WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Как и ожидалось, включение стимулирующей подсветки приводит к росту излучения в области спектральной линии спонтанного излучения. Этот рост соответствует увеличению квантового выхода i при росте интенсивности стимулирующей подсветки. При достаточно высокой интенсивности стимулирующей подсветки рост величины Ii в коротковолновой части полосы излучения стремится к насыщению, что означает i 1. Это имеет место для случая, показанного на рис. 2. Поэтому отношение Ii/Isp вблизи максимума линии излучения позволяет, согласно (22), оценить величину внутреннего квантового выхода 0.7. Отметим, что в красной части полосы излучения отношение Ii/Isp несколько выше (см. рис. 2), как это и следует из (21).

Синхронное детектирование позволило устранить из Рис. 3. Спектры усредненных экспериментальных значений исследуемого излучения постоянную составляющую стиинтенсивностей люминесценции для двух структур AlxGa1-xAs:

мулирующего излучения. Фон излучения в отсутствие a — x = 0.2, d = 55 мкм; b — x = 0.32, d = 70 мкм при возбуждения лазером, но при наличии стимулирующей различных направлениях потоков стимулирующей подсветки.

подсветки, был много ниже в сравнении как с величиКонфигурация измерений показана в обозначениях рис. 1.

ной сигнала спонтанной люминесценции, возбуждаемой Цифры при обозначении источника подсветки S соответствуют лазером, так и с величиной увеличения люминесценции углу направления потока подсветки относительно направления при ее стимулировании (рис. 2). Правда, как это детектируемой люминесценции. Пунктирные кривые соответвидно на рис. 2, в длинноволновой части спектра стиму- ствуют спонтанной люминесценции в отсутствие подсветки.

5 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1346 К. Пожела, Р.-А. Бендорюс, Ю. Пожела, А. Шиленас понента стимулированной люминесценции. Однако при > 30 эта компонента исчезает, что свидетельствует о направленности действия стимулирующего потока на поток стимулированной люминесценции. Стимулированная часть люминесценции с узкозонной стороны кристалла полностью исчезает, если стимулирование люминесценции осуществлялось подсветкой с той же стороны.

В этом случае стимулированное излучение направлялось от излучающей поверхности в глубь кристалла, где испытывало переизлучение со сдвигом спектра излучения в красную сторону (рис. 3).

4. Заключение Показано, что стимулирование рекомбинации неравновесных электронно-дырочных пар в варизонном полупроводнике AlxGa1-xAs внешним излучением позволяет повысить внутренний квантовый выход фотолюминесценции. Это проявляется в росте интенсивности стимулированной люминесценции в 1/ раз по сравнению со спонтанной, что позволяет экспериментально определить величину внутреннего квантового выхода спонтанной рекомбинации электронно-дырочных пар.

Показано, что стимулирующая подсветка задает направление стимулированному потоку излучения. Это позволяет направить поток в телесный угол, меньший угла полного внутреннего отражения, и вывести излучение из кристалла наружу.

Список литературы [1] J. Poela, V. Jucien, K. Poela. Nucl. Instr. Meth. A, 410, (1998).

[2] J. Poela, K. Poela, A. ilnas, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Jucien. Lithuanian J. Phys., 39, 139 (1999).

[3] J. Poela, K. Poela, A. ilnas, V. Jucien, L. Dapkus, V. Jasutis, G. Tamulaitis, A. ukauskas, R.-A. Bendorius. Nucl.

Instr. Meth. A, 434, 169 (1999).

[4] П. Дирак. Принципы квантовой механики (М., Физматиздат, 1960). [Пер. с англ.: P.A.M. Dirac. The Principles of Quantum Mechanics (Oxford, Clarendon, 1958)].

Редактор В.В. Чалдышев Stimulation of luminescence of graded-gap AlxGa1-xAs semiconductors K. Poela, R.-A. Bendorius, J. Poela, A. ilnas Semiconductor Physics Institute, 2600 Vilnius, Lithuania

Abstract

Stimulation of photoluminescence in graded-gap AlxGa1-xAs semiconductors is investigated. It is shown that the stimulation by an external light makes it possible to increase the internal quantum luminescence efficiency and to direct the stimulated light flow. A method for the internal quantum efficiency measurements is proposed.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.