WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимации в вакууме © Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: Lev.Sorokin@shuvpop.ioffe.rssi.ru (Поступила в Редакцию 3 февраля 2000 г.) Рентгенодифракционными методами (топография, дифрактометрия) и методом оптической микроскопии изучалось структурное совершенство подложек карбида кремния и гомоэпитаксиальных слоев, выращенных на них сублимационным методом. Определены оптимальные дифракционные условия (hkil-отражения, — длина волны излучения, геометрия съемки), дающие возможность выявить ”микропайпы” дислокационной природы. Показано, что использованные условия роста позволяют получать эпитаксиальные слои высокого совершенства.

Работа была поддержана грантом INTAS (N 97-30834).

Успехи в выращивании монокристаллов карбида крем- метром 25 mm была разрезана на несколько частей ния достаточно больших размеров и применение совре- площадью 1cm2 для проведения различных эксперименных технологий эпитаксиального роста слоев увели- ментов. Эпитаксиальные слои наращивались на них субчивают перспективу использования SiC для получения лимационным методом. Непосредственно перед ростом силовых приборов, светодиодов и других устройств, ра- эпитаксиального слоя проводилось сублимационное тработающих в экстремальных условиях (высокие темпера- вление подложки для снятия нарушенного слоя, образутуры, радиация, агрессивные среды и т. п.). Существенно ющегося при механической обработке поверхностей подограничивающим фактором использования этих кристал- ложки. Рост слоев n-типа проводимости осуществлялся лов в указанных целях является наличие в них структур- на Si-грани подложки в вакууме 10-6 torr при темпераных дефектов. Характер формирования дислокационной туре источника роста 2000C [2]. Температурный структуры, распределение дислокаций и других дефектов градиент ячейки роста изменялся путем перемещения по площади и в объеме зависят от способа выращипоследней внутри индуктора. Скорость роста составляла вания подложек, который определяет индивидуальные около 15 µm в час при температуре 2000C. Таким особенности дефектной структуры последних. Поскольку способом были выращены слабо компенсированные эпимногие параметры полупроводниковых приборов зависят таксиальные слои карбида кремния с концентрацией от структурных дефектов в слоях, их улучшение невозNd - Na 1 · 1015 cm-3 и диффузионной длиной дырок можно без систематического исследования структурного 2.5 µm.

совершенства как исходного материала (подложек), так В работе применялся комплекс неразрушающих ренти эпитаксиальных слоев.

генодифракционных (топография, дифрактометрия) и В данной работе проводилось изучение особенностей оптико-микроскопических методов анализа структурных дефектной структуры подложек карбида кремния, выдефектов.

ращенных модифицированным методом Лели (МЛ), и В рентгенотопографических исследованиях использоэпитаксиальных слоев, полученных на Si-грани методом вались метод трансмиссионной топографии (метод Лансублимации.

га), метод обратного отражения в асимметричной геометрии съемки (метод Берга–Баррета) и метод двухкристальной топографии. Метод Ланга позволяет выявить 1. Методика эксперимента и анализировать дефекты во всем исследуемом объеме кристалла. В этом случае, чтобы избежать вклада поКристаллы (подложки) SiC, выращенные методом МЛ, верхностных нарушений необработанной C-поверхности обладают высоким структурным совершенством, но из-за в дифракционное изображение, подложка дополнительно их малого размера не могут быть использованы для ряда полировалась и травилась в расплаве KOH. Второй применений. Кристаллы SiC, выращенные методом МЛ, могут иметь большие размеры (25–75 mm в диаметре), метод позволяет получать дифракционное изображение но значительно уступают первым по совершенству струк- дефектов, содержащихся в приповерхностном слое. Растуры [1]. четная глубина формирования дифракционного отражеИз всех известных политипов SiC наиболее распро- ния рентгеновских лучей, определяемая экстинкцион страненным для наращивания эпитаксиальных слоев ной длиной t для используемых отражений (101.10) и является политип 6HSiC, использованный в настоящем (112.12) при CuK-излучении, составляет 13 и 27 µm эксперименте. Подложка SiC фирмы CREE (США) диа- соответственно. В методе двухкристальной топографии Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев... в геометрии Брэгга использовался германиевый монохроматор, установленный в симметричном отражении (111). В этом методе за счет уменьшения расходимости пучка, падающего на исследуемый кристалл, повышается чувствительность изображений к малым разориентациям кристаллографических плоскостей вблизи дефектов.

Последнее обстоятельство дает возможность выявить геометрию дефектов.

