WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

женными в объеме матрицы. Это предположение согласуется с тем, что интенсивность ФЛ уменьшается Список литературы после удаления матрицы, и с тем, что данная полоса имеет меньшую интенсивность после отжига образца, [1] E.S. Snow, P.M. Campbell, R.W. Rendel, F.A. Buot, D. Park, приводящего к более полному удалению матрицы.

C.R.K. Marian, R. Magno. Semicond. Sci. Technol., 13, AПолоса с максимумом при 2.0 эВ, наблюдаемая после (1998).

[2] H. Weller. Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 37, 1658 (1998).

удаления матрицы, вероятно, связана с ФЛ состояний, [3] S.P. Beaumont, C.N. Sotomayor-Torres. Science and Engineрасположенных на границе раздела нанокластер–матриering of One-and Zero-Dimensional Semiconductors (N. Y., ца [18,19]. Возможно, что в нашем случае состояния Plenum Press, 1990) v. 214.

на границе нанокластер–матрица вызваны присутствием [4] А.Г. Милехин, Л.Л. Свешникова, С.М. Репинский, А.Г. Гуматрицы. Увеличение интенсивности полосы с макситаковский, М. Фридрих, Д.Р.Т. Цан. ФТТ, 44, 1884 (2002).

мумом при 2.0 эВ и уменьшение интенсивности полосы [5] D. Leonard, M.K. Krishnamurthy, C.M. Reeves, S.P. Denbaars, с максимумом при 2.9 эВ после нанесения матрицы на P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993).

нанокластеры связано с увеличением плотности этих [6] P.V. Kamat, D. Meisel. Semiconductor Nanoclusters (N. Y., состояний и захватом неравновесных носителей заряда Elsevier, 1996) v. 103.

или экситонов, сформированных в нанокластерах, на эти [7] N.A. Kotov, F.C. Meldrum, C. Wu, J.H. Fendler. J. Phys.

состояния. Chem., 98, 2735 (1994).

6 Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1362 Е.А. Багаев, К.С. Журавлев, Л.Л. Свешникова, И.А. Бадмаева, С.М. Репинский, M. Voelskow [8] J. Xu, H. Mao, Y. Du. J. Vac. Sci. Tecnol., B15, 1465 (1997).

[9] A.V. Nabok, A.K. Ray, A.K. Hassan. J. Appl. Phys., 88, (2000).

[10] J.H. Fendler, F.C. Meldrum. Adv. Mater., 7, 607 (1995).

[11] P. Nemec, P. Maly. J. Appl. Phys., 87, 3342 (2000).

[12] Xiying Ma, Gongxuan Lu, Baojun Yang. Appl. Surf. Sci., 187, 235 (2002).

[13] U. Woggon. Optical properties of semiconductor quantum dots (Springer, 1996).

[14] C.М. Репинский, Л.Л. Свешникова, Ю.И. Хапов. Журн.

физ. химии, 72, 825 (1999).

[15] B.G. Potter, J.H. Simmons, P. Kumar, C.J. Stanton. J. Appl.

Phys., 75, 8039 (1994).

[16] H. Matheu, T. Richard, J. Allegre, P. Lefebvre, G. Arnaud, W. Granier. J. Appl. Phys., 77, 287 (1995).

[17] Y. Wang, N. Herron. Phys. Rev. B, 42, 11 (1990).

[18] X. Ma, G. Lu, B. Yang. Appl. Surf. Sci., 187, 235 (2002).

[19] A. Hasselbarth, A. Eychmuller, H. Weller, S. Snow, P.M. Campbell, R.W. Rendel, F.A. Buot, D. Park, C.R.K. Marian, R. Magno. Semicond. Sci. Technol., 13, A75 (1998).

Редактор Л.В. Беляков Photoluminescence of CdS nanoclusters fabricated in Langmuir-Blodgett films E.A. Bagaev, K.S. Zhuravlev, L.L. Sveshnikova, I.A. Badmaeva, S.M. Repinsky, M. Voelskow Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Research Center Rossendorf, 01314 Dresden, Germany

Abstract

In this paper the photoluminescence (PL) of CdS nanoclusters fabricated in a Langmuir-Blodgett (LB) film matrix and after removing the matrix have been investigated. The PL spectrum of the nanoclusters in the matrix comprises a broad (full width at half maximum (FWHM) 0.6eV) band with a maximum at 2.4 eV. After removing the matrix by hexane the PL spectrum consists of a high-energy band at 2.9 eV (FWHM 0.2eV) and two lower energy bands at 2.4 and 2.0 eV (FWHM 0.5eV). The high-energy band is attributed to exciton recombination in nanoclusters, whereas the bands at 2.and 2.0 eV are caused by PL from defects in the matrix and at nanocluster–matrix interface, respectively.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.