WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

иона эрбия позволяет существенно модифицировать инДля количественной оценки увеличения интенсивно- тенсивность спонтанной эмиссии ионов эрбия за счет сти спонтанной эмиссии ионов эрбия вблизи края ФЗ сильного изменения плотности оптических мод в одноРБО был выращен реперный образец. После осаждения мерном фотонном кристалле. Спектральный диапазон, в седьмого (центрального) слоя a-Si : H, легированного котором наблюдалось увеличение интенсивности излуэрбием, часть поверхности структуры закрывалась (пра- чения, соответствует стандарту современных телекомвая часть структуры, изображенной на рис. 4). Затем муникационных технологий (1.5 мкм), что дает основапроцесс роста продолжался до 13 слоев (левая часть ние рассматривать возможность применения изготовструктуры, изображенной на рис. 4). Спектры излучения ленных брэгговских структур для создания, например, ионов эрбия из поверхностного слоя a-Si : H семислой- планарных оптических усилителей в системах передачи ной структуры и из центрального слоя a-Si : H, нахо- информации.

дящегося внутри тринадцатислойной структуры, привеАвторы признательны А.В. Селькину и А.А. Дукину за дены на рис. 4. Из сравнения спектров можно сделать полезные обсуждения.

вывод о том, что интенсивность спонтанной эмиссии ионов эрбия, помещенных внутрь одномерного ФК, Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ возрастает почти на порядок в спектральной области, (грант № 05-02-17803), гранта NATO PST.CLG 980399 и соответствующей краю нижайшей ФЗ. контракта PHOREMOST (FP6/2003/IST-2-511616).

Таким образом, выращены одномерные фотонные кристаллы, представляющее собой брэгговские структуры Список литературы из чередующихся слоев a-Si : H и a-SiOx : H. В процессе роста структур в центральные слои a-Si : H были введены [1] Р. Лоудон. Квантовая теория света. (М., Мир, 1976).

источники спонтанной эмиссии — ионы эрбия. Ис[Пер. с англ.: R. Loudon. The Quantum Theory of Light следованы спектры пропускания и фотолюминесценция (Clarendon, Oxford, 1973)].

синтезированных структур. Экспериментально показано, [2] E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946).

что частотный сдвиг края фотонной зоны относитель- [3] E. Yablonovitch. Phys. Rev. Lett., 58, 2059 (1987).

но спектрального положения излучательного перехода [4] S. John. Phys. Rev. Lett., 58, 2486 (1987).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны... [5] A. Polman, P. Wiltzius. MRS Bulletin, 26, 608 (2001). Enhancement of erbium spontaneous [6] S.Y. Lin, J.G. Fleming, I. El-Kady. Appl. Phys. Lett., 83, emission near the photonic band edge (2003).

in distributed Bragg reflectors based [7] M. Woldeyohannes, S. John. J. Optics B: Quant. Semiclass.

on a-Si : H/a-SiOx : H Opt., 5, R43 (2003).

[8] P. Lodahl, A.F. van Driel, I.S. Nikolaev, A. Irman, A.V. Medvedev, N.A. Feoktistov, A.B. Pevtsov, K. Overgaag, D. Vanmaekelbergh, W. Vos. Nature, 430, V.G. Golubev (2003).

[9] M.J.A. de Dood, A. Polman, J.G. Fleming. Phys. Rev. B, 67, A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, 115 106 (2003).

Russian Academy of Sciences, [10] C. Weisbuch, H. Benisty, R. Houdre. J. Luminesc., 85, 194021 St. Petersburg, Russia (2000).

[11] M.D. Tocci, M. Scalora, M.J. Bloemer, J.P. Dowling,

Abstract

We present results of an experimental investigation on C. Bowden. Phys. Rev. A, 53, 2799 (1996).

the erbium ion spontaneous emission within spectral range of the [12] V.I. Kopp, B. Fan, H.K.M. Vithana, A.Z. Genack. Opt. Lett., lower photonic band edge in distributed Bragg reflectors (one23, 1707 (1998).

dimensional photonic crystals). The photonic crystals composed [13] F. Girgis. Appl. Phys. Lett., 77, 522 (2000).

of alternating quarter-wave a-Si : H/a-SiOx : H layers fabricated by [14] A. Serpenguzel, S. Tanriseven. Appl. Phys. Lett., 78, plasma enhancement chemical vapor deposition technique. Erbium (2000).

was introduced into a-Si : H layers by magnetron sputtering of an [15] E. Ozbay, I. Bulu, K. Aydin, H. Gaglayan, K. Guven.

erbium target during growth of the structure. The observable Photonics and Nanostructures — Fundamentals and Applimodification of erbium spontaneous emission intensity was caused cations, 2, 87 (2004).

by non-monotonic behavior of the density of optical states near the [16] A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997).

photonic band edge.

[17] A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel’kin. Appl. Phys. Lett., 77, 3009 (2000).

[18] В.Г. Голубев, А.А. Дукин, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТП, 35, 1266 (2001).

[19] A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel’kin. Phys. Rev. E, 67, 046 602 (2003).

[20] А. Ярив, П.Юх. Оптические волны в кристаллах (М., Мир, 1987). [Пер. с англ.: A. Yariv, P. Yeh. Optical waves in crystals (N.Y., Wiley, 1984)].

[21] J.M. Bendickson, J. Dowling, M. Scalora. Phys. Rev. E, 53, 4107 (1996).

[22] J.D. Joannopoulos, R.D. Meade, J.N. Winn. Photonic Crystals:

Molding the Flow of Light (Princeton University Press, Princeton, NJ, 1995).

[23] В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 41, 153 (1999).

Редактор Л.В. Беляков Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.