WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 12 УДК 621.315.592 Сканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия аморфного углерода Обзор © В.И. Иванов-Омский, А.Б. Лодыгин¶, С.Г. Ястребов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получен 11 мая 2000 г. Принят к печати 11 июня 2000 г.) Важнейшими методами исследования поверхности аморфного алмазоподобного углерода являются сканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия. В настоящем обзоре рассмотрены работы, посвященные исследованию с помощью туннельного микроскопа топографии и электронных свойств поверхности пленок аморфного алмазоподобного углерода, а также сопутствующие исследования, такие как зондовые исследования полевой эмиссии из аморфного углерода и туннельная микроскопия металл-углеродных нанокомпозитов.

1. Введение микроскопия и спектроскопия. Однако высокое сопротивление аморфного углерода долгое время не позволяло Интерес к аморфному алмазоподобному углероду уверенно использовать для его изучения эти методы.

(diamond-like carbon, DLC) не утихает уже более десяти лет. Пленки аморфного углерода изначально привлека2. Сканирующая туннельная ли внимание исследователей благодаря высокой мехамикроскопия аморфного углерода нической прочности, химической стойкости, твердости и прозрачности в широкой области спектра [1]. Это Первым исследованием аморфного алмазоподобного позволяло рассматривать пленки DLC как материал для углерода с помощью сканирующего туннельного мисоздания универсального покрытия. Кроме того, пленкроскопа (CTM) можно, по-видимому, считать рабоки DLC интересны как объекты, содержащие спонтанно ту [6]. В этой работе использовался CTM, измерения возникающие наноразмерные особенности.

на котором проводились в воздушной среде. В качестве Во второй половине 1990-х годов было выяснено, что исследуемого материала выступали пленки толщиной пленки DLC перспективны еще и как материал для от 100 до 300, напыленные магнетронным методом в холодных катодов благодаря низкому порогу полевой атмосфере аргона на металлические подложки.

эмиссии [2]. Уникальные свойства аморфного углероКак правило, туннельный микроскоп работает либо в да связываются с особенностями его мезоскопического режиме постоянной высоты, когда игла движется привостроения (см., например, [3]). Пленки аморфного угледом над поверхностью образца и измеряется туннельный рода, a-C, а также гидрированного аморфного углерода, ток при постоянном напряжении, или же используется a-C : H, состоят из двух встроенных друг в друга фаз — режим постоянного туннельного тока, когда цепь обраталмазоподобной, характеризующейся sp3-гибридизацией ной связи CTM с помощью пьезопривода поддерживает атомов углерода, тетраэдрической структурой и большой расстояние от иглы до поверхности таким, чтобы из(до 4 эВ) запрещенной зоной, и графитоподобной, состомеряемый туннельный ток был равен наперед заданной ящей из фрагментов графитовых плоскостей и искаженвеличине. В работе [6] поверхность исследовалась в ных фрагментов наподобие частей молекулы фуллереобоих режимах. Сопротивление туннельного перехода на. Последняя фаза характеризуется sp2-гибридизацией составляло 2 · 106 Ом, причем авторы работы [6] отуглерода, сравнительно высокой электропроводностью и мечают, что значительная часть этого сопротивления запрещенной зоной, которая невелика или вообще отсутможет приходиться на саму пленку. На некоторых из ствует в зависимости от размеров кластера. Двухфазная полученных ими фотографий не наблюдалось никаких модель аморфного углерода была построена в 1987 г.

признаков структуры, что, по-видимому, свидетельствоРобертсоном и О’Рейлли [4].

вало об их высоком сопротивлении, не позволявшем исХарактерный размер кластеров каждой фазы состапользовать метод CTM. Однако на ряде образцов удалось вляет единицы нанометров [5]. Поэтому для изучения достичь атомного разрешения и непосредственно наблюструктуры аморфного алмазоподобного углерода особендать строение поверхности пленки a-C. Одна из полученно важны методы, способные исследовать топографию и ных в режиме постоянной высоты фотографий приведена электронную структуру вещества с нанометровым и субна рис. 1. В правой части изображения можно выделить нанометровым пространственным разрешением. К таким связанные 6- и 5-членные кольца. Расстояния между атометодам как раз и относятся сканирующие туннельные мами в кольцах составляют 1.3-1.6, что соответствует ¶ E-mail: lodygin@pop.ioffe.rssi.ru межатомному расстоянию для углерода при различных 1 1410 В.И. Иванов-Омский, А.Б. Лодыгин, С.Г. Ястребов На рис. 2 приведено CTM-изображение, полученное в работе [6] в режиме постоянного тока 10 нА при напряжении смещения +20 мВ, области с шестиугольной симметрией и характерным для графита межатомным расстоянием 1.42, по размерам не превышающей 15.

