WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

комбинации носителей заряда и выражение (2) для Определение уровня протекания из данных измерений квадратичной рекомбинации, когда N =(I/)1/2, здесь затруднено в виду неопределенности параметров D,, — коэффициент квадратичной рекомбинации [20].

. Поведение характерных величин интенсивности света, Тогда второй участок зависимости R(I) для напряженных описывающих локализованные состояния типа II (см.

структур с QD малого размера (NGe = 6 и 8 ML) рис. 2), отражает качественную зависимость величины описывается выражением (2) и отвечает проводимости уровня протекания от NGe. При изменении NGe с по локализованным состояниям типа II неравновесных до 10 ML, как видно из рис. 2, наблюдается значиносителей заряда, для которых характерна квадратичная тельный рост характерной интенсивности света и изрекомбинация. В этом случае межзонная рекомбинация менение вида зависимости с (2) на (1), описывающей носителей заряда происходит в относительно больших второй участок R(I). Эти особенности мы связываем областях матрицы кремния, ограниченных седловыми с изменением формы QD, приводящей к значительнобарьерами малой высоты. Из-за рассеяния квазиимпульса му росту амплитуды седлового барьера, разделяющего носителей заряда на QD, оптические переходы являются локализованные состояния типа II, т. е. к увеличению прямыми [16].

уровня протекания. Следствием этого является возникТаким образом, сложный вид экспериментальной кри- новение уровней размерного квантования состояний тивой R(I) для напряженных структур обусловлен на- па II (нуль-мерные ловушки), что и объясняет наблюличием в них двух типов локализованных состояний, даемое изменение типа рекомбинации. Причина умень по которым осуществляется прыжковая проводимость шения величины I1 при увеличении NGe с 6 до 8 ML электронов. Суммарное сопротивление таких структур нам не ясна.

складывается из двух параллельных сеток сопротивле- Сравнительно слабое изменение величины I0, харакний, сопротивления которых различным образом зависят терной для зависимости R(I), описывающей проводиот интенсивности света. В ненапряженных структурах мость по локализованным состояниям типа II при пезависимость R(I) состоит из одного участка, который реходе от напряженной структуры с NGe = 10 ML к соответствует прыжковой проводимости электронов по ненапряженной структуре с NGe = 15 ML (рис. 2), локализованным состояниям типа II.

свидетельствует о близости величин уровней протекания Смысл характерной величины I0 заключается в том, в них, хотя природа седловых барьеров различна. При что это такая интенсивность света, при которой соседние дальнейшем увеличении NGe c 15 до 25 ML умень локализованные состояния типа I в напряженных струк- шение величины I0 связано с уменьшением размеров турах заселены электронами. Дальнейшее увеличение локализованных состояний типа II, приводящим к увелиинтенсивности света не влияет на концентрацию запол- чению энергии размерного квантования для электронов ненных локализованных состояний, которая не может и уменьшению числа уровней, находящихся ниже уровбыть больше концентрации NGe, а приводит к образова- ня протекания, величина которого, видимо, достигает нию многозарядных центров на QD. Зная концентрацию насыщения.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Фотосопротивление Si / Ge / Si-структур с квантовыми точками германия Заключение Ziqiang Zhu, Takafumi Yao. Appl. Phys. Lett., 71, (1997).

В работе исследовалось влияние стационарной меж- [11] H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys.

Lett., 66, 3024 (1995).

зонной засветки на планарное сопротивление Si / Ge / Si[12] D.J. Eaglesham, F.C. Unterwald, D.C. Jacobson. Phys. Rev.

структур, содержащих самоорганизующиеся квантовые Lett., 70, 96 (1993).

точки германия. Обнаружено экспоненциальное умень[13] H. Chen, W.G. Cheng, X.G. Xie, Q. Huang, J.M. Zhou. Appl.

шение сопротивления структур при увеличении инPhys. Lett., 70, 446 (1997).

