WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

стояний в обусловленных дефектами электронных зонах, [4] Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. Физика низких температур, лежащих ниже уровня химического потенциала. Переход 22, 870 (1996).

[5] А.Е. Карькин, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий, С.Е. Даниэлектронов в зону состояний дефектов повышает конлов, В.Л. Арбузов. ЖЭТФ, 113, 1787 (1998).

центрацию „тяжелых“ носителей заряда в этой зоне за [6] И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводсчет уменьшения заполнения зоны проводимости, т. е.

никах (М., Наука, 1972).

снижения уровня химического потенциала. Поведение [7] Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский.

подвижности при облучении и отжигах образцов (табл. УФН, 120, 337 (1976).

и 2) удовлетворительно объясняется зависимостью эф[8] И.М. Цидильковский. Бесщелевые полупроводники — фективной массы электронов в зоне проводимости от их новый класс веществ (М., Наука, 1986).

концентрации:

[9] Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (Воениздат 1/m(n) =m 1 + n2/32(32)2/3 /gm, СССР, 1982).

n n [10] П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупрохарактерной для вырожденных полупроводников с водниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975).

неквадратичным законом дисперсии [6–8]. Здесь m — [11] В.В. Щенников, А.Е. Карькин, И.П. Гавалешко, В.М. Фраn суняк. ФТТ, 39, 1717 (1997).

эффективная масса на дне зоны, g — ширина запре[12] П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., щенной зоны. В то же время сильное изменение концен1969).

трации дефектов также может влиять на подвижность, [13] C.C.Y. Kwan, J. Basinski, J.C. Woolley. Phys. St. Sol. (b), 48, поскольку время релаксации для механизмов рассея699 (1971).

ния электронов на заряженных и нейтральных примесях [14] В.В. Щенников, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк, В.И. Осообратно пропорционально их концентрации [12]. В часттов. ФТТ, 37, 2398 (1995).

ности, возрастание подвижности у образца HgSe0.9S0.1 [15] M.A. Berding, A. Sher, A.-B. Chen. J. Appl. Phys., 63, после облучения может быть вызвано уменьшением сум(1990).

марной концентрации заряженных центров — вакансий Редактор Т.А. Полянская и межузельных атомов.

Galvanomagnetic properties of 5. Заключение atomic-disordered HgSe1-xSx compounds Таким образом, с помощью облучения удалось сни- A.E. Karkin, V.V. Shchennikov, S.E. Danilov, зить коцентрацию электронов значительно сильнее, чем V.V. Arbuzov, B.N. Goshchitskii обычно позволяют только длительные высокотемпераInstitute for Metal Physics, турные отжиги в атмосфере селена [10]. При этом проUral Branch of the Russian Academy of Sciences, являются тяжелые носители в зоне состояний дефектов.

620219 Ekaterinburg, Russia В тройных соединениях концентрация также снижается, но, поскольку в этих кристаллах при используемых

Abstract

Resistivity and the Hall effect at 1.7–370 K in magnetic энергиях электронов 5 МэВ концентрация собственных fields up to 13.6 T has been studied on HgSe and HgSe1-x Sx дефектов выше, чем радиационных, эффект облучения single crystals irradiated by 5 MeV electrons at 270 K. The changes меньше.

of charge carrier parameters due to defects induced by both irradiation and post-annealing are determined. As a result it was Работа выполнена при финансовой поддержке Миpossible to decrease the electron concentration in conduction band нистерства науки, промышленности и технологий РФ larger than it is allowed by conventional methods as well as to (гос. контракты № 40.012.1.1.1150, № 40.020.1.1.1166, recover almost the original state.

договор № 10/02), Программы РАН „Квантовая макрофизика“ (договор № 25/02), Программы государственной поддержки ведущих научных школ РФ (проект № 00-15-96581) и РФФИ (проект № 01-02-16877).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.