WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Сдвиг низкочастотной части для легированного образца 1 оказывается меньше, что связано с заполнением от мощности накачки, положение низкоэнергетического энергетически наиболее глубоких областей свободными пика в нелегированном образце 2 с ростом мощноносителями тока. При комнатной температуре получить сти накачки несколько сдвигается в сторону больших спектры фотолюминесценции, поддающиеся адекватной энергий на участке P < 0.4Вт/см2. Положение второго интерпретации, не удается в связи с большой величиной пика при этом остается практически неизменным. При температурного размытия и малой амплитудой линий.

этом амплитуда второго пика оказывается выше. Такое поведение можно объяснить тем, что в образце имеется большое количество квантовых точек меньшего размера 4. Заключение (см. рис. 1), заселение которых происходит достаточно равномерно. Среди квантовых точек большего размера Проведены исследования спектров фотолюминесценпроисходит сначала заселение самых крупных, и лишь ции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при при увеличении мощности заселяются все точки, что различных мощностях возбуждающего фотолюминесдолжно быть связано с высокой вероятностью туннели- ценцию излучения и температурах. Спектры состоят рования между квантовыми точками больших размеров. из низкоэнергетической части, связанной с рекомбиНаличие легирующей примеси в образце 1 приводит к нацией электронов и дырок внутри квантовых точек, тому, что в квантовых точках уже имеются носители, и высокоэнергетической, обусловленной переходами в и, начиная с самых малых энергий накачки, сдвигов GaAs-матрице и смачивающем слое InAs. Из анализа положений пиков практически не наблюдается. низкоэнергетической части спектров показано, что в Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1358 В.А. Кульбачинский, В.А. Рогозин, Р.А. Лунин, А.А. Белов, А.Л. Карузский...

исследованных структурах имеются квантовые точки Peculiarities of the photoluminescence двух характерных размеров. При увеличении мощности of InAs/GaAs structures with quantum накачки на начальном участке обнаруживается сдвиг dots unger different pumping power одной из линий спектра ФЛ в нелегированном образце, V.A. Kulbachinskii, V.A. Rogozin, R.A. Lunin, A.A. Belov, связанный с включением в процесс ФЛ большего числа A.L. Karuzskii, A.V. Perestoronin, A.V. Zdoroveishev квантовых точек. С ростом температуры интенсивность высокоэнергетической части спектра уменьшается, а M. Lomonosov Moscow State University, низкоэнергетическая смещается в область еще более 119992, GSP-2 Moscow, Russia низких энергий, что связано с увеличением подвижности носителей тока в структуре и их перераспределением

Abstract

Photoluminescence spectra of InAs/GaAs structures между квантовыми точками разных размеров.

with quantum dots have been investigated under different pumping Работа поддержана грантами: РФФИ № 05.02.17029a, power at various temperatures. Data show the presence of НШ № 2043.2003.2 и МНТП ФТНС № 97-1048. quantum dots of two characteristic dimensions. Under the pumping power increase one of the spectrum line shifts. At higher temperatures the intensity of the high energy part of the spectrum Список литературы decreases while the low energy part shifts to lower energies.

[1] Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998).

[2] A.D. Yoffe. Adv. Phys., 50, 1 (2001).

[3] M. Crassi Alessi, M. Capizzi, A.S. Bhatti, A. Frova, F. Martelli, P. Frigeri, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B, 59, (1999).

[4] D. Bimberg, M. Grundman, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures, J. Willey & Sons Ltd. (1999).

[5] V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, V.A. Rogozin, Yu.V. Fedorov, Yu.V. Khabarov, A. de Visser. Semicond. Sci. Technol., 17, 947 (2002).

[6] M. Bissiri, G. Baldassarri Hoger von Hogersthal, A.S. Bhatti, M. Capizzi, A. Frova, P. Frigeri, S. Franchi. Phys. Rev. B, 62, 4642 (2000).

[7] S. Fafard, Z.R. Wasilewski, C.Ni. Allen, D. Picard, M. Spanner, J.P. McCaffrey, P.G. Piva. Phys. Rev. B, 59, 15 368 (1999).

[8] M. Chiba, V.A. Fradkov, A.L. Karuzskii, A.V. Perestoronin, B.G. Zhurkin. Physica B, 302/303, 408 (2001).

[9] J.Z. Wang, Z.M. Wang, Z.G. Wang, Y.H. Chen, Z. Yang. Phys.

Rev. B, 61, 15 614 (2000).

[10] A.W.E. Minnaert, A.Yu. Silov, W. van der Vleuten, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 63, 075 (2001).

[11] M.J. Steer, D.J. Mowbray, W.R. Tribe, M.S. Skolnick, M.D. Sturge, M. Hopkinson, A.G. Cullis, C.R. Whitehouse, R. Murray. Phys. Rev. B, 54, 17 738 (1996).

[12] M. Henini, S. Sanguinetti, S.C. Fortina, E. Grilli, M. Guzzi, G. Panzarini, L.C. Andreani, M.D. Upward, P. Moriarty, P.H. Beton, L. Eaves. Phys. Rev. B, 57, R6815 (1998).

[13] R. Heitz, F. Giffarth, I. Mukhametzhanov, M. Grundman, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62, 16 881 (2000).

[14] H. Kissel, U. Muller, C. Walther, W.T. Masselink, Yu.I. Mazur, G.G. Tarasov, M.P. Lisitsa. Phys. Rev. B, 62, 7213 (2000).

[15] Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40, 855 (1998).

[16] Ф. Качмарек. Введение в физику лазеров (М., Мир, 1981).

[17] I.A. Karpovich, A.V. Zdoroveishev, A.P. Gorshkov, D.O. Filatov, R.N. Skvortsov. Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 143 (2003).

[18] K.H. Schmidt, G. Medeiros-Ribeiro, M. Oestreich, P.M. Petroff, G.H. Dohler. Phys. Rev. B, 54, 11 346 (1996).

[19] R. Heitz, I. Mukhametzhanov, O. Steir, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 83, 4654 (1999).

Редактор Л.В. Беляков Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.