тенсивности межзонного света. В упругонапряженных [14] В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, структурах с малыми размерами квантовых точек наА.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма блюдаются два различных экспоненциальных участка ЖЭТФ, 67, 46 (1998).

зависимости, а в ненапряженных структурах с боль[15] R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Luth. Appl.

шими размерами квантовых точек — один. ПолученPhys. Lett., 66, 445 (1995).

ные экспериментальные результаты объяснены в рам[16] S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Appl. Phys.

ках модели прыжковой проводимости неравновесных Lett., 71, 258 (1997).

электронов по локализованным состояниям двух типов.

[17] P.D. Persans, P.W. Deelman, K.L. Stokes, L.J. Schowalter, Состояния типа I образуются при заполнении квантовых A. Byrne, T. Tundat. Appl. Phys. Lett., 70, 427 (1997).

точек германия неравновесными дырками, а состояния [18] A.D. Andreev, J.R. Downes, D.A. Faux, E.P. O’Reilly. J. Appl.

типа II локализованы между квантовыми точками. В наPhys., 86, 297 (1999).

пряженных структурах локализация типа II носителей [19] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука. 1979).

заряда обусловлена потенциалом деформации матрицы [20] С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупрокремния, а в ненапряженных структурах — барьерами водниках (М., Физматгиз, 1963).

гетерограниц Si / Ge смыкающихся островков германия.

В напряженных структурах первый участок зависимости Редактор В.В. Чалдышев сопротивления структур от интенсивности света связан с изменением концентрации локализованных состояний Photoresistivity of Si / Ge / Si structures типа I, а второй — с заполнением состояний типа II.

with germanium quantum dots При увеличении номинальной толщины слоя германия в напряженных структурах обнаружено резкое возрастаO.A. Shegai, K.S. Zhuravlev, V.A. Markov, ние характерных интенсивностей света и изменение вида A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov зависимости R(I), обусловленные изменением формы Institute of Semiconductor Physics, островков германия. В ненапряженных структурах локаSiberian Branch of Russian Academy of Sciences, лизованные состояния типа I исчезают и наблюдаемая 630090 Novosibirsk, Russia зависимость обусловлена заполнением неравновесными электронами только локализованных состояний типа II.

Abstract

An exponential dependence of the resistivity of Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант № 97Si / Ge / Si structures with germanium quantum dots on the above 02-18408.

band-gap light intensity has been observed at T = 4.2K.

The dependence for strained structures comprises two different Список литературы exponential curves, while a single exponential curve has been observed for non-strained ones. The experimental results are [1] Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally.

explained by the hopping conductivity of nonequilibrium charge Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990).

carriers due to their localization at germanium quantum dots and [2] R. Notzel. Semicond. Sci. Technol., 11, 1365 (1996).

between them in the strained structures, while the localization [3] A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyaoccurs only between germanium quantum dots in the non-strained kov. J. Phys.: Condens. Matter., 6, 2574 (1994).

structures.

[4] G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci. Technol., 11, 1521 (1996).

[5] А.Б. Талочкин, В.А. Марков, С.П. Супрун, А.И. Никифоров. Письма ЖЭТФ, 64, 203 (1996).

[6] V.A. Markov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. J. Cryst. Growth, 175 / 176, 736 (1997).

[7] O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, L.V. Sokolov. J.

Thin Sol. Films, 306, 299 (1997).

[8] А.И. Якимов, В.А. Марков, А.В. Двуреченский, О.П. Пчеляков. Письма ЖЭТФ, 63, 423 (1996).

[9] G. Capellini, L. Di Gaspare, F. Evangelisti, E. Palange. Appl.

Phys. Lett., 70, 493 (1997).

[10] Xun Wang, Zui-min Jiang, Hai-jun Zhu, Fang Lu, Daming Huang, Xiaohan Liu, Chang-wu Hu, Yifan Chen, Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.