WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости © Л.Г. Герчиков¶, Ю.А. Мамаев, А.В. Субашиев, Ю.П. Яшин, Д.А. Васильев, В.В. Кузьмичев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, А.П. Васильев, В.М. Устинов Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 21 февраля 2006 г. Принята к печати 3 марта 2006 г.) Изучена фотоэмиссия поляризованных электронов из гетероструктур на основе InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами края зоны проводимости. Сравнение зависимости степени поляризации фотоэмиссии от энергии возбуждения с расчетными спектрами позволило определить вклад в потери поляризации на отдельных этапах фотоэмиссии. Максимальные значения поляризации P = 91% при квантовом выходе 0.14% близки к лучшим результатам, полученным для фотокатодов на основе напряженных полупроводниковых сверхрешеток.

PACS: 68.65.Cd, 72.25.Fe, 72.25.Rb, 72.25.Dc, 78.67.Pt, 79.60.Jv 1. Введение состояний легких и тяжелых дырок можно уменьшить, увеличивая энергию расщепления hh- и lh-подзон.

Поляризованные электроны являются необходимым Для расщепления валентной зоны используется деэлементом для исследований в различных областях формация, возникающая при выращивании тонкого посовременной физики — от физики элементарных частиц лупроводникового слоя на подложке с меньшей постоянной решетки, например слоя InGaAs на буфере до физики твердого тела. Фотоэмиттеры на основе GaAs GaAs или слоя GaAs на буфере GaAsP. Применение известны как эффективные источники поляризованных электронов [1]. В них используется благоприятное соче- напряженных слоев позволило в начале 90-х гг. получить тание двух физических явлений: возникновение на по- фотоэмиссию с P 80% [2–4]. В напряженных сверхрешетках (СР) расщепление Ehh-lh подзон легких и верхности GaAs отрицательного электронного сродства тяжелых дырок возникает как вследствие деформации (при активировании поверхности нанесением Cs(O)) и гетерослоев, так и за счет эффекта размерного кванявление оптической ориентации фотоэлектронов в GaAs тования [5], причем деформационное расщепление и при межзонном поглощении циркулярно поляризованрасщепление, обусловленное размерным квантованием, ного света. Поляризация оказывается существенно увене складываются аддитивно. Результирующее расщепличенной в структурах, где зона расщеплена на ление зависит сложным образом от состава и толщин двукратно вырожденные подзоны и тяжелых (hh) 6 слоев СР. Состав слоев определяет их деформацию и и легких (lh) дырок. Электроны, возбуждаемые циркувеличины разрывов краев зон на гетерограницах, а толлярно поляризованным светом в подзоне тяжелых дырок щины слоев влияют на энергию размерного квантования с проекцией углового момента m = ±3/2, заселяют в и проницаемость барьеров СР. Таким образом, выбор зоне проводимости только состояния с определенной оптимальной структуры СР, обеспечивающей большую проекцией спина, например с m =+1/2 при поглощении величину расщепления Ehh-lh при отсутствии релаксалевополяризованного света. Таким образом, на краю ции напряжений и в сочетании с хорошими транспортпоглощения спиновая ориентация электронов может ными свойствами СР, представляет непростую задачу, достигать P = 100%. С удалением от края валентной требующую для ее решения надежных методов расчетов зоны к состояниям hh-подзоны начинают примешиэнергетического спектра СР на основе тройных и четваться состояния подзоны легких дырок с проекцией верных полупроводниковых соединений AIIIBV. Кроме момента m = ±1/2. В результате вклада оптических того, максимальная поляризация фотоэлектронов кардипереходов в электронные состояния с противоположной нальным образом зависит от структурного качества СР, проекцией спина средняя поляризация фотоэлектронов что предъявляет повышенные требования к технологии падает. В реальном полупроводнике край валентной их выращивания.

