WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами © А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, ¶ М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 7 апреля 2004 г. Принята к печати 19 апреля 2004 г.) Сообщается об исследовании светодиодов на основе гетероструктур GaSb-GaInAsSb-GaAlAsSb, излучающих за счет электронных переходов из зоны проводимости на уровни собственных двухзарядных акцепторов. Экспериментально и теоретически исследованы светодиоды в виде параллелепипеда как с круглым контактом, так и с сетчатым контактом на поверхности эптиксиального слоя. Приводятся математические соотношения, описывающие растекание тока из круглых и сетчатых контактов. Показано, что сетчатые контакты обеспечивают равномерное распределение тока по площади излучающего слоя в отличие от круглых контактов. Плотность тока под сетчатым контактом реально в 20 раз меньше, чем под круглым, что особенно актуально для длинноволновых светодиодов ( 2мкм), в которых велик вклад безызлучательной оже-рекомбинации. С сетчатыми контактами получена мощность излучения 3.5 мВт при токе 300 мА.

1. Введение тактом особенно нежелательно в светодиодах средней инфракрасной области спектра, так как в них велика В нашей работе [1] показано, что в светодиодах с доля безызлучательной оже-рекомбинации и имеется близким расположением излучающего слоя к наружной сильное поглощение излучения свободными носителяповерхности, на которой расположен омический контакт, ми заряда. Увеличение концентрации носителей заряда обнаруживается нежелательное физическое явление: со- при сосредоточении тока усиливает эти нежелательные явления.

средоточение излучения под контактом, приводящее к сильному уменьшению дифференциальной эффективно- В данной работе ставилась задача уменьшить сосредости при увеличении тока и большой плотности тока под точение излучения под контактом в светодиодах средней контактом. По последней причине сокращается сверхли- инфракрасной области спектра путем создания сетчатых нейный участок на характеристикие ток–излучение при омических контактов и исследовать растекание тока из малых токах. Доля безызлучательной оже-рекомбинации них по тонкому полупроводниковому слою.

становится большой уже при малых токах вследствие повышения концентрации неравновесных носителей за2. Методика эксперимента ряда. Излучательная эффективность снижается. В последующей работе [2] показано, что в светодиодах Исследуемые светодиодные структуры изготавливас развитой световыводящей наружной поверхностью, лись методом жидкофазной эпитаксии на подложках обеспечивающей ненаправленность излучения внутри n-GaSb толщиной 400 мкм, ориентированных в кристалкристалла, внешний квантовый выход излучения возраслографической плоскости (100). Подложки были легиротает с увеличением отношения площади светодиодного ваны Te до концентрации электронов 8 · 1017 см-3. Внакристалла (чипа) к его объему, т. е. желательно утоньшечале из обычного раствора–расплава, в который было доние светодиодного кристалла. Получены теоретические бавлено 0.03% In, выращивался активный нелегировансоотношения, показывающие возможность выхода из ный слой, близкий по составу к GaSb. Добавка In уменькристалла всего излучения при уменьшении толщины шала ширину запрещенной зоны слоя всего на 1 мэВ.

кристалла. Это обеспечивается многопроходностью, пеВыращенный слой имел дырочную проводимость за счет реизлучением и малым нефотоактивным поглощением расположения части атомов Ga в узлах кристаллической излучения.

решетки, предназначенных для атомов Sb. Толщина слоя Уменьшение толщины кристаллов до 100 мкм для составляла 2 мкм. Далее выращивался более широкозонсоздания высокоэффективных светодиодов ближней инный ограничительный слой p-GaAl0.34SbAs, легированфракрасной области спектра было предпринято уже ный Ge до концентрации дырок 1 · 1018 см-3, толщина давно [3,4]. В последнее время толщина кристалла была составляла 3.5 мкм. На него наращивался контактный уменьшена еще почти на 2 порядка [5,6]. Появлились слой p-GaSb толщиной 0.5 мкм, сильно легированный Ge трудности, связанные с недостаточным растеканием тока до концентрации дырок 8 · 1019 см-3.

из омических контактов. Сосредоточение тока под конДля экспериментов одна пластина с эпитаксиальными ¶ слоями была разделена на несколько частей, из которых E-mail: yak@iropt.ioffe.rssi.ru Fax: (812) 2470006 затем при помощи контактной фотолитографии изго1400 А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская...

ранее вожженные контакты диаметром 100 мкм. После разделения светодиодного кристалла на отдельные чипы методом скалывания каждый чип монтировался подложечной стороной на светодиодный кристаллодержатель TO-18 с плоским столиком.

