WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[2] В.С. Абрамов, И.П. Акимченко, В.А. Дравин, Н.Н. Дымова, В.В. Краснопевцев, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 25, 1355 (1991).

[3] M.G. Milvidskii, V.B. Osvenskii, S.S. Shifrin. J. Cryst. Growth, 52, 396 (1981).

[4] Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 17, 108 (1983).

[5] V.V. Chaldyshev, E.V. Astrova, A.A. Lebedev, I.A. Bobrovnikova, N.A. Chernov, O.M. Ivleva, L.G. Lavrentieva, I.V. Teterkina, M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 146, 246 (1995).

[6] A.A. Bergh, P.J. Dean. Light-emitting Diodes (Charendon Press, Oxford, 1976).

[7] A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov.

Materials Science Forum, 196, 231 (1995).

Редактор В.В. Чалдышев Silicon and phosphorus co-implantation into undoped and indium-doped GaAs substrates N.N. Dymova2, A.E. Kunitsyn1, A.V. Markov3, V.V. ChaldyshevA.F. Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg Physical Institute, Russian Academy of Sciences, 117924 Moscow Institute of Rare Metals, 109017 Moscow

Abstract

The electrical properties and low-temperature (at 4.2 K) photoluminescence of heavily doped n-type layers produced by silicon and silicon with phosphorus implantation into undoped and indium-doped semi-insulating Czochralski grown GaAs substrates were investigated. We have found that Si + P co-implantation results in suppression of deep levels in the anion sublattice, increase of donor activation efficiency, and sharper carrier concentration profile in both types of substrate. The use of indium-doped substrates enchances radiation defect annealing, but does not change the donor activation efficiency.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.