зоны оказывается размытым, и перемешивание легких Изучение свойств короткопериодных напряженных СР и тяжелых дырок происходит даже на краю поглощения, и развитие технологии их выращивания, достигнутые в и наблюдаемая поляризация P < 100%. Перемешивание последнее десятилетие, позволили создать на их осно¶ E-mail: leonid@priv.hop.stu.neva.ru ве фотокатоды с рекордными значениями поляризации 6 1362 Л.Г. Герчиков, Ю.А. Мамаев, А.В. Субашиев, Ю.П. Яшин, Д.А. Васильев, В.В. Кузьмичев...

Рис. 1. Структура фотокатода.

фотоэмиссии P 90%. Были разработаны фотокатоды ляризации электронной эмиссии P = 91% [12]. В данной на основе GaAS/GaAsP [6] и InGaAs/GaAlAs [7] СР с работе представлены результаты исследования серии напряженными квантовыми ямами, СР с напряженными фотэмиттеров на основе СР с минимальными разрывами барьерами на основе GaAs/AlInGaAs и так называемые зоны проводимости. Анализируются спектры квантового компенсированные СР на основе AlInGaAs/GaAsP с про- выхода и поляризации фотоэмиссии катодов с различтивоположной деформацией в ямах и барьерах [8–10]. ными составами и толщинами слоев СР. Изменение Вместе с достигнутым прогрессом по сравнению с параметров СР позволило менять положение поляринапряженными слоями проведенные исследования вы- зационного максимума в диапазоне энергий фотонов явили и принципиальные трудности в создании СР с от 1.44 до 1.52 эВ. Во всех образцах наблюдалась высорекордными характеристиками. Величина расщепления кая поляризация электронной эмиссии 84% < P < 91% валентной зоны в СР Ehh-lh не может превышать при квантовом выходе 0.05% < Y < 0.5%.

разрывов краев валентной зоны. Поэтому для создания значительного расщепления Ehh-lh 100 мэВ необхо2. Структура и технология димо использовать СР с большими скачками краев зон на гетерограницах. Обычно возникающие при этом изготовления фотокатодов высокие, в сотни мэВ, барьеры в зоне проводимости затрудняют транспорт фотоэлектронов к поверхности фо- Типичная структура фотокатодов изображена на токатода. Низкая подвижность электронов вдоль оси СР рис. 1. На подложке GaAs выращивался буферный снижает величину квантового выхода и поляризации. слой Al0.35Ga0.65As, легированный Be до концентрации А это связано с частичной потерей спиновой ориентации 6 · 1018 см-3. Толщина варьировалась для различных обэлектронами во время их транспорта к поверхности за разцов от 0.3 до 1.4 мкм. Затем на буферном слое высчет процессов спиновой релаксации. В дополнение к ращивалось 11-19 периодов СР GaAs/Inx AlyGa1-x-yAs увеличению транспортного времени и соответственно для выделения эффектов, связанных с транспортом и спиновых потерь высокие барьеры в зоне проводимости релаксацией деформации. Уровень легирования СР на увеличивают скорость спиновой релаксации вследствие порядок меньше, чем в буфере, и составлял 4 · 1017 см-3.

большой энергии размерного квантования электронов за Над СР выращивался 6 нм слой GaAs с высоким уровнем счет механизма Дьяконова-Переля [1]. легирования 7 · 1018 см-3 для создания в приповерхБарьеры в зоне проводимости удается минимизиро- ностной GaAs-яме области объемного заряда (ООЗ), вать в СР на основе GaAs/AlInGaAs [11]. Путем подбо- необходимого для получения отрицательного электронного сродства. И наконец, готовый образец покрывался ра состава четырехкомпонентного соединения AlInGaAs оказывается возможным создать СР с практически ми- тонким слоем мышьяка для защиты от атмосферного воздуха.