2. Экспериментальные результаты На топограммах, полученных методом Ланга (MoK-излучение, (1120)-отражение), в подложках видна ячеистая структура, которая обусловлена упорядоченным распределением дислокаций. На изображениях исследуемых подложек можно выделить обширные участки с достаточно равномерным распределением базисных дислокаций ( 105 cm-2) и области с достаточно сильными нарушениями, которые выявляются в виде сплошных светлых пятен, без признаков тонкой структуры. По этим изображениям трудно судить, чем обусловлены эти нарушения — скоплениями ли дислокаций или другими дефектами (рис. 1).

Рис. 2. Рентгеновская топограмма, полученная в геометрии от ражения по методу Берга–Баррета (CuK-излучение, (101.10)отражение) с того же кристалла, что и на рис. 1.

Разрешение существенно увеличивается, если получать изображение с ограниченной толщины кристалла.

Поскольку нас интересовали дефекты в приповерхностном слое с точки зрения их влияния на эпитаксиальный рост, были получены топограммы в геометрии отражения по Брэггу (метод Берга–Баррета, CuK-излучение, (101.10)- и (112.12)-отражения). Из набора используемых отражений, дислокационная структура в приведенных выше отражениях выявляется с наилучшим контрастом. На рис. 2 представлена топограмма по Бергу– Баррету с того же участка кристалла, что и на рис. 1, на которой из ячеистой структуры видны отдельные дислокации, а точнее части их длины, отвечающие фактически выходу их на рабочую поверхность. На рис. 2 в областях, отвечающих однородной ячеистой структуре рис. 1, видны также отдельные дефекты, изображающиеся в виде темного ядра со светлым ореолом (розеткой) несимметричной формы. Их размеры находятся в интервале 1-10 µm. В областях с сильными нарушениями (сплошные светлые участки на рис. 1) выявляются скопления Рис. 1. Рентгеновская топограмма, полученная по методу Ланга (MoK-излучение, (1120)-отражение). Видны области упомянутых выше дефектов разного размера. В этих же с равномерным распределением базисных дислокаций (A) и с местах можно наблюдать протяженные светлые линии с сильными локальными нарушениями (B).

большей шириной изображения, чем отдельные дислокаФизика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1386 Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина ции. Эти дефекты можно рассматривать как области с малоугловыми границами, пронизывающими всю толщину кристалла.

На рис. 3 представлена топограмма по Бергу–Баррету с этого же образца после наращивания эпитаксиального слоя толщиной 5 µm. Можно отметить, что плотность дислокаций на изображении существенно уменьшается.

Поскольку базисные дислокации не прорастают, на топограмме, снятой по методу Берга–Баррета, отчетливо выявляются наклонные дислокации. Что же касается областей с более сильными и неоднородными искажениями в подложке, то они в основном наследуются эпитаксиальным слоем. Малоугловые границы, состоящие из наклонных дислокаций, прорастают в эпитаксиальный слой. Дефекты подложки в виде темного ядра со светлым ореолом прорастают в слой и приводят, как и малоугловые границы, к сильным разориентациям одних участков по отношению к другим. Эта разориентация заметнее выявляется на топограммах, полученных в двухкристальном варианте (рис. 4). На этомснимке ярче выявляются и дефекты с темным ядром и светлым ореолами. Протяженность ореола уменьшается и контуры центральной части еще яснее выявляют геометрию дефекта. Анализ этих дефектов по топограммам показал, что они имеют Рис. 4. Двухкристальная рентгеновская топограмма под ложки с эпитаксиальным слоем (CuK-излучение, (101.10)отражение). Видны дефекты с темным ядром и светлым ореолом — микропайпы.

дислокационную природу. Кроме того, на этом снимке выявляются дополнительные, более мелкие дефекты с ореольным контрастом, что оправдывает применение двухкристальной топографии.

Для дополнительного анализа природы выявленных топографией дефектов с ореольным контрастом использовалась оптическая микроскопия. После предварительного травления подложки в расплаве KOH на оптических изображениях выявлены полые трубки. На поверхности подложки им отвечают гексагональные ямки травления.

Убедительным доказательством того, что ямкой травления заканчивается протяженный дефект, является наличие ”хвоста” — тени, распространяющейся от изображения ямки. Наблюдение этого эффекта стало возможным при наклоне образца от горизонтальной плоскости при фотографировании поверхности (рис. 5). Подобные дефекты в монокристаллическом карбиде кремния, выявленные с помощью синхротронной рентгеновской топографии [3], были интерпретированы как поры — выходы на поверхность пустых каналов (”микропайпов”), обусловленные сверхдислокациями винтового типа. СоРис. 3. Топограмма 6HSiC подложки с эпитаксиальным гласно [4], винтовые дислокации с вектором Бюргерса, слоем толщиной 5 µm, полученная по методу Берга–Баррета.

