WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

териала n-типа проводимости. Видно, что эксперимен- Поскольку соседние стенки имеют разный состав, тальные значения проводимости вдоль полос микроре- то должен возникать потенциальный барьер по типу льефа хорошо совпадают с рассчитанной температур- n-n-гетероперехода. При этом проводимость с пониженой зависимостью проводимости однородного материала нием температуры должна экспоненциально снижаться, что не наблюдается экспериментально. Возможно, это связано с большой длиной экранирования Дебая (оценка величины дает значение 0.1мкм), что приводит к уменьшению высоты барьеров между соседними стенками.

Таким образом, анизотропия проводимости в исследованных пленках КРТ обусловлена скорее всего различием подвижности носителей при их движении вдоль и поперек наностенок разного состава за счет потенциальных барьеров между стенками.

3. Заключение В пленках КРТ, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs при повышенных температурах, установлены аномалии электрофизических свойств, проявляющиРис. 4. Спектр фотопроводимости пленки 525: 1 — до еся в анизотропии проводимости и изменении спектров отжига; 2 — после отжига при температуре 220C и времени пропускания и фотопроводимости при низкотемпературотжига 75 ч.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры с модуляцией состава... ном отжиге таких пленок. На пленках с анизотропией Spontaneous forming periodical проводимости всегда наблюдается волнообразный пеnanostructure with modulation риодический микрорельеф поверхности, а направление composition in CdxHg1-xTe films минимальной проводимости совпадает с направлением P.A. Bahtin, V.S. Varavin, S.A. Dvoreckiy, поперек волн микрорельефа. Предполагается, что пленка A.F. Kravchenko, A.V. Latishev, N.N. Mikchailov, КРТ с аномальными электрофизическими свойствами I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev представляет собой самопроизвольно сформированную периодическую структуру в виде вертикальных наноInstitute of Semiconductor Physics, стенок разного состава. Наблюдаемые особенности в Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, спектральных зависимостях пропускания пленок и изме630090 Novosibirsk, Russia нение спектров пропускания и фотопроводимости при отжиге объясняются различием состава в предполагае

Abstract

In Cdx Hg1-x Te films, grown by molecular-beam epiмых стенках и диффузионным выравниванием состава taxy on GaAs substrates at elevated temperatures, anomalies of при отжиге. Анизотропия проводимости, наиболее вероelectrophysical properties have been observed. Such anomalies ятно, может быть обусловлена различием подвижности manifest themselves in the anisotropy of conductivity, changes in носителей при их движении вдоль и поперек наностенок transmission spectrum and photoconductivity at low-temperature разного состава за счет потенциальных барьеров между annealing, and also in the availability presence of a periodical стенками.

corrugated undulation microrelief of a surface. Temperature dependence of the conductivity along and across waves of the microrelief has been measured. The authors assume that a Список литературы CdxHg1-x Te film with the anomalies of electrophysical properties [1] А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25 (8), represents an spontaneously generated periodic structure in the 1317 (1980).

shape of upright nanowalls of different compositions. Possible [2] Н.А. Берт, Л.С. Вавилова, И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, mechanisms of occurring such a structure are suggested.

А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33 (5), 544 (1999).

[3] И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин. ФТП, 27 (2), 285 (1993).

[4] Д. Бимерг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев. УФН, 167 (5), (1997).

[5] Sung Won, Tae-Yeon Seong, J.H. Lee, Bun Lee. Appl. Phys.

Lett., 68 (24), 3443 (1996).

[6] I. Levin, L.H. Robins, M.D. Vaudin, J.A. Tuchman, E. Lakin, M.J. Sherman, J. Ramer. J. Appl. Phys., 89 (1), 188 (2001).

[7] J.E. Guyer, S.A. Barnett, P.W. Voorhees. J. Cryst. Growth, 217, 1 (2000).

[8] J.E. Guyer, P.W. Voorhees. J. Cryst. Growth, 187, 150 (1998).

[9] F. Leonard, R.C. Desai. Phys. Rev. B, 57, 4805 (1998).

[10] Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov, V.N. Ovsyuk.

Proc. SPIE, 4355, 228 (2001).

[11] П.А. Бахтин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Ф. Кравченко, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Автометрия, 2, 83 (2002).

[12] S.-H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B, 41 (12), 8240 (1990).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.