нимальными разрывами зоны проводимости. При этом структура валентной зоны позволяет получить значения Состав и толщины слоев СР в изученных образцах расщепления Ehh-lh до 70 мэВ. В результате на фото- указаны в таблице. Их выбор определялся из сообракатодах на основе СР с минимальными разрывами зоны жений получения максимального для данной концентрапроводимости была достигнута рекордная величина по- ции In расщепления Ehh-lh при минимальных разрывах Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными... Толщины x y Uc Uhh Ulh Eg Ehh-lh max Pmax Y ( max) B Образец a, яма b, барьер In Al мэВ мэВ мэВ эВ мэВ эВ % % мэВ мэВ 5-777 20 23 15 36 -3 79 157 1.471 60 1.485 91 0.14 17 25 0.6-296 20 18 15 40 -43 52 128 1.426 59 1.432 86 0.05 30 25 0.6-330 25 27 11 40 -8 90 180 1.482 77 1.494 88 0.57 30 30 0.6-405 26 31 11.3 30 19 111 202 1.51 76 1.521 89 0.5 30 25 0.6-444 26 37 11.3 30 73 145 236 1.569 79 1.6 84 0.65 30 35 0.края зоны проводимости и отсутствии деформационной ций при таких деформациях в слоях Inx AlyGa1-x-yAs релаксации. Типичный профиль краев зон проводимо- превышает 10 нм.

сти Ec, легких Evl и тяжелых Evh дырок приведен на Введение In понижает край зоны проводимости по рис. 2. Величина постоянной решетки в плоскости сло- сравнению с GaAs, в то время как Al ее повышает.

Поэтому для каждой концентрации индия x можно ев СР определяется GaAs-подложкой и буферным слоем.

подобрать такую концентрацию алюминия y, что край Поэтому слой GaS в СР (слой 1 на рис. 2) является зоны проводимости не будет испытывать скачков на ненапряженным, в то время как слой InxAlyGa1-x-yAs гетерогранице GaAs/InxAly Ga1-x-yAs. Согласно прове(слой 2 на рис. 2) сжат в плоскости слоя и вытянут вдоль денным расчетам с использованием параметров полуоси СР. В результате такой деформации валентная зона проводниковых материалов из [13], для достижения InxAlyGa1-x-yAs расщепляется, причем край подзоны нулевых разрывов края зоны проводимости в указантяжелых дырок оказывается выше края легких дырок:

Evh2 > Evl2. Величина расщепления краев зон Evh2 - Evl2 ном диапазоне концентраций In необходимо соблюдать соотношение y x + 0.03. При этом ширина запрезависит от концентрации In. Диапазон концентраций In щенной зоны слоя Inx AlyGa1-x-yAs оказывается больв наших образцах составляет 0.2 < x < 0.26. В этом шей, чем в слое GaAs. Таким образом, ненапряженные интервале величина расщепления краев меняется пракслои GaAs представляют собой ямы, а напряженные тически линейно с y в пределах от 76 до 92 мэВ.

слои Inx Aly Ga1-x-yAs — барьеры для движения дырок С другой стороны, при таких концентрациях In еще (см. рис. 2). Вследствие расщепления валентной зоны нет опасности появления дислокаций и структурных InxAly Ga1-x-yAs высота барьеров, и, следовательно, дефектов в слоях Inx AlyGa1-x-yAs с толщиной b < 4нм, глубина GaAs ям, оказывается для тяжелых дырок меньпоскольку критическая толщина образования дислокашей, чем для легких. Это уменьшает энергию размерного квантования тяжелых дырок и увеличивает энергию размерного квантования легких дырок. В результате деформация InxAly Ga1-x-yAs барьера увеличивает расстояние между верхними уровнями размерного квантования легких (lh1) и тяжелых (hh1) дырок, т. е. энергию расщепления Ehh-lh. На рис. 2 положения краев зон hhи lh1 показаны горизонтальными линиями.