Для сравнения со светодиодами, имеющими стандартные геометрические параметры (рис. 1, a), из той же светоизлучающей структуры были изготовлены чипы с контактами в форме сетки (рис. 1, b, c) с шириной полос 25 мкм и шагом 150 мкм. Светодиодная структура была предварительно утоньшена до 270 мкм химическим травлением подложки. Контактные слои сеточной конфигурации были напылены как со стороны эпитаксиального слоя (p-область), так и со стороны подложки (n-область) —Cr, Au + Ge, Au и Cr, Au + Te, Au соответственно. После напыления контакты в виде сетки были вожжены при температуре 250C в течение 1 мин. Затем со стороны подложки с помощью фотолитографии был сформирован рисунок в виде квадратов с шагом 500 мкм и разделительной полоской шириной 25 мкм для разделения структуры на отдельные чипы. После разделения структуры методом скалывания каждый чип монтировался на светодиодный кристаллодержатель TO-18 с плоским столиком. Часть чипов монтировалась подложечной стороной к столику (рис. 1, b), а другая часть эпитаксиальной (рис. 1, c).

Измерялись спектры и диаграммы направленности излучения при комнатной температуре и различных токах от 10 до 300 мА. Светодиоды обдувались бытовым вентилятором для уменьшения нагревания. Дифракционный монохроматор МДР-2, на котором измерялись спектры, Рис. 1. Схемы конструкции светодиодных кристаллов трех был прокалиброван в единицах мощности излучения на типов: a — с круглыми контактами и светоизлучающей облаединицу длины волны, мВт / мкм. Для вычисления всей стью в лицевой меза-структуре; b — с сетчатыми контактами и лицевым расположением излучающей области; c — с сетча- мощности излучения спектры измерялись в двух направтыми контактами и расположением светоизлучающей области лениях: перпендикулярном плоскости p-n-перехода или вблизи кристаллодержателя.

параллельном ей и при этом перпендикулярном одной из граней кристалла. Мощность в параллельном направлении бралась удвоенной при вычислении всей мощности излучения, что в точности соответствует диаграмме тавливались светодиодные структуры с металлическими направленности светодиодов в форме параллелепипедов.

контактами различной формы и разного размера (рис. 1).

Первый тип полупроводниковых светодиодных структур был стандартным. После частичного сошлифовыва- 3. Результаты экспериментов ния подложки толщина структуры составляла 300 мкм.

Со стороны эпитаксиального слоя, т. е. на p-области, Светодиоды с круглыми и сетчатыми контактами были сформированы контакты диаметром 100 мкм различаются по основным параметрам: спектрам излу(рис. 1, a) путем последовательного напыления Cr, спла- чения, диаграммам его направленности и зависимости ва Au + Ge и Au на установке ВУП-4. Со стороны мощности излучения от тока (рис. 2-6).

подложки, т. е. на n-область, напылялись Cr, Au + Te и Au. Затем контакты вжигались в течение 1 мин 3.1. Спектры излучения при температуре 250C. После этого не поверхности эпитаксиального слоя с помощью фотолитографии Сначала рассмотрим светодиоды I типа с круглым конбыл сформирован рисунок в виде квадратов со сторо- тактом на эпитаксиальной наружной стороне и сплошной 475 мкм и шагом 500 мкм для разделения структуры ным контактом на подложке, спаянной с кристаллодерна отдельные чипы. На следующем этапе в центре жателем. Спектр излучения, измеренный в направлении, квадратов были сформированы мезы диаметром 300 мкм перпендикулярном плоскости p-n-перехода, имеет две и высотой 10 мкм, в центре которых располагались полосы с длинами волн максимумов 1.76 мкм (энергия Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами фотона 0.705 эВ) и 1.9 мкм (0.65 эВ) и шириной на половине высоты 0.14 и 0.17 мкм соответственно (рис. 2, кривая 1). Интегральная мощность коротковолновой полосы на 20% больше, чем длинноволновой. В плоскости p-n-перехода получается только длинноволновая полоса (рис. 2, кривая 2). Ее интегральная мощность приблизительно такая же, как мощность длинноволновой полосы при регистрации излучения перепендикулярно плоскости p-n-перехода, а ширина на 20% больше.

Светодиоды II типа, с сетчатыми контактами, размещенные эпитаксиальной стороной наружу, имеют приблизительно такие же спектры излучения (рис. 3).

В этом случае мощности коротковолновой и длинноволновой полос излучения перпендикулярно плоскости p-n-перехода приблизительно одинаковы, а мощРис. 4. Спектры излучения светодиода с сетчатыми контактами и расположением излучающего слоя вблизи кристаллодержателя, снятые в двух направлениях: 1 — перпендикулярно лицевой грани, 2 — перпендикулярно боковой грани.

ность длинноволновой полосы излучения в плоскости p-n-перехода больше по сравнению с каждой из них на 15%.

Светодиоды III типа, с сетчатыми контактами, излучают только в длинноволновой полосе (рис. 4). Мощность излучения в направлении, перпендикулярном плоскости p-n-перехода (рис. 4, кривая 1), больше, чем в плоскости p-n-перехода (рис. 4, кривая 2) на 25%. Ширина спектральных полос в обоих направлениях составляет 0.2 мкм.

