WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

где rj [мкм] — глубина стокового и истокового p-n-переходов, d [] — толщина диэлектрика, ws + wd [мкм] — сумма толщин обедненных слоев истока и стока. В случае МДП транзистора толщина диэлектрика d характеризует степень ”близкодействия” затвора на канал. В случае транзистора со скрытым p-n-переходом в качестве затвора эту же роль играет толщина канала a. По аналогии с последней формулой, для таких транзисторов можно ввести аналогичный критерий Lmin, заменяя d (а для грубых оценок (ws + wd) и rj) на толщину канала a. Далее, с учетом соотношения Vp = qNa2/2, можно определить Lmin в зависимости от степени легирования канала N и заданного напряжения отсечки Vp. Как становится ясным, в случае высоковольтного транзистора, требующего низкой Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.