WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

что говорит о преобладании межъямного перехода над [8] P. I. Biryulin, S.P. Grishechkina, A.S. Ignatiev, Yu.V. Kopaev, междолинным. Эффект устойчив к варьированию геоме- S.S. Shmelev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov. Semicond. Sci.

трии, подвижности, концентрации легирующей примеси Technol., 12 (4), 427 (1997).

[9] В.Л. Борблик, З.С. Грибников, Б.П. Маркевич. ФТП, 25, и других параметров структуры.

1302 (1991).

Фактически этот эффект является аналогом эффекта [10] V.I. Belyavsky, Yu.V. Kopaev, Yu.A. Pomerantsev, Phys. LowГанна. В отличие от междолинного переноса в объемDim. Structur., 1/2, 1 (1997).

ном полупроводнике, в гетероструктурах с туннельно[11] Ф.Т. Васько, О.Э. Райчев. ЖЭТФ, 107, 951 (1995).

связанными квантовыми ямами эффект обусловлен [12] P. Owen, M. Pepper. Semicond. Sci. Technol., 8 (10), межъямным переносом носителей.

(1993).

[13] P. Owen, M. Pepper. Appl. Phys. Lett., 62, 1274 (1993).

[14] P.I. Biryulin, Yu.V. Kopaev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov.

Заключение Semicond. Sci. Technol., 14 (8), 699 (1999).

[15] H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue.

В работе численно исследован транспорт электронов в Appl. Phys. Lett., 51, 1934 (1987).

гетероструктуре с туннельно-связанными ямами с разной подвижностью в условиях, когда распределение потенциРедактор Л.В. Беляков ала в структуре носит существенно двумерный характер.

Использованный численный метод согласованного решеAn analog of the Gunn effect at the tunnel ния двумерных уравнений Пуассона и непрерывности во transfer between quantum wells with всей гетероструктуре и одномерного уравнения Шрединdifferent mobility гера в ТС КЯ позволил смоделировать характеристики электронного транспорта в гетероструктуре ТС КЯ с учеP. I. Biryulin, A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, том взаимодействия квантовых и классических областей Yu.V. Kopaev, V.T. Trofimov гетероструктуры.

Были рассчитаны энергия квантово-размерных состо- Moscow State Institute of Electronic Technology, яний, концентрация и подвижность электронов в ТС КЯ, 103498, Moscow, Russia вольт-амперные характеристики. Туннельное взаимодей- P.N. Lebedev Physical Institute, ствие состояний в квантовых ямах приводит к немоно- Russian Academy of Sciences, тонности вольт-амперных характеристик и появлению 117924 Moscow, Russia участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Abstract

Electron transport in a gheterostructure with two Впервые показано, что в гетероструктурах с ТС КЯ tunnel-coupled quantum wells has been numerically investigated возможен эффект, аналогичный эффекту Ганна в одноunder conditions of strong non-one-dimensionality of the structure родном полупроводнике. Эффект обусловлен туннельpotential. The I–V characteristics, the distribution of potential as ным переходом электронов между квантовыми ямами с well as the electron mobiblity and density in quantum wells have разной подвижностью аналогично переходу между долиbeen calculated. The numerical method is based on the twoнами в эффекте Ганна и характеризуется образованием dimensional consistent calculation of both quantum and classical домена сильного поля и участком с отрицательным regions of the heterostructure. For the first timeis shownpossibility дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной of the effect occurrence in these heterostructures, which is similar характеристике гетероструктуры.

to the Gunn effect in homogeneous semiconductors. The effect Авторы благодарят И.В. Токатлы за плодотворное is conditiones by electron tunneling transitions between quantum сотрудничество и полезные дискуссии. wells with different mobility and is characterized by formation of the strong field domain and by a region with negative differential Работа была поддержана российскими федеральными resistance on I–V characteristic.

программами ”Интеграция” и ”Физика твердотельных наноструктур”.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.