Рис. 2. Спектры излучения светодиода с круглыми контактами при токе 75 мА, измеренные в двух направлениях: 1 — пер3.2. Диаграммы направленности пендикулярно лицевой грани, 2 — перпендикулярно боковой грани.

Для светодиодов каждого типа характерно свое распределение излучения в дальней зоне (рис. 5). Светодиоды I типа, с круглым контактом на наружной p-стороне, наиболее сильно излучают в направлении, перпендикулярном плоскости p-n-перехода (рис. 5, кривая 1), хотя, строго говоря, в этом направлении часто наблюдается маленький провал, как видно из рисунка.

При увеличении угла отклонения от перпендикулярного направления интенсивность излучения сначала увеличивается на 5%, а при углах отклонения >плавно спадает и при = 80 составляет 30-35% от значения при нулевом угле. При углах отклонения >90 интенсивность излучения резко падает, и это характерно для светодиодов всех типов из-за затенения кристаллодержателем.

Светодиоды II имеют значительно больший провал при нулевом угле в диаграмме направленности излучения (рис. 5, кривая 2). Интенсивность излучения сначала Рис. 3. Спектры излучения светодиодов с сетчатыми контакувеличивается на 23% с ростом угла до 30, а затемпри тами и лицевым расположением излучающей области, изме = 80 уменьшается до 50-60% относительно значения ренные в двух направлениях: 1 — перпендикулярно лицевой грани, 2 — перпендикулярно боковой грани. при нулевом угле.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1402 А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская...

светодиодах II и III типов она достигает 3.5 и 2.5 мВт соответственно при токе 300 мА.

Интегральный внешний квантовый выход фотонов e при токе 75 мА, когда не существенно ни нагревание током, ни сосредоточение тока под контактом, оказывается наибольшим в светодиодах I типа ( 2% — см. таблицу), так как не дающие излучения глубокие уровни уже насыщены при этом токе, в то время как в светодиодах других типов они не насыщены. Однако максимальный дифференциальный внешний квантовый выход фотонов оказывается больше в светодиодах II типа (ed = 3.5%), чем I типа, где он составляет 2.5%.

Светодиоды III типа проигрывают по этому параметру (2.2%) всем другим из-за удаленности светоизлучающей области от наружной грани. Ток, при котором величина ed максимальна, составляет 20 мА в светодиодах I типа Рис. 5. Диаграммы направленности светодиодов трех типов:

1 — с круглыми контактами; 2 — с сетчатыми контактами и и 100 мА в светодиодах II и III типов.

лицевым расположением излучающего слоя; 3 — с сетчатыми Параметры светодиодов контактами и расположением излучающего слоя вблизи кристаллодержателя.

Тип P, мВт e, % ed, % em, % Iopt, мА светодиода (I = 300 мА) (I = 75 мА) I 2.0 1.94 2.5 2.2 Для светодиодов III типа с сетчатыми контактами проII 3.5 1.91 3.2 2.4 вал в диаграмме направленности при нулевом угле еще III 2.5 1.34 2.2 1.7 более заметен (рис. 5, кривая 3). С увеличением угла интенсивность излучения сначала плавно увеличивается, становясь при = 40 на 35% больше первоначального Интегральный внешний квантовый выход излучения в значения, а затем плавно уменьшается, опускаясь при светодиодах I типа достигает максимального значения = 80 только до 80% относительно значения при em = 2.2% при токе Iopt = 40 мА (таблица). В светодинулевом угле.

одах II типа em = 2.4%, т. е. больше, чем в светодиодах I типа при большем токе Iopt = 180 мА, а в светодиодах III типа em = 1.7% при токе Iopt = 225 мА.

3.3. Квантовый выход фотонов Таким образом, светодиоды с сетчатыми контактами способны работать до больших токов и давать больший Зависимость мощности излучения P от тока I в рассматриваемых светодиодах — нелинейная (рис. 6).

При малых токах до 10 мА в светодиодах I типа (рис. 6, кривая 1) и до 75 мА в светодиодах II и III типов она сверхлинейная (рис. 6, кривые 2 и 3), а при больших токах — сублинейная.

Почти полное отсутствие сверхлинейного участка в светодиодах с круглым контактом малой площади на наружной p-поверхности уже отмечалось в работе [1] и объяснялось плохим растеканием тока от этого контакта по p-поверхности и сосредоточением тока под контактом. Концентрация неравновесных носителей заряда под контактом и вблизи него становится достаточной для насыщения не дающих излучения глубоких центров рекомбинации уже при малых токах, < 10 мА. В случае сетчатых контактов такого сильного сосредоточения тока не наблюдается.

По мощности излучения светодиоды II типа выигрыРис. 6. Зависимости мощности излучения от тока светодиодов вают у светодиодов I типа при токах > 90 мА, а светотрех типов: 1 — с круглыми контактами, 2 — с сетчатыми диоды III типа при токах > 190 мА (рис. 6). Мощность контактами и лицевым расположением излучающего слоя;

Pages:     || 2 | 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.