WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

The microscopic analysis of intervalence band absorpчто в полупроводниках с Eg <, кроме подавления tion (IVA) for hole transition into split-off band has been made. It ВП, также ослабевает оже-процесс с участием so-зоны was shown that IVA can heavily influence threshold characteristics (CHHS-процесс) и уменьшается разогрев, связанный с and quantum efficiency of heterolasers based on InAs. A detailed оже-рекомбинацией.

study of threshold characteristics as functions of temperature and heterostructure parameters has been carried out taking into account В заключение выражаем благодарность Е.Л. Ивченко the new hole absorption mechanism — IVA.

за обсуждение результатов и ценные советы, а Ю.П. Яковлеву за внимание и интерес к работе.

Экспериментальная часть работы поддержана научным фондом по теме N 4.14 ”Оптика. Лазерная физика”.

Список литературы [1] M. Aidaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus’, G.N. Talalakin. Infr. Phys. & Techn., 37, 83 (1996).

[2] P.J.A. Thijs, L.F. Tiemeijer, J.J.M. Binsma, T. van Dongen.

IEEE J. Quant. Electron, QE-30, 477 (1994).

[3] М.Ш. Айдаралиев, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26, 246 (1992).

[4] G.G. Zegrya. Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. dy M.O. Manasreh (Newward, 1997).

[5] A.R. Adams, K.C. Heasman, J. Hilton. Semicond. Sci. Technol., 2, 761 (1987).

[6] Б.Л. Альтшулер, Е.Л. Ивченко, А.Н.Москалев, Г.Е. Пикус, Р.М. Рындин.ЖЭТФ, 85, 346 (1983).

[7] Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991).

[8] Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978).

[9] Б.Л. Гельмонт, З.Н.Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, (1982).

[10] Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, v. 17, Semiconductors, ed. by O. Madeling (1982).

[11] Quantum Well Lasers, ed. by P. Zory (Academic Press, 1993).

[12] Н.В. Зотова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1964).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.