WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

y PP2 z 1 2H H(i) = Px - y + + + V (z ) 2mi R2 2mi 2mi Дальнейший расчет проводится так же, как было сделано выше. В результате eER2 e2E+ Px -. (26) 2mii 4e2 Pcv SL KH ( ) = n0c R2d mПод знаком шпура в (7) совершим унитарное преобразование (25), и с учетом полноты волновых функций 2 sign ( 0 ss - ) 2 ncnv uss Wn nv exp -.

коэффициент поглощения света принимает вид cv c 2R2 - nc,nv, ss ncnv s,s 2 4e2 Pcv SL (31) KH ( ) = c| exp -i0Py | v Vn0c m0, Соотношение (31) описывает частотную зависимость коэффициента поглощения света, характерную для слу чая присутствия магнитного поля. Заметим, что при it c2Ec v dt exp - + + (mc + mv).

E = 0 нет, как обычно [6], правил отбора по номе 2Hрам уровней Ландау и край собственного поглощения (27) смещается в низкочастотную область спектра на ве2 личину E2c2(mc + mv)/2H2, а величина коэффициента Здесь обозначено: 0 = eER2(1/ c + 1/ v);

v c поглощения света уменьшается на характерную в скре () — энергия электрона в валентной зоне щенных электрическом и магнитном полях величину (в зоне проводимости) для СР в магнитном поле, 2 exp{- 0 /2R2}. Корневая особенность коэффициента в приближении сильной связи энергии определяются поглощения света в (31) исчезает, если учесть, наприсоотношением мер, взаимодействие носителей с колебаниями кристал(i) = i(n + 1/2) +si - cos(ki d). (28) лической решетки. Все предыдущие расчеты электропоsi z глощения в СР выполнены в приближении эффективной (i)| — волновые функции электрона в i-й зоне, комассы, т. е. несправедливы в пределе сильных электричеторые являются решением уравнения Шредингера с ских полей (режим ванье-штарковской лестницы) [24].

гамильтонианом (26) (при E = 0) и представляют собой произведение волновых функций для СР и волновых Список литературы функций электрона в однородном магнитном поле (ni — уровень Ландау) [23]. Матричный элемент, входящий [1] W. Franz. Z. Naturforsch., 132, 484 (1958).

в (28), легко вычисляется:

[2] Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 34, 1138 (1958).

[3] K. Tharmalingam. Phys. Rev., 130, 2204 (1963).

v nc!2n 1/ [4] M. Reine, Q.H.F. Vrehen, B. Lax. Phys. Rev., 163, 726 (1967).

c| e-i Py | v = uss k,kv k,kv c c cv x x y y c nv!2n [5] G. Giobanu. Rev. Roumaine Phys., 10, 109 (1965).

[6] А.Г. Аронов. ФТТ, 5, 552 (1964).

2 2 2 0 nc -nv 0 c [7] А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус. ЖЭТФ, 51, 505 (1966).

- Ln -nv exp nc 2R 2R2 4R[8] А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус. ЖЭТФ, 49, 1904 (1965).

[9] M.H. Weiler, W. Zawadzki, B. Lax. Phys. Rev., 163, 2 (1967).

uss kc Wn nv exp -, nc nv. (29) cv,kv c 4R2 [10] B. Lax. Proc. 7th Int. Conf. Phys. Semicond. (Dund, Paris, France, 1964) p. 253.

Для прямых разрешенных оптических переходов [11] S. Schmitt-Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller. Adv. Phys., (kc = kv) в пренебрежении слабой зависимостью в uss 38 (2), 89 (1989).

z z cv 6 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1364 Э.П. Синявский, С.М. Соковнич, Р.А. Хамидуллин [12] R. Kubo. J. Phys. Soc. Japan, 12, 570 (1957).

[13] Э.П. Синявский, Е.И. Гребенщикова. ЖЭТФ, 116, (1999).

[14] У. Люиселл. Излучение и шумы в квантовой электронике (М., Наука, 1972).

[15] М. Абрамовиц, И. Стиган. Справочник по специальным функциям (М., Наука, 1979).

[16] D.E. Aspnes. Phys. Rev., 147, 554 (1966).

[17] Э.П. Синявский. Оптические свойства полупроводников и квазидвумерных систем (Тирасполь, РИО Приднестровского гоc. ун-та, 2002).

[18] E.P. Sinyavskii, S.M. Sokovnich, F.I. Pasechnik. Phys. Status Solidi B, 209, 55 (1998).

[19] А.П. Силин. УФН, 147, 485 (1985).

[20] А.Я. Шик. ФТП, 8, 1841 (1974).

[21] В.А. Волков, Т.Н. Пинскер. ФТТ, 13, 1360 (1971).

[22] R.C. Fivaz. J. Phys. Chem. Sol., 28, 839 (1967).

[23] Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (нерелятивистская теория) (М., Наука, 1974).

[24] С.Н. Молотков. Письма ЖЭТФ, 62, 318 (1995).

Редактор Л.В. Шаронова The inter-band light absorption in dimention-limited systems in an uniform electric field E.P. Sinyavskii, S.M. Sokovnich, R.A. Khamidullin Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, DM-2028 Kishinev, Moldova

Abstract

We propose a simple method for calculating the interband light absorption coefficient in an uniform electric field, which allows us to investigate peculiarities of the light absorption in an electric field in a wide class of semiconductor systems from general equations. This method is demonstrated in a research of the light absorption coefficient in an electric field in two-dimensional systems with various sorts of potential energy, and in quantum wells and superlattices in a magnetic field also.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.