WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

теория плохо работает при приближении Eg к нулю.

[2] M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 29, 809 (2000).

Таким образом, введение марганца и цинка в твердый [3] A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 43, 187 (2002).

раствор КРТ приводит не только к увеличению микро[4] A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991).

твердости четырех- и пятикомпонентного материала, но [5] A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 13, 299 (1989).

и к уменьшению концентрации собственных носителей [6] Н.Г. Глузман, Н.К. Леринман, Л.Д. Сабирзянова и др. ФТП, и увеличению эффективной массы электронов. 23 (6), 1032 (1989).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1418 И.Н. Горбатюк, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко [7] Н.Д. Раранский, И.М. Раренко, В.П. Шафранюк и др.

Тез. докл. III Совещ. по межвузовской комплексной программе „Рентген“ (Черновцы, Россия, 1989) с. 174.

[8] A. Wall, C. Captile, A. Franciosi. J. Vac. Sci. Technol., A4, (1986).

[9] R. Grangler, A. Lasbley, S. Rolland, C.M. Petlefier, R. Triboulet. J. Cryst. Growth, 88, 682 (1988).

[10] I.Rarenko, E. Rybak, Y. Stetsko, Z. Zakharuk. EMRS Spring Meeting (Strasbourg, Germany, 1995) Abstracts D-III, p. 409.

[11] P.M. Bridenbaugh. Mater. Lett., 3 (7,8), 287 (1985).

[12] О.А. Бондарук, А.В. Марков, С.Э. Остапов и др. ФТП, 34 (4), 430 (2000).

[13] J.J. Schmit. J. Appl. Phys., 41 (7), 2876 (1970).

[14] J.R. Lowney, D.G. Seiler, C.L. Littler, I.T. Yoon. J. Appl. Phys., 71 (3), 1253 (1992).

[15] И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992).

[16] И.М. Несмелова. ФТП, 37 (11), 1296 (2003).

Редактор Т.А. Полянская HgCdMnZnTe: a new alternative to HgCdTe I.N. Gorbatyuk, A.V. Markov, S.E. Ostapov, I.M. Rarenko Chernivtsi National University, 58012 Chernivtsi, Ukraine

Abstract

This paper presents a theoretical and experimental investigation of basic band parameters of a new five-component HgCdMnZnTe semiconductor solid solution. It has been shown that the material in question can compete by its parameters with HgCdTe, a basic material for IR photoelectronics, over the 3-5 µm and 8-14 µm ranges.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.