WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Получение и оптоэлектронные явления в монокристаллах ZnTe и барьерах Шоттки на их основе поляризации излучения с плоскостью падения излучения фототок ip с ростом угла падения вначале растет, достигает максимума, а затем при > 70 начинает падать. Увеличение ip достигает 30%, что может быть следствием максимального снижения потерь на отражение вблизи псевдобрюстеровского угла (рис. 5, кривая 1). Фототок is, в отличие от ip, обнаруживает монотонный спад с ростом (рис. 5, кривая 2).

Аналогичный характер угловых зависимостей ip и is сохраняется во всей области фоточувствительности БШ на основе кристаллов ZnTe, полученных с применением перечисленных выше транспортирующих агентов. Это соответствует анализу процесса прохождения линейно поляризованного излучения через границу воздух/ZnTe на основании формул Френеля [8] и с учетом [9,10] позволяет сделать вывод о высоком структурном совершенстве плоскостей естественной огранки в полученных монокристаллах ZnTe. Угловые зависимости коэффициента наведенного фотоплеохроизма (рис. 5, кривые 3 и 4) во всех БШ следуют квадратичному закону PI 2, что находится в согласии с теорией в отсутствие интерференционных явлений [10,11]. Для всех полученных БШ при углах падения излучения 80 коэффициент наведенного фотоплеохроизма имел близкие значения и достигал 66-68%. Оценка показателя преломления на Рис. 5. Зависимости фототока короткого замыкания для основании измерений PI дает значение n 3.5, что излучения с поляризацией E ПП (1), E ПП (2) и коэффициента фотоплеохроизма (3, 4) от угла падения излуче- согласуется с известной величиной для ZnTe [7].

ния на поверхность структуры In/ZnTe со стороны барьерного Типичная спектральная зависимость PI для одного из контакта при T = 300 K. Образец А12-2, = 2.3эВ.

полученных БШ при 80 приведена на рис. 6. Видно, что в пределах всей области высокой фоточувствительности коэффициент наведенного фотоплеохроизма и плоскостьюпадения (ПП) излучения. Эта зависимость структур In/ZnTe сохраняется практически постоянным, при = const следует закону что соответствует положениям теории в отсутствие проявления интерференции при линейно поляризованном i = ip cos2 + is sin2, (2) излучении [10].

где ip отвечает поляризации E ПП, а is — E ПП.

Для всей области фоточувствительности характерно неравенство ip > is, что соответствует формулам Френеля для амплитудных коэффициентов прохождения линейно поляризованного излучения через границу воздух/полупроводник [8]. Эта закономерность воспроизводится и в спектральных зависимостях SU для s- и p s p-поляризаций (SU и SU соответственно). В результате спектральные контуры фоточувствительности для разных поляризаций совпадают между собой и аналогичны спектральной зависимости SU( ) в неполяризованном излучении. По этой причине переход от поляризации E ПП к E ПП сопровождается смещением вниз p s спектральной кривой SU относительно SU, причем поляризационная разность фоточувствительности возрастает с увеличением.

На рис. 5 приведены типичные зависимости фототоков короткого замыкания и коэффициента наведенного Рис. 6. Спектральная зависимость коэффициента фотоплеофотоплеохроизма PI от одного из БШ при освещехроизма структуры In/ZnTe при T = 300 K. Кристалл ZnTe нии линейно поляризованным излучением со стороны получен с использованием NH4I, образец А14-2, 80.

барьерного контакта. В случае совмещения плоскости Освещение со стороны барьерного контакта In.

4 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1332 Г.А. Ильчук, В.И. Иванов-Омский, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Р.Н. Бекимбетов, Н.А. Украинец Максимальная азимутальная фоточувствительность ( 15 В/Вт · град при T = 300 K) наблюдалась для лучших БШ в случае использования для получения монокристаллов ZnTe транспортера NH4I. Очевидно, что за счет выбора состава твердого раствора CdxZn1-xTe существует реальная возможность создания поляриметрических фотодетекторов на спектральную область, заключенную между Eg CdTe и ZnTe [7].

Таким образом, метод газофазных реакций позволяет выращивать монокристаллы ZnTe n- и p-типа проводимости, тогда как изменением природы транспортирующего агента обеспечивается управление их электрическими и люминесцентными свойствами, что может найти применение при создании фотодетекторов естественного и линейно поляризованного излучения на их основе. Обнаружены и изучены фотовольтаические свойства барьеров Шоттки In/ZnTe, которые могут использоваться в качестве широкополосных фотодетекторов естественного и поляризованного излучения.

Список литературы [1] M. Strassberg, V. Kutzez, U. Pohl, A. Hoffman, I. Brozer, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fiseher, D. Gerthsen, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 72, 942 (1998).

[2] Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. М. Авена и С. Пренера (М., Мир, 1970).

[3] Физика соединений AIIBVI, под ред. А.Н. Георгобиани и М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986).

[4] Г.А. Ильчук, Н.А. Украинец, В.И. Иванов-Омский, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. ФТП, 33, 553 (1999).

[5] Г.А. Ильчук. Неорг. матер., 35 (7), 812 (1999).

[6] Г.А. Ильчук. Неорг. матер., 35 (9), (1999).

[7] Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978).

[8] Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976).

[9] V.Yu. Rud’, Yu.V. Rud’, H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67–68, 421 (1999).

[10] Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33 (5), (1999).

[11] G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud’. Phys. St. Sol. (a), 67, (1981).

Редактор Л.В. Шаронова Fabrication and optoelectronic phenomena in ZnTe single crystals and Schottky barriers G.A. Ilchuk, V.I. Ivanov-Omskii+, V.Yu. Rud, R.N. Bekimbetov+, N.A. Ukrainets State University ”Lvivska Polytechnika” 79013 Lvov, the Ukraine + Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia State Technical University, 135251 St.Petersburg, Russia Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.