WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Removal of fluoropolimer from Si-structure surfaces by atomic hydrogen 4. Заключение flow treatment Показано, что обработка образцов в потоке атомар- E.V. Anishchenko, V.A. Kagadei, E.V. Nefeyodtsev, ного водорода приводит к эффективной очистке поверх- D.I. Proskurovsky, S.V. Romanenko ности полупроводниковых структур от фторуглеродных Research Institute of Semiconductor Devices, загрязнений. Удаление загрязнений происходит как с 63034 Tomsk, Russia поверхности полупроводниковой структуры, так и со Institute of High Current Electronics, стенок и дна контактных отверстий, что обусловлено Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, направленным характером движения атомов водорода 634021 Tomsk, Russia в потоке. При плотности потока атомов водорода на уровне 2 · 1015 ат. см-2с-1 обработка в течение 2 мин

Abstract

A successful removal of fluoropolimer from silicon при комнатной температуре достаточна для получения structure surfaces using neutral atomic hydrogen direct flow is чистой поверхности. Основными преимуществами обраinvestigated. It has been stated that the treatment of samples in ботки в направленном потоке атомов водорода перед atomic hydrogen direct flow of density of 2 · 1015 at. cm-2s-1 at известными методами являются ее совместимость с temperature of 20–100C leads to decreasing fluorocarbon CF технологией диэлектриков с низкой диэлектрической residues concentration by 5 orders of magnitude. Fluoropolimer проницаемостью, возможность очистки отверстий с removal is made from both the planar surface of a structure and высоким аспектным отношением, а также отсутствие the sidewalls and bottom of the contact holes with diameter of высокоэнергетичных и заряженных частиц в потоке, 0.3–0.25 µmand depth of 0.9 µm, opened in SiO2 film by reactive что приводит к минимизации привнесенных зарядов и ion etching. The treatment time of 2 min is quite sufficient for дефектов.

the fluoropolimer removal. This process of dry cleaning can be Авторы благодарны J.C. Voltz за предоставление обrecommended for application in the technology of manufacturing разцов со фторуглеродными загрязнениями, V. Diamant of integrated circuits with interlayer low-k dielectrics.

и R. Ziskind за помощь в организации измерений, A. Gladkikh за проведение измерений методом времяпролетной вторичной ионной масс-спектроскопии, В.Ф. Тарасенко и М.И. Ломаеву за предоставление ксеноновой УФ лампы.

Список литературы [1] N.H. Hendricks. Sol. St. Technol., 3, 31 (2003).

[2] M. Uhlig, A. Bertz, M. Rennau, S.E. Schulz, T. Werner, T. Gessner. Microelectronic Engin., 50, 7 (2000).

[3] P.T. Liu. T.C. Chang, S.M. Sze, F.M. Pan, Y.J. Mei, W.F. Wu, M.S. Tsai, B.T. Dai, C.Y. Chang, F.Y. Shih, H.D. Huang. Thin Sol. Films, 332, 345 (1998).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.