, Й. Вебер Заключение [20] O. Feklisova, N. Yarykin, Eu. Yakimov, J. Weber. Phys. B, 273–274, 235 (1999).

[21] С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов. ФТП, 22, (5), Методом DLTS исследовалось влияние гидрогениза922 (1988).

ции на энергетический спектр дефектов в облученных [22] P.J. Drevinsky, C.E. Caefer, S.P. Tobin, J.C. Mikkelsen, L.C. Kiкристаллах кремния p-типа проводимости при жидкостmerling. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 104, 167 (1988).

ном химическом травлении и последующем отжиге. ОбРедактор Л.В. Шаронова наружено, что гидрогенизация радиационных дефектов сопровождается образованием новых электрически активных центров H4 и H3. На основе анализа профилей Hydrogen interaction with radiation распределения дефектов после ЖХТ и RBA сделано defects in p-type silicon предположение, что центры H4 являются комплексами O.V. Feklisova, N. A.Yarykin, Eu.B. Yakimov, J. Weber K-центров с водородом, но отмечено различие в формировании H4вCz- иFZ-кристаллах. Исследование кинетиInstitute of Microelectronics Technology RAS, ки гидрогенизации радиационных и вновь образующихся 142432 Chernogolovka, Russia дефектов позволяет оценить радиус захвата водорода Institut fr Tieftemperaturphysik TU Dresden, дефектами, что было сделано для дивакансий, K-центров, D-01062 Dresden, Germany комплексов CsCi и центров H4.

Abstract

Hydrogen interaction with radiation defects in p-type Настоящая работа выполнена при частичной фиsilicon has been investigated by deep-level non-stationary specнансовой поддержке РФФИ (грант РФФИ-ННИО 00troscopy. Hydrogen was introduced into the high-energy electron02-04002) и Deutsche Forschungemeinschaft (грант irradiated crystals under chemical etching in acid solutions at room RUS 113/166/0).

temperature followed by the reverse-bias annealing at 380 K. It is observed that passivation of the irradiation-induced defects was accompanied by formation of novel electrically active defects with hydrogen-related profiles. Effect of hydrogen on the electrical Список литературы activity of the CsCi complexes is shown for the first time. Based on the spatial distribution and passivation kinetics, possible nature [1] C.H. Seager, R.A. Anderson, J.K.G. Panitz. J. Mater. Res., of the novel complexes is analyzed. The radii for hydrogen capture 2 (1), 96 (1987).

by divacancies, K-centers, CsCi centers and the novel complexes [2] S.J. Pearton, J.W. Cordett, M. Stavola. Hydrogen in Сrysare determined.

talline Semiconductors (Berlin, Springer, 1992).

[3] J.-U. Sachse, E.. Sveinbjrnsson, W. Jost, J. Weber, H. Lemke. Phys. Rev. B, 55, 16 176 (1997).

[4] J.-U. Sachse, J. Weber, H. Lemke. Mater. Sci. Forum, 258–263, 307 (1997).

[5] E.. Sveinbjrnsson,. Engstrm. Phys. Rev. B, 52, (1995).

[6] N. Yarykin, J.-U. Sachse, J. Weber, H. Lemke. Mater. Sci.

Forum, 258–263, 301 (1997).

[7] K. Irmscher, H. Klose, KJ. Maas. J. Phys. C, 17, 6317 (1984).

[8] A. Hallen, B.U.R. Sundquist, Z. Paska, B.G. Svensson, M. Rosling, J. Tiren. J. Appl. Phys., 67, 1266 (1990).

[9] O. Feklisova, N. Yarykin. Semicond. Sci. Technol., 12, (1997).

[10] Y. Tokuda. Japan. J. Appl. Phys., 37, 1815 (1998).

[11] A.R. Peaker, J.H. Evans-Freeman, P.Y.Y. Kan, L. Rubaldo, I.D. Hawkins, K.D. Vernon-Parry, L. Dobaczewski. Physica B, 273–274, 243 (1999).

[12] S. Fatima, C. Jagadich, J. Lalita, B.G. Svensson, A. Hallen. J.

Appl. Phys., 85 (5), 2562 (1999).

[13] G.D. Watkins. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965).

[14] G.D. Watkins. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 469, 139 (1997).

[15] T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 13 549 (1989).

[16] W. Song, X.D. Zhan, B.W. Benson, G.D. Watkins. Phys. Rev.

B, 42, 5765 (1990).

[17] P. Leary, R. Jones, S. berg. Phys. Rev. B, 57 (7), 3887 (1998).

[18] N. Yarykin, J.-U. Sachse, H. Lemke, J. Weber. Phys. Rev. B, 59 (8), 5551 (1999).

[19] P.M. Mooney, L.J. Cheng, M. Sli, J.D. Gerson, J.W. Corbett.

Phys. Rev. B, 15 (8), 3836 (1977).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.