Энергии размерного квантования, и соответственно энергия расщепления Ehh-lh, зависят от толщин барьеров. Мы провели расчеты энергетического спектра СР методом плавных огибающих в четырехзонной модели Кейна, включающей зону проводимости, валентную и спин-орбитально отщепленные зоны [14]. На рис. 3 показаны зависимости положения краев дырочных мини-зон Ehh1 и Elh1 от толщин GaAs-ямы, a, и Inx AlyGa1-x-yAs-барьера, b, для значений концентраций x = 0.2 и y = 0.23. Видно, что величина Ehh-lh = Ehh1 - Elh1 растет с увеличением b и уменьшением a, стремясь к предельному значению деформаРис. 2. Профиль краев зоны проводимости Ec и валентной ционного расщепления в барьере. Выбор толщин a и b зоны Ev СР. В слое 2 (AlInGaAs) валентная зона расщеплена есть результат компромисса между желанием достичь на подзону тяжелых vh2 и легких vl2 дырок. Тонкие горимаксимального значения Ehh-lh и вырастить СР без зонтальные линии обозначают положение нижней электронной дислокаций и структурных дефектов. В таблице привемини-зоны e1 и верхних мини-зон тяжелых hh1 и легких lhдырок. дены выбранные значения толщин a и b для исследу6 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1364 Л.Г. Герчиков, Ю.А. Мамаев, А.В. Субашиев, Ю.П. Яшин, Д.А. Васильев, В.В. Кузьмичев...

ленной установки УСУ-4 [15]. Конструктивно комплекс включает в себя двухкамерную вакуумную установку с четырехступенчатой системой откачки, источник циркулярно поляризованного света, детектор поляризации эмитируемых электронов и блок компьютерного управления. Исследуемый образец через шлюзовую систему помещался в камеру обработки, где происходит подготовка его поверхности. Для термической очистки поверхности образец помещают перед нагревателем в виде вольфрамовой спирали и в течение 1 ч выдерживают при температуре 500-600C для удаления защитной пленки As и различных загрязнений с поверхности.

Затем образец переводят в положение активировки, где для понижения работы выхода и создания ОЭС на его атомно-чистую поверхность напыляют субмонослои Рис. 3. Зависимости положения краев мини-зон легких (Elh1) цезия и кислорода.

и тяжелых (Ehh1) дырок от толщин GaAs-ямы a (сплошные В качестве источника циркулярно поляризованного линии) и In0.2Al0.23Ga0.57As-барьера b (штриховые линии).

света использовалась ксеноновая лампа ДКСШ-200, с монохроматором и системой формирования циркулярно поляризованного света, с длиной волны, программноемых образцов вместе с концентрациями x, y, высотаперестраиваемой в пределах 360-1200 нм, с минимальми барьеров для электронов, Uc = Ec2 - Ec1, тяжелых, ным шагом 0.03 нм. Пучок поляризованных электронов Uhh = Evh2 - Evh1, и легких, Ulh = Evl2 - Evl1, дырок, вечерез систему электронной оптики направляется на личинами Ehh-lh и запрещенной зоны сверхрешетки Eg.

вход детектора Мотта, с помощью которого измеряется Отрицательные значения Uc означают, что слой GaAs степень поляризации пучка. В установке используется служит для электронов барьером, а InxAlyGa1-x-yAs детектор Мотта с рабочим напряжением 30 кВ.

ямой. Ширина запрещенной зоны сверхрешетки опреСпектры поляризации и квантового выхода во деляется как разность положения краев нижней элеквсех исследованных образцах подобны. Во всех обтронной мини-зоны e1 и верхней мини-зоны тяжелых разцах наблюдается высокая поляризация электрондырок hh1, Eg = Ee1 - Ehh1.

ной эмиссии: 84% < P < 91%, при квантовом выходе Все образцы выращивались методом молекулярно0.05% < Y < 0.5%. Для иллюстрации мы приводим на пучковой эпитаксии в установке RIBER 32P. Скорости рис. 4 спектры P и Y в зависимости от энергии фотонов роста предварительно калибровались путем анализа возбуждающего света для образца 5-777.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.