WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

сти поведения ФЛ, мы полагаем, что механизм воз[4] H. Koyama, N. Koshida. Phys. Rev. B, 52, 2649 (1995).

никновения поляризационной памяти является единым.

[5] V. Masumoto, H. Kunitomo, S. Shinoya, H. Munekata, Возбужденные квантами света электроны, у которых H. Kukimoto. Sol. St. Commun., 51, 209 (1984).

направление скорости оказывается перпендикулярным [6] Rusla, Gehan A.J. Amaratunga, J. Robertson. Phys. Rev. B, оси кристаллита, рассеиваются на колебаниях решетки 53, 16306 (1996).

и термолизуются преимущественно в более низкие энер[7] K. Murayama, M.A. Bsch. Phys. Rev. B, 25, 6542 (1982).

гетические состояния, изменяя направление скорости. Те [8] В.И. Земский, Б.П. Захарченя, Д.М. Мирлин. Письма же носители, у которых в результате фотовозбуждения ЖЭТФ, 24(2), 96 (1976).

скорость была сориентирована вдоль оси кристаллита, [9] T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futaki, H. Mimura, для изменения ее направления в результате процесса рас- Y. Kanemitsu. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC [10] A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Yanzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994).

[11] J.S. Shor, L. Bemis, A.D. Kurtz, M. Mcmillan, W.J. Choyke, I. Grimberg, B.Z. Weiss. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenscer et al. Inst. Phys. Conf. (IOP, Bristol, 1993) Ser. N 137. p. 193.

[12] А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 21(3), 64 (1995).

[13] A.O.Konstantinov, A. Henry, C.I. Harris, E. Yanzen. Appl.

Phys. Lett., 66, 2250 (1995).

[14] А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29, 2122 (1995).

[15] А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, Е.Г. Гук, П.А. Иванов, А.А. Мальцев. ФТП, 30, 1064 (1996).

[16] А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев.

ФТП, 31, 420 (1997).

[17] A. Bsiesy et al. Surf. Sci., 254, 195 (1991).

[18] S. Komuro, T. Kato, T. Morikava. J. Appl. Phys., 80, (1996).

[19] F. Koch. Тез. докл. 2-й Рос. конф. по физике полупроводников (СПб.-Зеленогорск, 1996) p. 118.

[20] P. Basmaji, V.S. Bagnato, V. Grivickas, G.I. Surdotovich, R. Vitlina. Thin Sol. Films, 223, 131 (1993).

[21] A.G. Cullis, L.T. Canham, G.H. Williams, P.W. Smith, O.D. Dosser. MRS Proc., 283, 257 (1993).

[22] O. Teschke, F. Alvarez, L. Tessler, M.U. Kleinke. Appl. Phys.

Lett., 63, 1927 (1993).

Редактор Т.А. Полянская Polarization retention in photoluminescence of porous oxidized silicon carbide A.M. Danishevskii, A.Yu. Rogachev, V.B. Shuman, E.G. Guk A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Investigations of spectral, kinetic and polarization photolumeniscence (PL) characteristics of porous layers created on microcrystalline cubic SiC films deposited on silicon substrates were fulfilled. There is a wide band with the maximum 3.1–3.15 eV which rather weakly depends on temperature. So we connect it with radiation of excitons localized in small crystallites. Polarization and polarization retention of PL were observed at two temperatures (90 and 300 K) for various wavelengths of radiation. A qualitative model of the phenomenon connected with anisotropic properties of the crystallites and quantum confined effects was suggested.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.