Дифракционные условия те же, что и на рис. 2. превышающим критическую величину в кристаллах с Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев... Рис. 5. Оптический микроснимок поверхности 6HSiC подложки, протравленной в расплаве KOH. Видна гексагональная форма ямок травления дефектов, отвечающих выходу микропайпов на поверхность. От ямок отходят ”хвосты” (проекции пустых каналов — микропайпов), которые выявляются при наклоне образца.

большим модулем сдвига, будут иметь пустое ядро. последние практически остаются теми же самыми поСоотношение между равновесным диаметром трубки, сле наращивания слоя. На основании этого результата обусловленной пустым ядром, и величиной вектора можно утверждать, что дефекты, обуславливающие неБюргерса b винтовой дислокации, дается следующим однородные искажения, прорастают практически все из выражением [4]:

подложки в слой, не теряя своей ”мощности”.

Количественные значения полуширин КДО по поверхD = µb2/42, ности приведены на рис. 6, из которого видно, что где µ — модуль сдвига, — удельная поверхностная разброс полуширин КДО находится в интервале от энергия. Многими исследователями наблюдения ямок в центре спиралей роста в случае карбида кремния связывались с винтовыми дислокациями [5,6]. В нашем случае такого типа дефекты присутствуют в подложках и могут прорастать в эпитаксиальные слои.

Наряду с топографическими исследованиями измерялись полуширины кривых дифракционного отражения (КДО) на исходных подложках и на эпитаксиальных слоях. В качестве монохроматора использовался монокристалл 6HSiC. Для измерений КДО исследуемого кристалла использовались симметричные отражения (0006) и (000.12), а также несимметричное (101.10) отражение для CuK-излучения. Для симметричного (0006) и не симметричного (101.10) рефлексов расчетная глубина формирования дифракционного отражения (t — экстинкционная длина) составляет 3 и 5 µm соответственно и находится в пределах толщины эпитаксиального слоя. Для (000.12) отражения t составляет 17 µm.

Измерения показали, что областям с однородным распределением дислокаций соответствуют минимальные значения полуширин в сравнении с участками с более дефектной структурой, выявленной на топограммах.

Измерения КДО для эпитаксиальных слоев показали, что наблюдается тенденция уменьшения полуширины в сравнении с подложкой для тех областей, которые Рис. 6. Контур исходного образца с обозначением мест, соответствуют однородному распределению дислокаций.

где измерялась полуширина КДО до и после наращивания Для областей с сильными локальными искажениями в эпитаксиального слоя (a). Значения полуширины (КДО)0 в подложке, где полуширины КДО значительно больше, секундах указаны около соответствующих кривых (b).

Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1388 Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина до 40 угловых секунд ( ). Измерения полуширин для области образца с однородным распределением дислокаций показывают, что для отражения (000.12) до наращивания слоя полуширина КДО составляет 14-16, тогда как после наращивания слоя толщиной 15 µm она равна 10-14. Для несимметричного отражения (101.10) для подложки без слоя полуширина КДО равна 18-20, для образца со слоем — 14-16. Эти данные свидетельствуют о существенном улучшении структурного совершенства эпитаксиального слоя в сравнении с подложкой, что хорошо согласуется с результатами рентгенотопографических исследований.

Таким образом, в результате комплексных структурных исследований получены следующие результаты.

1) Определены оптимальные дифракционные отражения, дающие наилучший контраст изображения микротрубок (микропайпов) на рентгеновских топограммах.

2) Выявленные поры представляют собой выходы на поверхность микротрубок, имеющих дислокационное происхождение.

3) Структурное совершенство эпитаксиальных слоев зависит от плотности распределения дислокаций, микропайпов и других дефектов по площади подложек.

4) Применение двухкристальной топографии для подложек и эпитаксиальных слоев позволило установить, что области с сильными нарушениями состоят из различного типа дефектов.

5) Показано, что в целом структурное совершенство эпитаксиальных слоев, выращенных методом сублимации, выше, чем у подложек.

Список литературы [1] А.Н. Андреев, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, В.П. Растегаев, С.И. Дорожкин, В.Е. Челноков. ФТП 29, 10, 1828 (1995).

[2] M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel’chuk.

Mater. Sci. Eng. B11, 113 (1992).

[3] M. Dudley, W. Si, S. Wang, C. Carter jr., R. Glass, V. Tsvetkov.

ILNuovo Cimento 19D, 2–4, 153 (1996); 3rd European Symposium on X-Ray Topography and Hith Resolution Diffraction. Palermo, Italy, 22–24 April, 1996 / Ed. by C. Bocchi et al. Societa Italiana di Fisica-Bologna (1996).

[4] F.S. Frank. Acta Cryst. 4, 497 (1951).

[5] I. Sunagawa, P. Bennema. J. Cryst. Growth 53, 490 (1981).

[6] H. Tanaka, Y. Uemura, Y. Inomata. J. Cryst. Growth. 53, (1981).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.