WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

-1 + очень больших концентраций дефектов). В то же время Если >1, то при одном и том же уровне легиро- E1-центры (Et = Ei + 0.40 эВ) могут создавать избыток вания неравенство легче выполняется при легировании как электронов, так и дырок. В литературе существует акцепторами, если же <1, то донорами. Это подтвер- значительный разброс в значениях коэффициента заждается примером радиационных E4-центров в p-Si и хвата электронов этими центрами, так что возможные n-Si [10,11]. Для этого случая получаем значения параметра лежат в интервале 1.8-394 [12].

Соответственно крайним значениям в указанном ин p (см-3) 2.9 · 1011 + 0.9pтервале E1-центры создают избыток дырок, если Nd меньше 2.5 · 1016 см-3 или 1.1 · 1014 см-3. В этом случае и соответственно суммарная допустимая концентрация превысит сумму n (см-3) 2.9 · 1011 + 0.1n0.

допустимых концентраций для каждого типа дефектов.

При этом использование упрощенной модели ШРХ Дополнив приведенные выше условия неравенствами оправдано при более высоком Nt, чем в случае образца p p0 и n n0, найдем ограничение на уровень инс дефектами лишь одного типа.

жекции, при котором можно говорить о независимости от него времен жизни носителей заряда. Это следует из формулы (2). Для p-Si с Fei-центрами получим 6. Заключение p(см-3) 1.5 · 1010 + 1.4 · 10-3 p0.

Упрощенная модель рекомбинации ШРХ может быть Поэтому зависимость времен жизни от уровня инжекции использована при измерениях времен жизни носителей в таком образце должна наступать при существензаряда, только если концентрация дефектов не прено более низком уровне легирования, чем в p-Si с восходит некоторого граничного значения. Последние E4-центрами [1,10].

определяются параметрами самих центров, уровнем и типом легирования полупроводника, его температурой.

5. Рекомбинационные центры разных Кроме того, результат зависит от погрешности, которая считается приемлемой при нахождении времен жизни типов носителей. Допустимое значение концентрации дефекВ реальных полупроводниках обычно присутствуют тов может быть на несколько порядков ниже уровня лерекомбинационные центры и ловушки разных типов. гирования. При малом уровне инжекции времена жизни В этом случае для параметра x можно получить выра- носителей в таких образцах существенно разнятся.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Применимость упрощенной модели Шокли–Рида–Холла для полупроводников... При оценке допустимой концентрации дефектов следует корректно учитывать роль последних в балансе носителей заряда. В первую очередь это касается дефектов, уровни энергии которых лежат вдали от зоны неосновных носителей. Даже если уровень инжекции не мал, для некоторых дефектов ограничения на допустимую их концентрацию могут быть существенны.

В то же время в полупроводнике с несколькими типами дефектов такого рода ограничения могут быть слабее, чем в случае дефектов одного типа.

Знание предельных концентраций дефектов необходимо для получения надежных результатов при измерениях времен жизни носителей заряда с помощью методики, основанных на упрощенной модели рекомбинации ШРХ.

Список литературы [1] D. Macdonald, A. Cuevas. Phys. Rev. B, 67, 075 203 (2003).

[2] S. Rein, T. Rehrl, W. Warta, S.W. Glunz. J. Appl. Phys., 91, 2059 (2002).

[3] J.S. Blakemore. Semiconductor Statistics (Oxford, Pergamon, 1962).

[4] H. Bleichner, P. Jonsson, N. Keskitalo, E. Nordlander. J. Appl.

Phys., 79, 9142 (1996).

[5] D.L. Meier, J.-M. Hwang, R.B. Campbell. IEEE Trans.

Electron. Dev., 35, 70 (1988).

[6] W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952).

[7] S.Zh. Karazhanov. Semicond. Sci. Technol., 16, 276 (2001).

[8] S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys., 88, 3941 (2000).

[9] S.C. Choo. Phys. Rev. B, 1, 687 (1970).

[10] H. Bleichner, P. Jonsson, N. Keskitalo, E. Nordlander. J. Appl.

Phys., 79, 9142 (1996).

[11] N. Keskitalo, P. Jonsson, K. Nordgren, H. Bleichner, E. Nordlander. J. Appl. Phys., 83, 4206 (1998).

[12] H.-J. Schultze, A. Frohnmeyer, F.-J. Niedernostheide, F. Hille, P. Tutto, T. Pavelka, G. Wachutka. J. Electrochem. Soc., 148, G655 (2001).

Редактор Т.А. Полянская Applicability of a simplified Shockley–Read–Hall model for semiconductors with different defect types A.N. Yashin Institute of Physics of Solids and Semiconductors, National Academy of Sciences of Belorussia, 220072 Minsk, Belorussia Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.