В правой и в верхней частях рис. 2 наблюдается другой интересный объект: домены с шестиугольной симметрией и межатомным расстоянием 2.5, что соответствует плоскости (111) в алмазе. Таким образом, на поверхности аморфного алмазоподобного углерода Рис. 1. CTM-изображение пленки a-C, полученное при напряприсутствуют как графитоподобные, так и алмазопожении смещения 20 мВ в режиме постоянной высоты. Размер добные фрагменты. Помимо вышеуказанного, авторам показанной области 28 12 2 [6].

работы [6] удалось обнаружить регулярные структуры с шагом 2.7 4.5, что соответствует реконструированной поверхности 1 2 алмаза (111). Такая реконструкция характерна для алмаза, если свободные связи на его поверхности не насыщены водородом, и экспериментально наблюдалась в кристаллическом алмазе с помощью CTM [9].

В работе [10] исследовано влияние температуры подложки на структуру пленки a-C. Как и в работе [6], для получения пленок a-C использовался магнетрон на постоянном токе. Авторам также удалось добиться атомного разрешения. На рис. 3 показаны CTM-изображения пленок [10], выращенных при температурах и 30C. На поверхности пленок наблюдаются графитовые домены размером 20-40. Повышение темпеРис. 2. CTM-изображение пленки a-C, полученное в режиме ратуры подложки приводит к смещению равновесия постоянного тока. Размер показанной области 40 40 2 [6].

в сторону образования sp2-гибридизованных кластеров и повышению регулярности их структуры. То, что на CTM-изображениях графитовых нанокластеров наблюдатипах связи. 5-членные кольца являются достаточно ется каждый атом графита, а не каждый второй, связыустойчивой конфигурацией sp3-гибридизованного углевается авторами работы [10] с особенностями упаковки рода, так как валентный угол в них (108) близок к графитового домена. В то время как в монокристалле тетраэдрическому (109.5). Такие кольца могут обраграфита соседние плоскости смещены друг относительно зовываться как на самой поверхности, так и в газовой друга и образуют порядок ABAB, в пленках аморфного фазе еще до осаждения. Последнее подтверждается массуглерода, по-видимому, присутствует нанокристаллит, в спектрометрическими данными, опубликованными в [7].

котором плоскости расположены точно одна под другой В левой части рис. 1 наблюдается искаженная шести(порядок AAAA). Это одна из форм так называемого угольная конфигурация, представляющая собой графитотурбостратического графита (turbostratic graphite) [11].

вый домен размером 15. Светлые области на изоАвторы работы [12] получили на пленках DLC, пригображении соответствуют -связям, так как энергия электовленных электронным испарением графита, несколько трона в -связанном состоянии углерода ближе всего к меньшие кластеры — 15.

уровню Ферми. Авторы отмечают, что наблюдаемая ими В работах [13,14] было проведено CTM-исследование картина (виден каждый атом углерода) свидетельствует поверхности DLC, полученного разложением метана в о локализованных по Кекуле -связях, что характерно плазме высокочастотного разряда. Разрешение было нидля небольших полициклических углеводородов. Для же, чем в двух вышеупомянутых работах [6,10], но при сравнения можно сказать, что на CTM-изображении этом авторы работы [13] исследовали большую площадь поверхности кристаллического графита виден только образца. В целом поверхность DLC была плоской, однако каждый второй атом (см. [8]). Этот эффект вызывается на ней присутствовали наноразмерные особенности в межплоскостными связями в графите, и его отсутствие виде холмов размером 40-60 (рис. 4). Существоваговорит об отсутствии слоистой структуры, характерной для графита [8]. ние подобных особенностей на поверхности ряда плеОтсутствие дальнего порядка на фотографиях подтвер- нок DLC подтверждается исследованиями при помощи ждает, что наблюдаемая картина обусловлена именно сканирующего микроскопа атомных сил (AFM) [15–17].

структурой пленки, а не паразитным многократным ото- Однако существуют пленки и без подобных особеннображением единственной особенности. стей, например, наблюдавшиеся авторами работы [18].

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Сканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия аморфного углерода Рис. 3. CTM-изображение пленок a-C, выращенных при температурах 450C (слева) и 30C (справа) [10].

Рис. 4. Слева — особенность рельефа поверхности пленки DLC, размер показанной области 225 360 2 [13]. Справа — поверхность DLC, не содержащая особенностей [18].

