WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

данных и линейной теоретической модели. Подгонка проводилась по методике, описанной в работе [1,2], путем подбора двух параметров — времени жизни и коэффиЗаключение циента диффузии D фотовозбужденных носителей.

В качестве иллюстрации на рис. 2 показаны экспе- Линейная теория фоторефрактивного эффекта была риментальные и расчетные зависимости, полученные на разработана при условии постоянства транспортных паобразце кремния n-типа с удельным сопротивлением раметров полупроводников [1]. Однако эксперименты 5Ом · см. Экспериментальные результаты, полученные показали, что даже в случае значительного превышения при мощностях излучения YAG-лазера 0.7 и 0.08 Вт, концентрации равновесных носителей над концентрапоказаны символами 1 и 2 соответственно. Расчетные цией фотовозбужденных носителей могут наблюдаться зависимости показаны непрерывной линией для параме- несоответствия между расчетными и экспериментальтров = 400 мкс, D = 12 см2/с и штриховой линией ными данными, если они были получены при разных Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1326 А.Л. Филатов мощностях излучения накачки. Кроме того, оказалось, что в высокоомных образцах кремния при попытках увеличить соотношение сигнал–шум в фоторефрактивном сигнале путем увеличения мощности излучения накачки быстро достигается уровень, после которого не удается подогнать экспериментальные и полученные в рамках линейной модели расчетные кривые.

Выявленные несоответствия хорошо объясняются общеизвестными фактами изменения времени жизни и коэффициента диффузии в зависимости от концентрации фотовозбужденных и равновесных носителей. При этом на основе теоретического анализа с последующей экспериментальной проверкой была показана возможность использования линейной модели фоторефрактивного эффекта на расстояниях меньше диффузионной длины носителей заряда для определения транспортных параметров носителей заряда даже в случае изменения величины коэффициента диффузии во время эксперимента.

Полученные результаты позволяют расширить диапазон применения фоторефрактивного метода на более высокоомные образцы. Кроме того, на базе анализа зависимости коэффициента диффузии от интенсивности излучения возможна разработка метода бесконтактного, локального определения проводимости в объеме образцов.

Список литературы [1] A.L. Filatov, V.I. Mirgorodsky, V.A. Sablicov. Semicond. Sci.

Technol., 8, 694 (1993).

[2] A.L. Filatov, V.I. Mirgorodsky, V.A. Sablicov. Engineering Optics, 321 (1993).

[3] А.Л. Филатов. ЖТФ, 9, 115 (1998).

[4] A. Skumanich, D. Fournier, A.C. Boccara, N.M. Amer. Appl.

Phys. Lett., 47, 402 (1985).

[5] D. Fournier, A.C. Boccara, A. Skumanich, N.M. Amer. J. Appl.

Phys., 59, 787 (1986).

[6] H. Dersch, N. Amer. Appl. Phys. Lett., 47 (3), 292 (1985).

[7] N.M. Amer. J. de Phys., 44, C6-185 (1983).

[8] H.J. Eichler, F. Massmann, E. Biselli, K. Richter, M. Glotz, L. Konetzke, X. Yang. Phys. Rev. B, 36 (3), 3247 (1987).

Редактор Т.А. Полянская A photorefractive quasi-linear phenomenon in silicon A.L. Filatov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, 141120 Fryazino, Moscow Region, Russia

Abstract

Nonlinearity of the photorefractive phenomenon associated with a high intensity of pump irradiation has been investigated. Auger recombination and ambipolar diffusion are taken into consideration. The quasi-linear phenomenon is likely to be employed in finding the semiconductor transport parameters.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.