WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

нии ограичивается временем электронно-фононной релаксации. Другие процессы вносят гораздо меньший Редактор Т.А. Полянская вклад в нарушение когерентности волновой функции. Основным механизмом, ответственным за релакLaser-induced resonant electron сацию электрона в квантовых точках, является взаиtransitions between three semiconductor модействие с продольными акустическими (LA) фоноquantum dots нами [3]. Вероятность переходов, сопровождающихся испусканием или поглощением фонона, может быть A.V. Tsukanov значительно уменьшена за счет правильного выбора Institute of Physics and Technology, структурных параметров. Для этого нужно подобрать Russian Academy of Sciences, их так, чтобы минимальная разность энергий уров2 117218 Moscow, Russia ней удовлетворяла неравенству 3 2/2mL2 >crit, где crit 3 vs/2a — максимальная энергия акустического

Abstract

Influence of a resonant laser pulse on the quantum фонона, vs — скорость звука (мы предполагаем, что dynamics of an electron in the system composed of three semicona, c < L). Следовательно, линейный размер структуры L ductor box-like quantum dots is studied theoretically. It is shown должен удовлетворять условию L < Lcrit a/mvs;

при этом вероятность релаксации уменьшается про- that the electron transfer between two dots in an asymmetric порционально L8 [3]. Для обычно используемых ма- structure is governed by the two-level diagonal transition scheme.

The energies of electronic levels involved in the transition and териалов при a 20-30 нм имеем crit 0.5-1мэВ и Lcrit 150 нм. В этом случае время эелктронно- the corresponding matrix elements are found analytically in a фононной релаксации ph 10-6-10-7 с и, как нетрудно high-barrier approximation. The pulse parameters, for which the видеть, T ph. Дальнейшее уменьшение a приведет probability of the resonant electron transfer from the ground state к увеличению скорости релаксации вследствие возрас- of one of the quantum dots to the ground state of another quantum тающего взаимодействия электрона с граничными (IF) dot is maximum, are found.

фононами [4].

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.