WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

рирующих каналов рекомбинации. В частности, следуя [9] К.С. Журавлев, А.Ю. Кобицкий. ФТП, 34, 1254 (2000).

аналогии с глубокими уровнями в полупроводниках, [10] A.Yu. Kobitsky, K.S. Zhuravlev, H.P. Wagner, D.R.T. Zahn.

необходимо учитывать возможность рекомбинации STEPhys. Rev. B, 63, 115 423 (2001).

экситона за счет безызлучательного туннельного перехо[11] C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Bohm, G. Weimann.

да через барьер E, разделяющий состояние автолокалиPhys. Rev. B, 57, 6850 (1998).

зованного экситона и основное состояние [23]. Падение [12] K.S. Zhuravlev, D.V. Petrov, Yu.B. Bolkhovityanov, N.S. Ruинтенсивности ФЛ под действием электрического поля daja. Appl. Phys. Lett., 70, 3389 (1997).

[13] G.W. Wen, J.Y. Lin, H.X. Jiang, Z. Chen. Phys. Rev. B, 52, при температурах свыше 25 K обусловлено увеличением 5913 (1995).

эффективности этого канала рекомбинации.

[14] U. Woggon, S.V. Bogdanov, O. Wind, V. Sperling. J. Cryst.

Несмотря на то, что описание экспериментальных Growth, 138, 976 (1994).

данных в модели автолокализованных экситонов обеспе[15] M. Sugisaki, H.-W. Ren, S.V. Nair, K. Nishi, Y. Masumoto.

чивает хорошее совпадение расчетных кривых с опытPhys. Rev. B, 66, 235 309 (2002).

ными, проведенный анализ показал, что значительное [16] P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, количество параметров модели не позволяет однозначно D. Brumhead. J. Phys.: Condens Matter, 5, L91 (1993).

определить величины потенциальных барьеров и веро- [17] H. Heckler, D. Kovalev, G. Polisski, N.N. Zinov’ev, F. Koch.

Phys. Rev. B, 60, 7718 (1999).

ятностей переходов. Для определения количественных [18] A. Nollau, M. Hoffmann, T. Fritz, K. Leo. Thin Sol. Films.

значений параметров модели в дальнейшем требуется 368, 130 (2000).

проведение исследования кинетики ФЛ НК под действи[19] S. Tasch, G. Kranzelbinder, G. Leising, U. Scherf. Phys. Rev.

ем электрического поля.

B, 55, 5079 (1997).

Таким образом, в работе было исследовано влияние [20] J. Kalinowski, W. Stampor, J. Myk, M. Cocchi, D. Virgili, переменного электрического поля на стационарную ФЛ V. Fattori, P. Di Marco. Phys. Rev. B, 66, 235 321 (2002).

нанокристаллов кремния, сформированных в матрице [21] L.C. Lin, H.F. Meng, J.T. Shy, S.F. Horng, L.S. Yu, C.H. Chen, SiO2 методом ионной имплантации с последующим отH.H. Liaw, C.C. Huang, K.Y. Peng, S.A. Chen. Phys. Rev.

жигом. Показано, что приложение электрического поля Lett., 90, 036 601 (2003).

приводит к возрастанию интенсивности низкотемпера- [22] G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 76, (1996).

турной ФЛ нанокристаллов и тушению ФЛ при темпе[23] С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, ратуре свыше 20 K. Анализ экспериментальных резуль(1997).

татов показывает, что обнаруженное возгорание ФЛ под Редактор Л.В. Беляков действием электрического поля противоречит модели Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля Photoluminescence of silicon nanocrystals under the influence of electrical field E.N. Vandyshev, A.M. Gilinsky, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

The effect of the electric field application on the photoluminescence of silicon nanocrystals formed in silicon dioxide by an ion implantation and subsequent annealing was investigated. It was found that at low temperatures the application of electric field resulted in an increase of the photoluminescence intensity by as much as 10% at a field strength of 12 kV / cm.

At temperatures above 20 K the photoluminescence intensity decreased with applying the electric field. The increase of the nanocrystal photoluminescence intensity under the influence of electric field contradicts the model of recombination of quantumconfined excitons in the nanocrystals, and is interpreted within the framework of the model of recombination of self-trapped excitons formed at the Si nanocrystal–silicon dioxide boundary.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.