WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

4. Заключение В данной работе мы провели исследование оптических свойств гетероструктур GaAsN/GaAs, полученных различными методами осаждения. Показано, что использование послоевого метода роста позволяет значительно увеличить длину волны излучения по сравнению с излучением слоя такого же среднего состава, так как рекомбинационные процессы происходят в сформировавшихся областях повышенной концентрации азота.

Применение методики нитридизации для создания слоев GaAsN приводит к усилению процесса формирования центров локализации носителей, вызванных неоднородностью встраивания атомов азота в GaAs.

Данная работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 02-02-17677) и „Joint Scientific Program ITRI-IOFFE“.

Рис. 7. Спектры фотолюминесценции структуры III при 77 K, полученные в разных точках образца после применения Авторы благодарят за помощь в работе Е.В. Никитину, градиентного травления.

I. Hannert, I. Hausler.

Список литературы Полученные результаты подтверждаются изучением спектров возбуждения ФЛ (рис. 6), на которых наблю[1] M. Weyers, M. Sato, Jap. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992).

дается максимум, обозначенный как A1, незначительно [2] I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet J.

Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001).

сдвинутый в коротковолновую сторону относительно [3] T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, T. Tanaka. J.

линии ФЛ P3. Такое поведение характерно для поглоCryst. Growth, 209, 345 (2000).

щения на локализованных состояниях и подтверждает [4] V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, вывод о существовании дополнительного максимума в W.H. Weinberg. Phys. Rev., B, 50, 8479 (1994).

спектре плотности состояний. Необходимо отметить, [5] P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, что положение этого максимума соответствует энергии P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994).

ширины запрещенной зоны твердого раствора GaAsN с [6] I.A. Buyanova, W.M. Chen, G. Pozina, J.P. Bergman, концентрацией азота 1.5%, что согласуется с данными B. Monemar, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 75, рентгеновской дифракции. (1999).

[7] M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, T. Mozume. Jap. J. Appl.

Для изучения процессов формирования областей с поPhys., 33, L1056 (1994).

вышенным содержанием азота при росте многослойной [8] Y. Zhang, A. Mascarenhas, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Rev. B, структуры GaAsN/GaAs было применено градиентное (7), 4433 (2000).

травление и исследованы спектры ФЛ в различных [9] Б.В. Воловик, Д.С. Сизов, А.Ф. Цацульников, Ю.Г. Мусихин, точках образца (рис. 7). Видно, что с увеличением Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Егоров, В.Н. Петров, глубины травления наблюдается коротковолновое смеН.К. Поляков, Г.Э. Цырлин. ФТП, 34 (11), 1368 (2000).

щение линии P1, в то время как положение полосы PРедактор Л.В. Шаронова практически не изменяется. Такое смещение линии ФЛ P1 свидетельствует о том, что происходит увеличение размеров островков или содержания азота в них с увеличением числа циклов осаждения GaAsN. Это Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1368 Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, А.Р. Ковш, И.П. Сошников, А.Ф. Цацульников, H. Kirmse...

Optical properties of ultra-thin GaAsN inclusions in GaAs matrix grown by molecular-beam epitaxy N.V. Kryzhanovskaya+, A.G. Gladyshev+, A.R. Kovsh+, I.P. Soshnikov+, A.F. Tsatsul’nikov+, H. Kirmse†, W. Neumann†, J.Y. Chi, J.S. Wang, L. Wei, N.N. Ledentsov+, V.M. Ustinov+ Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia + Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C.

† Institute fr Physik, Humboldt Universitt, 10115 Berlin, Germany

Abstract

In this work we studied GaAsN layers in a GaAs matrix formed by different deposition techniques in order to find a possibility of deliberate control over carrier localization centers in GaAsN alloys. As opposite to the GaAsN layers formed by continuous growth, or by pulsed nitrogen plasma exposure using pseudo-alloy short-period GaAs/GaAsN superlattice with similar average nitrogen composition results in an additional longwavelength line in the photoluminescence spectra. As provided by comparison of the optical data with the data obtained from crosssectional transmission electron microscopy this additional line corresponds to spontaneously-formed nanoregions with increased nitrogen composition (up to 8.5%). The characteristic size of these features is increasing along the growth axis as follows from small angle etching experiments.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.