WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

При e = 1.34% и токе 75 мА в светодиоде III типа Если использовать дифференциальный внешний кванполучается d = 16 см-1. Тот факт, что d на порядок товый выход фотонов в этих светодиодах 3.2 и 2.2% собольше e, заставляет обратить внимание на сущеответственно, то получим внутренний квантовый выход ственность нефотоактивного поглощения. К тому же фотонов 84%, что очень близко к 100%. Этот квантовый оценки внутреннего квантового выхода фотонов при выход фотонов равен доле рекомбинации через двухзаоптимальном токе дают величину = s + l = 63%, т. е.

рядные акцепторы во всей межзонной и квазимежзонной приближающуюся к 100%.

рекомбинации, включая безызлучательную. Полученные результаты позволяют надеяться на создание высокоэффективных мощных светодиодов, работающих на элек6. Анализ результатов эксперимента тронных переходах через двухзарядные акцепторы.

Светодиоды с расположением активной области вблизи наружной лицевой грани и с круглым, и с сетчатым 7. Заключение омическими контактами излучают и коротковолновую полосу, и длинноволновую, обусловленную двухзарядПо результатам исследований можно сделать следуюными акцепторами (рис. 2, 3).

щие выводы.

Слабая зависимость формы спектров излучения от 1) Спектры излучения почти одинаковы по форме в тока говорит о том, что излучение генерируется в случае сетчатых и круглых контактов.

p-области, где заполнение двухзарядных центров почти не зависит от тока, в отличие от n-области. Подложеч- 2) Светодиоды с сетчатыми контактами способны ная n-область играет основную роль в нефотоактивном давать гораздо большую мощность излучения, чем с поглощении из-за большой толщины. круглыми.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами 3) Выведены математические соотношения, описыва- Properties of GaSb-based light-emitting ющие растекание тока из круглых и сетчатых контактов diodes with grid ohmic contacts и позволяющие выбирать параметры полупроводникоA.N. Imenkov, E.A. Grebenshchikova, B.E. Zhurtanov, вых слоев для обеспечения равномерного распределения T.N. Danilova, M.A. Sipovskaja, N.V. Vlasenko, тока по площади p-n-перехода.

Yu.P. Yakovlev 4) Эксперименты и расчеты показывают, что плотность тока под сетчатыми контактами реально в 20 раз Ioffe Physicotechnical Institute, меньше, чем под круглыми, что значительно уменьшает Russian Academy of Sciences, вклад безызлучательной оже-рекомбинации и позволяет 194021 St. Petersburg, Russia получать большую мощность излучения — до 3.5 мВт при токе 300 мА.

Abstract

Repoted is a study of the GaSb / GaInAsSb / 5) Внутренний квантовый выход излучения в длинGaAlAsSb-based LEDs radiating due to electronic transitions новолновой и коротковолновой полосах двухзарядного from the conductivity gap to the levels of their double charges акцептора в p-GaSb, определенный экспериментально, acceptors. The parallelepiped-like LEDs with both round and равен 16 и 47% соответственно. Коэффициент нефотоgrid contacts on an epitaxial layer surface have been investigated активного поглощения рекомбинационного излучения в both experimentally and theoretically. Mathematical formulae for светодиоде составляет 16 см-1.

a current spreading from the round and grid contacts are given.

It is shown that grid contacts provide the uniform distribution Работа частично поддержана грантом РФФИ № 04-02of a current on the area of an emitting layer unlike the round 17655 и частично грантом CRDF Rpo-1407-ST-03.

contacts. The current density under the grid contact is 20 times less, than that under the round one. It is especially important for Список литературы long-wavelenght LEDs (2 µm) in which the nonradiative Auger recombination contribution is significant. The radiation power of [1] Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. ДаLEDs with grid contacts is 3.5 mW for the current of 300 mA.

нилова, А.В. Черняев, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (12), 1465 (2003).

[2] Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев.

ФТП, 38 (6), 745 (2004).

[3] Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, Л.Т. Чичуа. Письма ЖТФ, 2 (23), (1976).

[4] Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Пушный, Л.Т. Чичуа. Письма ЖТФ, 3 (14), (1977).

[5] I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneay, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2174 (1993).

[6] R. Windisch, P. Heremans, A. Knobloch, P. Kiesel, G.H. Dohler, B. Dutta, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2256 (1999).

[7] Э. Камке. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям (М., Наука, 1971).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.