WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

при T = 400 K (рис. 3). Обращает на себя внимание Как видно из рис. 5, при T = 300 K степень компенсации факт, что полуширина зоны уровней нейтральных ди- достигает величины 0.23, т. е. концентрация дефектов, вакансий (рис. 4) всего в несколько раз меньше, чем находящихся в заряженных состояниях, составляет окоэнергетический зазор от максимума зоны до уровней ло 0.46ND. Дальнейший рост температуры практически Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1416 Я. Партыка, П.В. Жуковский, П. Венгерэк, А. Родзик, Ю.В. Сидоренко, Ю.А. Шостак цаемости для образца кремния, аналогичного использованному нами в оптических измерениях, обсуждаемых выше, при комнатной температуре на частоте 100 Гц дали величину p 50. Подставляя в формулу (20) значения ND —формула (14) и P(T ) —формула (19), вычисленные из спектров поглощения для T = 300 K (рис. 3), получаем p 70, что хорошо согласуется с величиной, полученной из прямых измерений.

2. Заключение Показано, что в полупроводниках, компенсированных амфотерными дефектами с глубокими уровнями, вследствие прыжкового обмена зарядами появляются диполи, которые приводят к увеличению флуктуаций электроРис. 5. Температурные зависимости P(T ) (15) и степени статического потенциала и уширению зоны глубоких компенсации Kir (5).

уровней основного (нейтрального) состояния дефектов.

Это может проявляться, например, в изменении ширины полосы оптического поглощения нейтральными дефектами. Исследована температурная зависимость ширине изменяет полуширины полосы поглощения и степени ны полосы инфракрасного поглощения нейтральными компенсации до T = 350 K. При T > 350 K величины дивакансиями в кремнии, облученном быстрыми реKir(T ) и P(T ) начинают уменьшаться.

акторными нейтронами дозой 1019 см-2. Из величины Вероятность прыжковой перезарядки P(T ) должна полуширины полосы оценены концентрация дивакансий, расти с температурой. Уменьшение P(T ) и Kir(T ) которая составляет около 4·1019 см-2 и диэлектрическая при T > 350 K связано, по нашему мнению, с гетеровосприимчивость образца p 70. Полученные величигенной структурой облученного нейтронами кремния.

ны согласуются с результатами прямых измерений.

Известно [6], что при таком виде радиационного воздействия дивакансии группируются преимущественно в областях скоплений, в которых их концентрация может достигать 1020 см-3. Оставшаяся между областями скоп- Список литературы лений часть кремния содержит значительно меньшую [1] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства концентрацию дивакансий. В связи с этим прыжковый легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

обмен начинается именно в областях скоплений. Когда [2] P.W. ukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. Maczka, в этих областях практически все дефекты станут заA. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. St. Sol.

ряженными, нейтральные дивакансии останутся только (a), 128, K117 (1991).

в пространстве между областями скоплений. Поскольку [3] П.В. Жуковский, С.Б. Канторов, Д. Мончка, А. Родзик, в менее нарушенных областях концентрация дивакансий К. Кищак, В.Ф. Стельмах. ДАН Беларуси, 37, № 1б, значительно меньше, чем в областях скоплений, в этом (1993).

диапазоне температур полуширина полосы поглощения [4] P. ukowski, J. Partyka, P. W M. Kozak. Nukleonika, egierek, нейтральными дивакансиями, согласно формулам (11) 44, 281 (1999).

egierek.

и (12), должна уменьшиться. [5] P. ukowski, J. Partyka, P. W Phys. St. Sol. (a), 159, 509 (1997).

Выражение P(T ) входит в формулу статической [6] L. Cheng, I. Lori. Phys. Rev., 171, 856 (1968).

диэлектической восприимчивости, обусловленной прыж[7] П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак. ФТП, 31, ковым обменом электронами между нейтральными ам(1997).

фотерными дефектами [5]:

[8] S. Kirkpatrick. Proc. 5th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semiconductors (Garmisch-Partenkirchen) 1973, ed.

NDP(T ) e2Rp =. (20) by J. Stuke, W. Brenig (Taylor&Frances, London, 1974) 0kT p. 183.

[9] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60, 867 (1971).

На основании измерений ширины линии оптического [10] М.А. Мессерер, Э.М. Омельяновский, А.Н. Пантюхов, поглощения нейтральными дивакансиями, проведенной Л.Я. Первова, Ю.Я. Ткач, В.И. Фистуль. ФТП, 8, на рис. 4, можно, используя формулу (19), определить (1974).

величину P(T ), которая входит в формулу (20), опи[11] R.S. Newman, D.M.J. Totterdell. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 8, сывающую температурную зависимость дополнительной 3944 (1975).

поляризации сильнодефектных полупроводников. Прове- [12] П.В. Жуковский, С.Б. Канторов, В.Ф. Стельмах, Н.Н. Таденные нами прямые измерения диэлектрической прони- деуш, Г. Шилагарди. ФТП, 24, 1473 (1990).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Температурная зависимость ширины зоны глубоких уровней в сильнодефектном кремнии [13] В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990).

[14] J.I. Pankove. Optical Processes in Semiconductors (Prentice– Hall, USA, 1971).

[15] В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987).

[16] В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники (М., Высш. шк., 1986).

[17] Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985).

Редактор Л.В. Беляков Temperature dependence of the deep level band width in a strongly imperfect silicon Ya. Partyka, P.V. Zhukovskii, P. Vengerek, A. Rodzik, Yu.V. Sidorenko, Ya.A. Shostak Lublin Technical University, 20-618 Lublin, Poland Belorussian State University, 220050 Minsk, Belarus Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.