WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Porous silicon etching in HF was shown to lead to significant variations of its I-V characteristics and photoluminescence parametres. The present of treatment of porous silicon PSi Список литературы can be used for improvement of electroluminescence of In–PSi– Si–Al structures due to enhancement of minor carrier injection, [1] L.T. Canham. J. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990).

realization of the double injection regime and a high velocity of [2] D. Stievenard, D. Deresmes. J. Appl. Phys. Lett., 67, (1995). surface recombination within a subsurface region of porous silicon.

[3] В.П. Бондаренко, Е.А. Бондаренко, А.М. Дорофеев, FAX: (0172) 310-В.А. Самуйлов, Г.Н. Троянова. Вестн. БГУ, № 1, 80 (1995).

E-mail: vitaly@silicon.rei.minsk.by [4] Z. Chen, T.-Y. Lee, G. Bosman. J. Appl. Phys. Lett., 76, (1994).

[5] L.T. Canham. MRS Bulletin, 18(7), 22 (1993).

[6] В.П. Бондаренко, В.Е. Борисенко, А.М. Дорофеев, А.А. Лешок, Г.Н. Троянова. ЗЭТ, вып. 1–3, 41 (1994).

[7] A. Loni, A.J. Simons, T.I. Cox, P.D.J. Calcott, L.T. Canham.

Electron. Lett., 31, 1288 (1995).

[8] А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка 1981).

[9] Е.В. Астрова, С.В. Белов, А.А. Лебедев. ФТТ, 38, (1996).

[10] Л.А. Головань, А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров. Письма ЖТФ, 20, 66 (1994).

[11] В.В. Чистяков. Микроэлектроника, 24, 143 (1995).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.