В работе [19] проведено CTM-исследование углерод- Анализ качества CTM-изображений в зависимости от ных пленок, выращенных испарением графита элек- сопротивления пленки проведен в работе [21]. Потронным пучком. Температура подложки изменялась казано, что пленки DLC с наибольшим содержанием в широких пределах (от комнатной до 800C). sp3-гибридизованных атомов при исследования с помоCTM-изображения пленок, полученных при комнатной щью CTM дают артефакты, связанные со столкновением температуре, свидетельствуют о неупорядоченной струк- иглы с выступающим на поверхности непроводящим туре. При повышении температуры возникает графито- sp3-кластером.

вый нанокристаллит, подобный описанному в работе [9]. Дополнительную привлекательность CTM-исследоРазмер графитовых доменов растет с повышением тем- ваниям аморфного углерода придает то, что игла CTM пературы, достигая при 800C значения 200. Данные может одновременно использоваться и как инструмент CTM-исследования подтверждаются электронной и ра- модификации структуры DLC. Для этого на иглу CTM мановской спектроскопией. подается отрицательный потенциал, и поток электроCTM-исследование влияния на рельеф DLC ионной нов с иглы модифицирует структуру пленки. Пример бомбардировки проведено в [20]. Показано, что поверх- наноразмерной модификации поверхности пленки DLC ностные неоднородности высотой до 15–20 нм можно с можно найти в работе [22]. Авторы работы [22] модипомощью ионной бомбардировки (использовались ионы фицировали так называемый тетраэдрический аморфный азота, кислорода и аргона с энергией 1 кэВ) сгладить углерод ta-C : H — аморфный углерод с высоким, до 85%, до высоты 1.5–3.0 нм. Это приводит к значительному содержанием sp3-гибридизованного углерода. Удалось понижению коэффициента трения пленки DLC и важно достичь стабильных структурных изменений в областях для применения последней в качестве износостойкого размером 100 нм. Сканирующая туннельная микроскопокрытия. пия, а также микроскопия атомных сил и спектроско1 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1412 В.И. Иванов-Омский, А.Б. Лодыгин, С.Г. Ястребов пия электронных потерь показали, что в измененной области произошла локальная графитизация — переход к sp2-гибридизованному состоянию.

Другой пример наноразмерной модификации поверхности a-C : H приведен в работе [23]. В переменном электрическом поле иглы CTM проводилась полимеризация адсорбированного трихлорэтилена. Адсорбат превращался в графитизированный нарост на поверхности пленки. Возможность производить контролируемые на- Рис. 5. Типичная вольт-амперная характеристика туннельного носкопические изменения в пленках a-C, a-C : H с помо- контакта пленка DLC – игла CTM, полученная в работе [13].

щью туннельного микроскопа несет в себе перспективы для применений пленок аморфного углерода в микро- и наноэлектронике.

3. Сканирующая туннельная спектроскопия аморфного углерода Уникальность сканирующей туннельной спектроскопии (CTC) при исследовании аморфного алмазоподобного углерода заключается в том, что она позволяет изучать локальную электронную структуру этого материала в областях, меньших, чем характерный размер sp2- и sp3-кластеров. Однако у метода CTC есть и ряд недостатков. Первый из них связан с конструктивными особенностями туннельного микроскопа. В CTM существует цепь обратной связи, поддерживающая зазор между иглой и образцом в режиме постоянного тока.

Простейший способ получения вольт-амперной характеристики структуры образец– туннельный зазор –игла (туннельного спектра) при фиксированном положении иглы — отключение этой цепи. Однако при отключении цепи игла CTM оказывается в положении неустойчивого равновесия [24]. Переходные процессы в цепях CTM в момент отключения обратной связи, электростатические силы между иглой и подложкой и прочие помехи могут привести к неконтролируемому изменению расстояния между иглой и образцом. Альтернативным способом измерения туннельного спектра является сужение полосы пропускания цепи обратной связи CTM таким Рис. 6. Обычная (вверху), дифференциальная (в середине) и образом, чтобы время ее срабатывания было больше, чем нормированная (внизу) вольт-амперные характеристики пленвремя модуляции напряжения (туннельный спектр в этом ки a-C, выращенной при энергии ионов 50 эВ [26].

режиме снимается на переменном токе). При этом само время модуляции должно быть достаточно велико, чтобы исключить вклад емкостной составляющей полного тока.

ваниями [13,14]. Качество получаемых спектров (рис. 5) Подробный обзор методологических проблем CTC на позволяло оценить электрическую ширину запрещенной воздухе можно найти в работе [24].

зоны вблизи поверхности, но не давало возможности Втoрой недостаток метода CTC — трудность интеропределить форму локальной плотности состояний.

претации получаемых результатов. В зависимости от Значительно лучшие спектры удалось получить в [26].

Pages:     || 2 | 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.